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ICP发射光谱分析目 录① ICP发射光谱分析原理② ICP发射光谱仪的构成③ ICP发射光谱分析方法④ 样品的前处理ICP发射光谱分析 原 理¡ICP-AES(OES)ICP Atomic Emission Spectrometry(Optical Emission Spectrometry)ICP发射光谱分析法¡元素分析¡溶液进样ICP-AES可测定的元素等离子体磁力线高频耦合线圈样品粒子ICP：Inductively Coupled Plasma 电感耦合等离子体¡等离子体“高温下电离气体（Ionized gas）”“离子状态”“阳离子和电子数几乎相等”—等离子体的最高温度10000K¡元素被激发（发光源）→ICP发射光谱分析 电感耦合等离子体光源（ICP）Ø等离子体（Plasma）—一般指电离度超过 0.1%被电离了的气体，这种气体不仅含有 中性原子和分子，而且含有大量的电子和离 子，且电子和正离子的浓度处于平衡状态， 从整体来看是出于中性的等离子体光源的分区NAZ-分析区IRZ- 初始辐射区PHZ-预热区尾焰离子・发射光谱的产生◆在等离子体中元素原子化、离子化◆在等离子体中元素发射特征波长的光9ICP发射光谱分析的基本原理ICP发射光谱分析过程主要分为三步, 即激发、分光 和检测.•利用等离子体激发光源（ICP）使试样蒸发汽化, 离解 或分解为原子状态，原子可能进一步电离成离子状态 ，原子及离子在光源中激发发光。

•利用光谱仪器将光源发射的光分解为按波长排列的光 谱•利用光电器件检测光谱，按测定得到的光谱波长对试 样进行定性分析，按发射光强度进行定量分析I = Nmhν=K’NmN0e-Em/ kT (1)在一定的实验条件下: I = aC (2)a为常数，C为目的元素的浓度考虑某些情况下有一定程度的谱线自吸, 对(2)加以 修正I = aCb (3)b为自吸系数, 一般情况下b≤1在ICP光源中多数 情况下b≈1谱线强度与浓度的关系ICP-AES的特长¡溶液进样、标准溶液易制备¡高灵敏度（亚ppb～）¡高精度（CV < 1%）¡化学干扰少¡线性范围宽（５～６个数量级）¡可同时进行多元素的定性定量分析可以分析的样品1:金属(钢铁,有色金属) 2:化学,药品,石油,树脂,陶瓷 3:生物,医药,食品 4:环境(自来水,环境水,土壤,大气粉尘) 5:可以分析其他各种各样样品中的金属备注:固体样品必须进行前处理(液化)ICP发射光谱仪的构成ICP-AES光谱仪结构溶液-雾化 发光 元素 光-电信号 结果等离子火炬与频率关系R.F高频发生器¡27.12MHz,40.68MHz¡高频发生器输出功率稳定性好、点火容易、发 热量小、火焰稳定、有效转换功率 高、能对不同样品及不同浓度变化 时抗干扰能力强。

ICP-AES 样品导 入部将样品溶液雾化连续导入ICP中Ｉ Ｃ Ｐ高频线 圈等离子炬 管样品溶 液雾室雾化 器冷却气 (Ar)等离子（辅 助）气 (Ar)ICP光源的气流1冷却气—起冷却作用，保护石英炬管免被高温 融化1辅助气—“点燃”等离子体1雾化气—形成样品气溶胶将样品气溶胶引入ICP对雾化器、雾化室、中心管起清洗 作用Fassel炬管等离子炬管等离子炬管分为输入 载气Ar的内层管、输 入辅助气Ar的中层管 和输入等离子气Ar的 外层管 Q外层管：外层管通Ar气作为冷却气，沿切线方向引入，并螺旋上升，其作用 ：第一，将等离子体吹离外层石英管的内壁，可保护石英管不被烧毁；第二 ，是利用离心作用，在炬管中心产生低气压通道，以利于进样；第三，这部 分Ar气流同时也参与放电过程 Q中层管： 中层管通人辅助气体Ar气，用于点燃等离子体 内层管：内层石英管内径为1~2mm左右，以Ar为载气，把经过雾化器的试样 溶液以气溶胶形式引入等离子体中¡冷却气 (等离子气)(9L/min-20L/min)¡等离子气 (辅助气)(0.2L/min- 1.5L/min)¡载气 (注入气)(0.2L/min- 1.5L/min)气动雾化器(同心型)气动雾化器¡气动雾化器的结构简单，通常分为同轴型 雾化器和直角型雾化器。

