忻州中科晶电信息材料有限公司新型半导体材料砷化镓晶体及晶片制造加工项目环评报告书

忻州中科晶电信息材料有限公司新型半导体材料砷化镓晶体及晶片制造加工项目环境影响报告书(报批本) 评价单位：北京中企安信环境科技有限公司评价证书：国环评证乙字第1046号评价时间：二O一八年十月项目名称：忻州中科晶电信息材料有限公司新型半导体材料砷化镓晶体及晶片制造加工项目文件类型：环境影响报告书适用的评价范围：冶金机电法定代表人：郑国庆主持编制机构：北京中企安信环境科技有限公司忻州中科晶电信息材料有限公司新型半导体材料砷化镓晶体及晶片制造加工项目环境影响报告书编制人员名单表编制主持人姓名职（执）业资格证书编号登记（注册证）编号专业类别本人签名杨家平00016948B104603403冶金机电主要编制人员情况序号姓名职（执）业资格证书编号登记（注册证）编号编制内容本人签名1杨家平00016948B104603403总则；工程分析；现状调查与评价；环境影响预测与评价；.环境保护措施及经济技术论证；结论2宋丽珠00012191B104606101概述；环境影响经济损益分析；环境管理与监测计划 34567。忻州中科晶电信息材料有限公司新型半导体材料砷化镓晶体及晶片制造加工项目环境影响报告书修改说明根据“忻州中科晶电信息材料有限公司新型半导体材料砷化镓晶体及晶片制造加工项目环境影响报告书技术审查意见”，评价单位对报告书进行了如下修改，完成了忻州中科晶电信息材料有限公司新型半导体材料砷化镓晶体及晶片制造加工项目环境影响报告书报批稿。序号专家意见修改说明页码1补充收集忻州市上一年度主要污染物年均浓度指标，完善特征污染物环境质量现状监测。细化忻州市城市总体规划、忻州市生态功能区划、忻州市经济区划、忻州经济开发区环评、环评审查意见、开发区入园要求，细化分析项目建设“三线一单”满足性。补充收集忻州市上一年度主要污染物年均浓度指标;细化了忻州市城市总体规划、忻州市生态功能区划、忻州市经济区划、忻州经济开发区环评、环评审查意见、开发区入园要求，细化分析了项目建设“三线一单”满足性。P4-19；表4.3-15；P2-20292补充环境保护目标图，图示与周边各环境保护目标的距离、方位关系，调查项目所在区域周边工矿企业及敏感目标分布情况，结合忻州经济开发区环评、开发区用地规划及园区准入要求，本项目排放污染物性质、对敏感目标的影响，细化项目选址可行性分析。补充了环境保护目标图、细化了项目选址可行性分析。图2.8-1；P2-20293结合现行环保要求严格本项目污染物排放标准，在电子工业污染物排放标准尚未正式颁布实施前，本项目可参照其征求意见稿中相关污染物的排放标准限值执行。核实项目所在区域声环境功能区划及声环境质量标准。标准已修改为参照执行电子工业污染物排放标准（征求意见稿），核实了项目所在区域声环境功能区划及声环境质量标准。表2.4-4；表2.4-6；表2.4-84细化工程分析内容，根据砷化镓晶片生产过程，细化给出不同生产工序的生产工艺分析，补充原料准备、多晶合成、单晶生长、单晶切片、晶片处理、砷化镓废料回收等各生产工序的工艺流程图，明确反应原理及产排污节点。细化各生产工序的原、辅材料使用量，污染物产生及排放情况。规范生产设备一览表内容，明确单台设备的生产能力、工作制度。核实砷化镓生产的物耗、水耗、能耗指标。细化了工程分析内容，细化了项目的工艺流程图；细化了原、辅材料使用量；规范生产设备一览表；核实了砷化镓生产的物耗、水耗、能耗指标。图3.2-1；P3-810；表3.1-6；表3.1-45依据不同生产工艺单元细化给出物料平衡、生产用水平衡分析，补充As、Ga、HF、H2SO4、NH3等平衡分析。