大学物理实验报告大全大学物理实验报告大全精选八篇.docx

    大学物理实验报告大全大学物理实验报告大全精选八篇    大学物理实验报告答案大全（实验数据及思考题答案全包拪）伏安法测电阻实验目的(1) 利用伏安法测电阻2) 验证欧姆定律3) 学会间接测量量不确定度的计算；迚一步掌握有效数字的概念实验方法原理根据欧姆定律，IR = U ，如测得U 和I 则可计算出R值得注意的是，本实验待测电阻有两只，一个阻值相对较大，一个较小，因此测量时必须采用安培表内接和外接两个方式，以减小测量误差 实验装置待测电阻两只，0～5mA 电流表1 只，0－5V 电压表1 只，0～50mA 电流表1 只，0～10V 电压表一只，滑线变阻器1 只，DF1730SB3A 稳压源1 台实验步骤本实验为简单设计性实验，实验线路、数据记彔表格和具体实验步骤应由学生自行设计必要时，可提示学生参照第2 章中的第2.4 一节的有关内容分压电路是必须要使用的，并作具体提示1) 根据相应的电路图对电阻迚行测量，记彔U 值和I 值对每一个电阻测量3 次2) 计算各次测量结果如多次测量值相差不大，可取其平均值作为测量结果3) 如果同一电阻多次测量结果相差很大，应分析原因并重新测量数据处理测量次数1 2 3U1 /V 5.4 6.9 8.5I1 /mA 2.00 2.60 3.20R1 / Ω 2700 2654 2656测量次数1 2 3U2 /V 2.08 2.22 2.50I2 /mA 38.0 42.0 47.0R2 / Ω 54.7 52.9 53.2(1) 由. % max ΔU =U ×1 5 ，得到U 0.15V , 1 Δ = U 0 075V Δ 2 = . ；Δ 2 = . ； (2) 由. % max ΔI = I ×1 5 ，得到I 0.075mA, 1 Δ = I 0 75mA…… …… 余下全文篇二 ：大学物理实验报告北方民族大学基础物理实验中心 大学物理实验指导书第三部分 基本实验指导实验一、惠斯通电桥测电阻电桥是利用比较法进行电磁测量的一种电路连接方式，它可以测量很多电学量，如电阻、电容、电感、互感等，还可以配合不同的传感器件测量很多非电学量，如温度、压力、加速度等。

因此在传感技术中应用极广电桥的种类较多，按工作状态可分为平衡电桥和非平衡电桥；按工作电流种类可分为直流电桥和交流电桥；按结构和测量范围可分为单臂电桥和双臂电桥电桥法根据平衡和比较原理测量电阻，其构思巧妙、测量准确、适用方便，是电磁测量的基本方法本实验所用电桥为直流单臂电桥，也称作惠斯通（Wheatstone）电桥惠斯通电桥适用于测量中等阻值的电阻实验目的1．学习用电桥法测量电阻的原理，了解其应用；2．掌握使用箱式惠斯通电桥测量中值电阻阻值的方法；3．掌握测量箱式惠斯通电桥的相对灵敏度的方法实验器材QJ23型或QJ23a型直流电阻电桥（如图所示）；ZX21型电阻箱；待测电阻若干；导线两根37第三部分 基本实验-----惠斯通电桥测电阻图1 QJ23型直流电阻电桥 图2 QJ23a型直流电阻电桥实验原理惠斯通电桥测电阻原理如图3所示四个电阻R1、R2、RS与Rx联成一个四边形，每一个边作为电桥的一个臂，C R1、R2称为比率臂，RS称为比较臂（标准臂），Rx为电桥的待测臂对角线AC连接电源E对角线BD之间接检流器G调节RS使B、D两点电势相等，这时检流计G指零，电桥达到平衡依B、D两点间电势差为零，可得：Rx?R1Rs R2其中R1/R2称为比率臂的倍率。