同轴型雾化器结构简单，易于制作，应用较为普遍直 角型雾化器不易被悬浮物质堵塞但雾化效率较低，喷 嘴容易堵塞，进样速度受载气压力的影响改用蠕动泵 驱动雾化器，可避免载气压力对样品提升量的影响 旋流雾室双筒雾室等离子炬观测位置PMT 检 测器光栅等离子体矩管球面 准直镜UV 光谱球面 聚光镜IR 光谱ICP-AES 分光器¡选择分辨出目的元素的特征谱 线检测器-光电倍增管光电倍增管工作原理阴极计算机功能¡程序控制：仪器各部件的起动、关闭¡时实控制：时间监控、远程诊断、信息转移¡数据处理¡谱线数据库专家系统ICP发射光谱分 析方法定性分析定量分析半定量分析需进行使样品溶液化的前处理ICP发射光谱分析方法定性分析定性分析要确认试样中存在某个元素，需要在试样 光谱中找出三条或三条以上该元素的灵敏 线，并且谱线之间的强度关系是合理的； 只要某元素的最灵敏线不存在，就可以肯 定试样中无该元素定量分析工作曲线法标准样品的组成与实际样品一致在工作曲线的直线范围内测定使用无干扰的分析线定量分析 标准加入法测定范围的工作曲线的直线性溶液中干扰物质浓度必须恒定应有1-3个添加样品使用无干扰的分析线进行背景校正定量分析内标法在试样和标准样品中加入同样浓度的某 一元素（内标元素），利用分析元素和 内标元素的谱线强度比与待测元素浓度 绘制工作曲线，并进行样品分析。

半定量分析半定量分析有些样品不要求给出十分准确的分析数据， 允许有较大偏差，但需要尽快给出分析数据 ，这类样品可采用半定量分析法ICP光源的半定量分析尚无通用方法，因仪 器类型和软件功能而异，应用不广泛灵敏度 、检出限、背景等效浓度¡ ¡灵敏度：灵敏度：S=S=dXdX/dc/dc单位浓度变化所引起的响应量的变化单位浓度变化所引起的响应量的变化, ,它相当它相当 于工作曲线的斜率于工作曲线的斜率 ¡ ¡检出限检出限: : ICPICP光谱分析中光谱分析中, , 能可靠地检出样品能可靠地检出样品 中某元素的最小量或最低浓度中某元素的最小量或最低浓度. . ¡ ¡背景等效浓度背景等效浓度( (BEC)BEC)：：与背景信号相当的浓度与背景信号相当的浓度 ICP发射光谱分 析中的干扰¡物理干扰¡化学干扰¡电离干扰¡光谱干扰干扰的校正¡基体匹配可消除物理、电离干扰注意不纯物的混入¡内标校正可消除物理干扰注意内标元素的选择(电离电位)¡背景校正扣除光谱背景谱线干扰的校正¡ 选择无干扰的谱线¡ 干扰系数法校正谱线干扰¡ 稀释样品样品的前处理¡待测元素完全进入溶液¡溶解过程待测元素不损失¡不引入或尽可能少引入影响测定的成分¡试样溶剂具有较高的纯度，易于获得¡操作简便快速，节省经费等溶解样品的基本要求稀释法用纯水、稀酸、有机溶剂直接稀释样品。

只适用于均匀样品 例）排放水、电镀液、润滑油等干式灰化分解法在马弗炉中加热样品，使之灰化 可同时处理多个样品 注意低沸点元素Hg,As,Se,Te,Sb的挥发例）食品、塑料、有机物粉末等样品的前处理（溶液化）45u湿式分解法q 常规酸消化样品 + 酸（～300℃）于烧杯或三角烧瓶中,在电热 板 或电炉上加热常规酸消化的优点是设备简单，适合处理大批量样品 ；缺点是操作难度大，试剂消耗量大、每个试样的酸 消耗量不等，试剂空白高且不完全一致、消解周期长 、劳动条件较差样品的前处理（溶液化）46q高压密封罐消解高压密封罐由聚四氟乙烯密封罐和不锈钢套筒 构成试样和酸放在带盖的聚四氟乙烯罐中，将其 放入不锈钢套筒中，用不锈钢套筒的盖子压紧密封 聚四氟乙烯罐的盖子，放入烘箱中加热加热温度 一般在120~180℃聚四氟乙烯罐的壁较厚，导热 慢一般要加热数小时停止加热后必须冷却才能打 开溶剂：硝酸；硝酸+过氧化氢酸消耗量小，试剂空白低，试样消解效果好，金属 元素几乎不损失，环境污染小分解周期长q 微波消解微波消解也是一种在密封容器中消化的手段它具有 高压密封罐法所有的优点消解速度比高压密封罐法 快得多。

