池州华宇电子科技股份有限公司《高性能MCU芯片封装测试产业化项目 环评报告表

一、建设项目基本情况项目名称高性能MCU芯片封装测试产业化项目建设单位池州华宇电子科技股份有限公司法人代表彭勇联系人彭勇通讯地址安徽省池州市经济技术开发区凤凰路106号联系电话13902942840传真0566-2610025邮政编码247000建设地点安徽省池州市经济技术开发区凤凰路106号立项审批部门池州经开区经发局批准文号池开管经【2020】183号建设性质改扩建行业类别及代码C3973集成电路制造 占地面积43333m2绿化面积8360m2总投资(万元)15000环保投资(万元)30环保投资占总投资比例0.2%评价经费投产日期2021年4月1.项目背景及任务由来1.1项目背景及由来池州华宇电子科技股份有限公司于2019年投资25000万元在安徽省池州市经济技术开发区凤凰路106号建设年产100亿只高可靠性集成电路芯片先进封装测试产业化项目，池州市经济技术开发区管理委员会经贸发展局对该项目准予备案，备案文号为池开管经201840号。2019年8月15日委托安徽绿洲技术服务有限公司开展环境影响报告表的编制工作，于2020年1月21日池州市生态环境局以池环函【2020】45号通过审批，并于2021年3月通过环保验收。原环评拟建设10条高可靠性集成电路芯片先进封装测试生产线配套建设2条电镀线，由于产品市场和公司实际要求，现阶段建设了4条高可靠性集成电路芯片先进封装测试生产线和2条电镀线，剩下6条高可靠性集成电路芯片先进封装测试生产线不再建设；本次项目建设1条高性能MCU芯片封装测试生产线，电镀工艺依托现有2条电镀线。根据中华人民共和国环境保护法、中华人民共和国环境影响评价法及建设项目环境保护管理条例等法规文件，同时根据建设项目环境影响评价分类管理名录（2021版）相关规定，本项目环评类别判定如下表：表1-1 本项目环评类别判定情况一览表项目类别环评类别本项目判定结果报告书报告表登记表三十六、计算机、通信和其他电子设备制造业80 电子器件制造/显示器件制造；集成电路制造/属于该类别中的“集成电路制造”，涉及塑封和打标，应编制报告表为此，于2020年11月25日委托安徽禾美环保集团有限公司开展环境影响报告表的编制工作。我公司接受委托后，立即开展了详细的现场踏勘、资料收集工作，在对项目有关环境现状和环境影响进行分析后，编制了高性能MCU芯片封装测试产业化项目环境影响报告表，报请生态环境主管部门审批，以期为项目的实施和管理提供依据。2.扩建项目概况2.1本次扩建项目建设概况项目名称：高性能MCU芯片封装测试产业化项目；建设规模：依托现有厂房投资15000万元添置切割机、研磨机、固晶机、焊线机、塑封压机及其模具、排片机、激光打标机、测试机、等离子清洗机等半导体自动化设备258套，建设1条高性能MCU芯片封装测试生产线，形成年产30亿只高性能MCU芯片的生产规模；建设单位：池州华宇电子科技股份有限公司；投资总额：15000万元，全部由企业自筹；其中环保投资30万元，占总投资的比例为0.2%；建设地点：安徽省池州市经济技术开发区凤凰路106号，项目具体地理位置见附图1；2.2项目组成拟建项目主要工程内容见表1-2。表1-2 项目工程内容组成一览表工程类别工程名称现有工程建设内容和规模本次扩建工程建设内容和规模备注主体工程1#厂房1F钢混结构厂房，已建4条高可靠性集成电路芯片先进封装测试生产线和2条电镀线，主要布置有塑封区、镀锡区、测试区、粘片区、键合区，产能为40亿只/年；建筑面积为18400m2，厂房单层高度8.8m。本次建设1条高性能MCU芯片封装测试生产线，在原有厂房内安装研磨机、固晶机、焊线机、塑封压机及其模具、排片机、激光打标机、测试机、等离子清洗机等半导体自动化设备258套进行扩建。生产厂房依托辅助工程办公室办公地点位于厂房北部/依托动力房1F钢混结构厂房，建筑面积为700m2/依托风淋室项目建设4个风淋室，单个风量3000m3/h/依托气站露天设置，四周围挡，南部设置顶棚/依托储运工程原辅料仓库分为原料仓库和化学品仓库，设置在厂房内，其中原料仓库位于厂房东南角位置，建筑面积分别为900m2、化学品仓库位于镀锡车间西北角处，建筑面积40m2/依托成品仓库位于厂房东南角，建筑面积为450m2/依托公用工程供电系统利用园区供电设施供电利用园区供电设施供电依托供水系统利用园区自来水管网供应利用园区自来水管网供应依托环保工程废气治理镀锡线全线封闭，镀锡线工艺槽产生酸雾和碱雾收集进入碱液喷淋塔处理后满足电镀污染物排放标准（GB21900-2008）表5中硫酸雾排放限值后通过排气筒排放。电镀锡工序依托前期项目建设的电镀线。电镀线依托塑封过程和激光打标过程会产生有机废气，同时激光打标过程会产生粉尘废气。通过设备自带集尘装置对粉尘废气进行收集，通过布袋除尘器处理。