若比率臂的倍率与比较臂值Rs均为已知，则可算出Rx的值电桥平衡后检流计指针指零；若桥路中电阻值发生改变，如Rx的改变量为△Rx，则电桥失去平衡，检流计指针发生偏转，偏转格数…… …… 余下全文篇三 ：大学物理实验报告北方民族大学基础物理实验中心 大学物理实验指导书实验四、霍尔效应法测量磁场美国物理学家霍尔(Hall,Edwin Herbert,1855-1938)于1879年在实验中发现，当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差，这一现象便是霍尔效应这个电势差也被叫做霍尔电势差霍尔效应此后在测量、自动化、计算机和信息技术等领域得到了广泛的应用，比如测量磁场的高斯计实验目的1、掌握霍尔效应法测量磁场的原理和方法；2、学习用“异号法”消除副效应产生的系统误差实验仪器HL—10霍尔效应实验组合仪测试仪包括两路直流稳定电源±1000 mA供给电磁铁的励磁电流和±10.0mA供给霍尔元件的工作电流全套HL—10型霍尔效应实验组合仪由：实验装置部分和测试部分组成65第三部分 基本实验-----霍尔效应法测磁场实验原理霍尔效应是运动的载流子在磁场中受到洛伦兹力发生偏转而产生的，利用霍尔效应原理作出来的电子元件统称为霍尔元件，本实验所用的的霍尔元件是一个长方形的均匀半导体薄片，称为霍尔片。

如图所示，其宽为b，厚度为d如果把元件置于垂直于元件平面的磁场B中，当通入电流I（与B方向垂直）时，载流子（N型半导体为带负电荷的电子，P型半导体为带?正电荷的空穴）在磁场中受洛伦兹力Fm的作用而偏转，从而在侧面形成电势差UH（霍尔电压）设载流子平均速率为vd每个载流子的电荷量为e，当载流子所受洛伦兹力与霍尔元件表面电荷产生的电场力相等时则UH达到稳定： eUH?evdBb若自由电子的浓度为n，则霍尔片的工作电流I可表示为 I?所以有：UH?dQ?envdS?envdbd dt1IBIB?RH，其中， RH?称为霍尔系数，是反映材料霍尔效应强弱nenqdd66…… …… 余下全文篇四 ：史上最牛大学物理实验报告答案大全想体验史上最牛的的物理实验报告吗？现在是你的选择大学物理实验报告答案大全实验数据及思考题答案全包括）伏安法测电阻实验目的(1) 利用伏安法测电阻2) 验证欧姆定律3) 学会间接测量量不确定度的计算；进一步掌握有效数字的概念实验方法原理根据欧姆定律，IR = U ，如测得U 和I 则可计算出R值得注意的是，本实验待测电阻有两只，一个阻值相对较大，一个较小，因此测量时必须采用安培表内接和外接两个方式，以减小测量误差。

实验装置待测电阻两只，0～5mA 电流表1 只，0－5V 电压表1 只，0～50mA 电流表1 只，0～10V 电压表一 只，滑线变阻器1 只，DF1730SB3A 稳压源1 台实验步骤本实验为简单设计性实验，实验线路、数据记录表格和具体实验步骤应由学生自行设计必要时，可提示学 生参照第2 章中的第2.4 一节的有关内容分压电路是必须要使用的，并作具体提示1) 根据相应的电路图对电阻进行测量，记录U 值和I 值对每一个电阻测量3 次2) 计算各次测量结果如多次测量值相差不大，可取其平均值作为测量结果3) 如果同一电阻多次测量结果相差很大，应分析原因并重新测量数据处理测量次数1 2 3U1 /V 5.4 6.9 8.5I1 /mA 2.00 2.60 3.20R1 / Ω 2700 2654 2656测量次数1 2 3U2 /V 2.08 2.22 2.50I2 /mA 38.0 42.0 47.0R2 / Ω 54.7 52.9 53.2(1) 由. % max ΔU =U ?1 5 ，得到U 0.15V , 1 Δ = U 0 075V Δ 2 = . ；(2) 由. % max ΔI = I ?1 5 ，得到I 0.075mA, 1 Δ = I 0 75mA Δ 2 = . ；…… …… 余下全文篇五 ：大学物理实验报告答案大全(湖南大学必备)大学物理实验报告答案大全(湖南大学学子必备)伏安法测电阻实验方法原理 根据欧姆定律， R 实验目的 (1) 利用伏安法测电阻。