核实固废、废水、废酸、废碱产生量指标，补充不同生产工序废液、废水产生量及水质指标；补充各生产单元工艺废气产生种类、产生量、产生浓度参数；细化各产污环节废气、废水收集方案，补充废气量、废水量、废液量、污染物产生量估算依据。补充了As、Ga、HF、H2SO4、NH3等平衡分析；核实了固废、废水、废酸、废碱产生量；补充不同生产工序废液、废水产生量及水质指标；补充了各生产单元工艺废气产生种类、产生量、产生浓度参数；细化了各产污环节废气、废水收集方案，补充了废气量、废水量、废液量、污染物产生量估算依据。图3.3-1；图3.4-2；图3.4-3；表3.3-4；表3.3-5；表3.3-66核实各用水环节用排水量及全厂水平衡分析。补充废水污染物排放量及总量控制要求。细化地下水评价内容，细化厂区防渗分区设置及防渗要求。核实了各用水环节用排水量及全厂水平衡分析。补充了废水污染物排放量及总量控制要求。细化了地下水评价内容，细化厂区防渗分区设置及防渗要求。P3-1415；P5-3236；表5.3-137补充本项目生产废水预处理站、厂区废水处理站平面布置图，细化各类废水处理站处理工艺、处理设施参数介绍。补充忻州开发区污水管网及忻州污水处理厂目前实际建设情况，忻州污水处理厂处理工艺及接纳污废水性质，细化分析本项目生产废水、生活污水排入忻州污水处理厂的可行性。补充了生产废水预处理站、厂区废水处理站平面布置图，细化了各类废水处理站处理工艺、处理设施参数介绍。补充说明忻州开发区污水管网及忻州污水处理厂目前实际建设情况，忻州污水处理厂处理工艺及接纳污废水性质，细化分析了本项目生产废水、生活污水排入忻州污水处理厂的可行性。图3.1-2d；P3-8；P6-4138补充完善各种废气除尘、洗涤净化设施环保参数介绍，采用洗涤工艺的设施应明确洗涤塔规格、尺寸参数，喷淋介质、气液比参数、洗涤液处理设施；采用过滤式除尘设施应明确过滤面积、过滤风速、过滤材质指标；VOCs净化措施应符合现行国家及山西省对VOCs废气净化的相关要求，补充相应净化设施的工艺及环保参数，采用活性炭吸附工序应明确活性炭表面吸附特性、活性炭一次充装量及更换周期，细化分析各污染物达标排放的保证性。补充完善了各种废气除尘、洗涤净化设施环保参数；VOCs净化措施应符合现行国家及山西省对VOCs废气净化的相关要求，补充了相应净化设施的工艺及环保参数，采用活性炭吸附工序应明确活性炭表面吸附特性、活性炭一次充装量及更换周期，细化了分析各污染物达标排放的保证性。P6-14；表6.1-139本项目涉及有砷等特征污染物排放，评价应补充土壤环境影响内容，结合评价区范围土壤环境质量现状，分析项目排放污染物对评价区土壤的环境影响。补充了土壤环境影响内容。P5-5657；P6-2710规范总平面布置图，补充生产车间平面布置图，明确各生产设备、环保设施的布置情况，补充生产厂房新风、空调、冷水等系统介绍；本项目利用现有已建标准化厂房，评价应结合生产对厂房、地基、防渗等要求细化分析可利用性。规范了总平面布置图，补充了生产车间平面布置图，明确了各生产设备、环保设施的布置情况，补充了生产厂房新风、空调、冷水等系统介绍；细化分析了本项目利用现有已建标准化厂房的可利用性。图3.1-2a；2b；2c；P6-161811规范大气污染源项及排放清单一览表内容；给出大气环境防护距离计算用源项、源强参数及预测过程，核实计算结果；补充厂界各污染物达标排放分析。规范了大气污染源项及排放清单一览表内容；给出了大气环境防护距离计算用源项、源强参数及预测过程，核实了计算结果；补充了厂界各污染物达标排放分析。