试剂消耗量小，金属元素几乎不损失，不受环境污染， 空白低使用硝酸可消化大多数有机样品 微波炉的价格较高，试样处理能力不如干式灰化和常规 消化法器皿的洗涤¡使用后的玻璃及聚四氟乙烯器皿用一般蒸馏水冲洗3次 ¡浸没在6N的硝酸溶液中5天以上¡取出后分别用一般蒸馏水冲洗5次以上，高纯水冲洗3 次器皿的存放¡置于无灰尘处自然凉干可盖保鲜膜等）¡容量瓶可装满高纯水存放仪器的维护和保 养注意事项¡进样前进样系统的检查¡测定后进样系统的检查和清洗¡废液桶中的废液要经常清理¡炬管，雾化器，雾室的清洗¡冷却水，真空泵油，分子筛的定期更换轴向和横向观测任选，用轴向观测提高 灵敏度，横向观测分析高浓度的样品轴向和横向观测横向（Radial View）Sample IntroductionPlasmaTorchPMT detectorGratingu横向观测的特点–可以进行高浓度（百分含量 ）的测定–离子化干扰小–可以进行高盐有机溶剂的测 定轴向（Axial View）PMT detectorGratingPlasmaSample IntroductionTorchu轴向观测的特点–去除氩的光谱、只有元素光 谱高效率地导入分光器–可以提高分析灵敏度①等离子体部的上下移动②水冷套件的安装与卸除①②等离子体反射镜氩气高频线圈等离子炬管分光器冷却管轴向和横向观测的切换干扰因素¨ICP-AES1光谱干扰 !光谱干扰数量多,谱库中有50,000条特征光谱。

!加上来自如金属材料、矿石和化学品分析中基体 的影响，解决起来比较困难 !不同的分子特征基团如OH键，也会造成在低含量 分析时的干扰干扰因素¨ICP-AES1光谱干扰的消除 !离线光谱背景校正 !动态背景校正干扰因素¨ICP-AES2基体效应的干扰 !喷射管 !样品与标准溶液粘度的差异干扰因素¨ICP-AES2基体效应的干扰 !使用内标干扰因素¨ICP-AES3电离效应的干扰@ 易电离的元素引起的电离干扰ICP-MS 更为严重包括增强或抑制效应干扰因素¨ICP-AES3电离效应的干扰的消除!仪器条件的最佳化 !加入电离效应缓冲液微波制样概述微波方法有效所必要的过程，最关键的部分归纳 如下：1）样品类型分类描述，例如地质的、冶金的等 2）感兴趣分析物 3）样品量（范围） 4）每次溶解的样品数 5）容器类型 6）溶剂所需的溶剂量（ACS等级或蒸馏等级等）， 溶剂空白所需溶剂量微波制样概述微波方法有效所必要的过程，最关键的部分简洁地归纳如下：7)完全消解程序 8）对于校准，必须说明校准所需的具体功率设定和每步 的持续时间 9）对于温度反馈控制，需要描述加热温度、保持温度和 冷却步骤。

如EPA方法3052可分为桑额阶段：加热到 180±5℃需5.5分钟，保持180±5℃需9.5分钟，冷却至少需5分钟 ）普通加热示意图样品+试剂容器壁导热外部温度要高于试剂的沸点外部温度要高于试剂的沸点热对流微波消解示意图微波可穿透容 器壁加入酸的样品吸收微波加入酸的样品吸收微波局部过热微波加热陶瓷基底硅控管保护陶瓷基底硅控管保护硅控管硅控管波导波导microwaves陶瓷基底陶瓷基底容器容器微波反射微波反射 微波腔体微波腔体Schematic of Home Microwave EM Schematic of Home Microwave EM Field PatternField PatternLow Em Field IntensityHigh Em Field Intensit。