(2) 验证欧姆定律 (3) 学会间接测量量不确定度的计算；进一步掌握有效数字的概念 = U ，如测得 U 和 I 则可计算出 R值得注意的是，本实验待测电阻有两只， I一个阻值相对较大，一个较小，因此测量时必须采用安培表内接和外接两个方式，以减小测量误差 实验装置待测电阻两只，0～5mA 电流表 1 只，0－5V 电压表 1 只，0～50mA 电流表 1 只，0～10V 电压表一 只，滑线变阻器 1 只，DF1730SB3A 稳压源 1 台实验步骤 本实验为简单设计性实验，实验线路、数据记录表格和具体实验步骤应由学生自行设计必要时，可提示学 生参照第 2 章中的第 2.4 一节的有关内容分压电路是必须要使用的，并作具体提示1) 根据相应的电路图对电阻进行测量，记录 U 值和 I 值对每一个电阻测量 3 次2) 计算各次测量结果如多次测量值相差不大，可取其平均值作为测量结果3) 如果同一电阻多次测量结果相差很大，应分析原因并重新测量数据处理测量次数U1 /VI1 /mAR1 / ?测量次数U2 /VI2 /mAR2 /?(1) 由 ?U(2) 由 ?I 1 5.4 2.00 2700 1 2.08 38.0 54.7 2 6.9 2.60 2654 2 2.22 42.0 52.9 3 8.5 3.20 2656 3 2.50 47.0 53.2 ； = U max × 1.5% ，得到 ?U 1 = 0.15V , ?U 2 = 0.075V = I max × 1.5% ，得到 ?I1 = 0.075mA, ?I 2 = 0.75mA ；…… …… 余下全文篇六 ：大学物理实验报告大学物理实验报告摘要：热敏电阻是阻值对温度变化非常敏感的一种半导体电阻，具有许多独特的优点和用途，在自动控制、无线电子技术、遥控技术及测温技术等方面有着广泛的应用。

本实验通过用电桥法来研究热敏电阻的电阻温度特性，加深对热敏电阻的电阻温度特性的了解关键词：热敏电阻、非平衡直流电桥、电阻温度特性1、引言热敏电阻是根据半导体材料的电导率与温度有很强的依赖关系而制成的一种器件，其电阻温度系数一般为（-0.003~+0.6）℃-1因此，热敏电阻一般可以分为:Ⅰ、负电阻温度系数（简称NTC）的热敏电阻元件常由一些过渡金属氧化物（主要用铜、镍、钴、镉等氧化物）在一定的烧结条件下形成的半导体金属氧化物作为基本材料制成的，近年还有单晶半导体等材料制成国产的主要是指MF91~MF96型半导体热敏电阻由于组成这类热敏电阻的上述过渡金属氧化物在室温范围内基本已全部电离，即载流子浓度基本上与温度无关，因此这类热敏电阻的电阻率随温度变化主要考虑迁移率与温度的关系，随着温度的升高，迁移率增加，电阻率下降大多应用于测温控温技术，还可以制成流量计、功率计等Ⅱ、正电阻温度系数（简称PTC）的热敏电阻元件常用钛酸钡材料添加微量的钛、钡等或稀土元素采用陶瓷工艺，高温烧制而成这类热敏电阻的电阻率随温度变化主要依赖于载流子浓度，而迁移率随温度的变化相对可以忽略载流子数目随温度的升高呈指数增加，载流子数目越多，电阻率越小。

应用广泛，除测温、控温，在电子线路中作温度补偿外，还制成各类加热器，如电吹风等2、实验装置及原理【实验装置】FQJ—Ⅱ型教学用非平衡直流电桥，FQJ非平衡电桥加热实验装置（加热炉内置MF51型半导体热敏电阻（2.7kΩ）以及控温用的温度传感器），连接线若干。