表3.6-12；图5.1-11；P5-2312结合项目所在区域环境空气质量现状，本项目排放污染物对环境空气的影响，晋气防办201817号、环办201430号文件相关要求，细化项目建设的环境可行性分析。细化给出本项目危险废物产生量及暂存设施介绍，明确危险废物最终排放去向。结合项目所在区域环境空气质量现状，晋气防办201817号、环办201430号文件相关要求，细化了项目建设的环境可行性分析。细化了本项目危险废物产生量及暂存设施介绍，明确了危险废物最终排放去向。P2-28;表3.4-31.概述1.1 建设项目的特点1.1.1 企业概况与项目背景1.1.1.1企业概况中科晶电信息材料（北京）股份有限公司成立于2004年，是一家具备原材料提纯、多晶合成、单晶生长、晶片加工及大规模生产各领域用、多尺寸砷化镓衬底材料能力的新材料行业国家级高新技术企业，拥有技术密集、资本密集和产业化推广的先决优势。忻州中科晶电信息材料有限公司依托“中科晶电信息材料（北京）股份有限公司”，由该公司联合具备25余年砷化镓研发和产业化生产管理经验的拥有中国科学院半导体研究所成立专门的研发中心，通过引进消化吸收来自美国、日本及台湾的制备技术，经多年大量投入，逐步掌握了全球领先的高质量高良率的砷化镓晶片制造技术，购置关键生产工艺设备并掌握改进设备性能的独家技术，完善配套设施，提高砷化镓单晶体生长及晶片加工能力，明显提升企业竞争实力，在同行业处于领军地位。1.1.1.2项目背景和意义2010年，砷化镓衬底材料行业被国务院列为战略性新兴产业，表示将在今后加快推进发展。随后的多年中，政府已不断也将持续出台更多的利好政策用以鼓励和扶持砷化镓材料的发展，这无疑表明了砷化镓材料产品的重要性，对进一步推进我国砷化镓材料产业的重点突破和整体提升，实现跨越发展具有深远意义。砷化镓，尤其是砷化镓单晶是“5G通信领域”、“国防信息化”等技术及设备的关键材料。砷化镓由于具有很高的电子迁移率、宽禁带、直接带隙、消耗功率低等特性，是LED和射频通讯的核心基础材料，已在WiFi模块、固定网络无线传输以及光纤通讯、卫星通讯（我国的北斗卫星定位）、点对点微波通讯、有限电视、汽车车灯、汽车导航系统、汽车防撞系统等方面有广泛应用。山西省加快推进新材料产业发展实施方案提出布局锂离子电池材料、碳化硅半导体、砷化镓半导体、激光导光板、太阳能超白玻璃、光伏银浆、电磁防护材料、LED外延芯片材料、石墨烯材料等新型电子材料。以高纯度、大尺寸、高均匀性、高性能、低成本、多功能和集成化为方向，培育发展集成电路及半导体器件产业应用的第三代半导体材料宽禁带半导体材料碳化硅、氮化镓、砷化镓、金刚石材料等新型硅基材料，大幅度提高原有硅集成电路性能。积极研发柔性晶体管、光子晶体、有机显示材料、各种纳米电子材料以及铜铟镓硒、铜铟硫、碲化镉等新型薄膜光伏材料，推进高效、低成本光伏材料产业化。本项目产品符合国家发改委产业结构调整指导目录(2011年本)（2013年修正）中第28类信息产业第22条“半导体、光电子器件、新型电子元器件等电子产品用材料”以及第42条“半导体照明衬底、外延、芯片、封转及其材料等”，该类别为鼓励类，本项目产品符合我国产业结构的发展。2018年6月15日，忻州经济开发区管理委员会以忻开经备案201813号文件对本项目进行了备案（见附件二，本次仅进行备案文件中东区的评价，西区后期另行评价）。1.1.2 项目建设的特点1.1.2.1 工程特点本项目采取的长晶工艺是垂直法（即VGF）。本项目产品采用先进的生产设备，依托中科晶电多年的砷化镓单晶技术积累以及经验丰富的技术人员，在产品的设计及生产过程中采用掺硅（加长型）砷化镓单晶生长技术（该技术系在