塑封过程设备密闭，有机废气经负压收集后与除尘后的激光打标废气一同接入一套一级活性炭纤维+一级活性炭两级吸附系统处理后通过15m高排气筒（3#）排放。塑封过程和激光打标过程会产生有机废气，同时激光打标过程会产生粉尘废气。通过设备自带集尘装置对粉尘废气进行收集，通过布袋除尘器处理。塑封过程设备密闭，有机废气经负压收集后与除尘后的激光打标废气一同接入二级活性炭吸附系统处理后通过15m高（4#）排气筒排放。新建废水治理因园区重金属污水处理站不具备处理镀锡清洗废水的能力，建设单位自建污水处理站处理生产废水，处理达到城东污水处理厂接管标准后排入污水管网送至城东污水处理厂进一步处理；镀锡槽母液定期处理过滤后尾水循环利用。电镀锡工序依托前期项目建设的电镀线。电镀线依托纯水制备产生的浓水排入园区污水管网；地面清洗、喷淋塔废水经污水处理站处理后排入园区污水管网；纯水制备产生的浓水排入园区污水管网纯水制备设备依托生活污水经化粪池预处理达标后纳管排放进入城东污水处理厂处理；生活污水经化粪池预处理达标后纳管排放进入城东污水处理厂处理化粪池依托噪声防治隔声、减振等降噪措施隔声、减振等降噪措施新建固废处置分类收集，设一般固废堆场和20m2危废库/依托依托可行性：电镀线依托：原环评拟建10条高可靠性集成电路芯片先进封装测试生产线配套建设2条电镀线以满足年产100亿只高可靠性集成电路芯片的产能要求，实际建设阶段仅仅建设了4条生产线，产能为40亿只/年，电镀线剩余产能为60亿只/年能够满足本次项目30亿只/年的产能要求，且本期项目与现有项目电镀工艺一致；因此电镀线依托是可行的。2.3总平面布置项目位于安徽省池州市经济技术开发区凤凰路106号，厂区建设1#厂房、动力房、气站，厂房内主要布置镀锡区、塑封区、测试区、粘片区、键合区和仓库。项目整体布局较为紧凑，能够有效的减少产品生产过程中的搬运，有利于原料的运输；各功能分区之间用道路隔开。厂区道路布置合理，区内外道路协调衔接，满足生产和消防需要，可以做到人流与物流分开，项目的总平面布置较为合理。拟建项目实施后，项目总平面布置见附图3。2.4产品方案高性能MCU芯片封装测试产业化项目设计具体产品方案见表1-3。表1-3 产品方案序号产品名称现有工程产能本次扩建项目产能备注1集成电路芯片40亿只/a/2高性能MCU芯片/30亿只/a/2.5主要原辅材料及能源消耗情况本项目主要原辅材料消耗情况见表1-4。表1-4 本项目主要原辅材料一览表序号材料名称主要成分单位现有项目消耗量拟建项目消耗量用途1原料芯片/亿只/年4030/2引线框架/亿只/年4030芯片载体3锡球/t/年864封装树酯环氧树脂吨/年370280封装材料5金线/铜线/万米/年48003600压焊6劈刀/万只/a6.75/7清润胶条/t/a2015/8导电胶/t/a0.40.3粘片9水/万m3/a0.770.7210电/万kWh/a13003602.6主要生产设备拟建项目具体设备一览表见下表。表1-5 主要生产设备一览表序号设备名称规格已建项目数量本项目数量单位1固晶机AD83045/台2固晶机AD8312/2台3焊线机IHAWK XPRESS/GOCU22/台4焊线机EAGLE XTREME/GOCU22/台5焊线机IHAWK XTREME/AREO/KNS128100台6焊线机KNS ConnX Elite/100台7研磨机PG300RM11台8切割机DFD-63603/台9切割机DFD65111/台10切割机DAD335011/台11切割机DFD636212/台12塑封压机NT-S45023/台13塑封压机FSTM450-7HS/6台14推拉力测试机MFM12001/台15氮气高温试验箱ITV640-2002/台16高温试验箱TV640-2002/台17在线式等离子清洗机AW-ZP0421台18氮气柜FU1200-N30/台20体式显微镜SZM74520/个21金相显微镜MTS200/1个22高倍显微镜XJL-101A(8寸)2/台23测量显微镜OLYMPUS STM61/台24X射线检测设备View X18000/台25锡厚测量仪THICK 800A0/台26氮氢混合配比装置RZ-HN-120D型1/台27测量投影仪/1/台28打标机/76台29塑封模具/106套30切筋设备/7/套31高速镀锡线/1/条32测试机/4014台33分选机/75/台合计468237台（套）2.7工作制度及劳动定员项目原有定员269人，本次新增300人，企业每天生产24小时，全年工作日为300天。2.8公用工程及辅助设施（1）供电由池州市经济技术开发区供电电网供给。（2）给排水给水：项目用水由工业园供水管网供给。项目生产工艺中使用的纯水由一期项目建设30t/h的纯水制备系统供应。排水：项目实行雨污分流系统。雨水排入附近道路雨水管；纯水生产过程产生的浓水直接排