发展第三代半导体产业孵化平台工作方案.docx

发展第三代半导体产业孵化平台工作方案一、 培育优势主体，拉动产业整体规模快速扩大1、壮大龙头企业加大对重点企业的关注和扶持力度，实行一企一策，协调解决企业发展关键制约点优先将符合条件的产业链重点项目纳入山东省新旧动能转换重大项目库，充分利用好新旧动能转换政策，进行重点扶持；围绕SiC、GaN等晶体材料、功率器件和模块、照明与显示器件和下游应用等产业链关键环节，培育壮大细分行业领军企业2、融通产业环节强化需求牵引的作用，从应用端需求入手，加强从材料、芯片、器件到模块应用产业链上下游的深度合作加强省内省外行业对接合作，精准招引、实施补链、延链、强链项目沿链分批打造规模大、技术强、品牌响的领航型企业，培育细分领域的专精特新企业，促进产业链上下游、大中小企业紧密配套、融通发展，有效提升产业链供应链的稳定性和竞争力二、 保障措施（一）完善工作机制省工业和信息化厅会同相关部门做好规划的组织实施和监测评估等工作，强化统筹协调，在要素保障、市场需求、政策帮扶等领域精准发力，形成稳定、发展、提升的长效机制采取切实有效的政策措施，抓好重点任务落实各市要结合本地实际，落实相关配套政策相关行业组织要充分发挥桥梁和纽带作用，协同推动规划的贯彻落实。

有关部门、各地方、相关行业组织要加强第三代半导体产业推进工作的经验模式总结和宣传推广要督促企业建立健全生产经营全过程安全生产管理制度，守住安全底线二）加大资金支持充分发挥财税政策的激励作用，精准扶植产业发展重点支持一批应用市场广、产业基础好、易于快速产业化的第三代半导体项目，加强产融合作，鼓励社会资本通过多种方式进入第三代半导体产业领域引导第三代半导体产业与金融资本深度合作，在银行信贷、股权融资等方面为产业发展提供资本支持，形成财政资金、金融资本、社会资金多方投入的新格局三）打造产业生态做好与国家有关部门的沟通协调，加强对第三代半导体产业重大项目建设的服务和指导，有序引导和规范产业发展，降低重大项目投资风险组建第三代半导体专家委员会，为产业发展提供决策性服务成立第三代半导体产业联盟，充分发挥社会组织作用，推动产业链上下游交流合作积极争取工信部等国家部委支持，承接国际级和国家级重大论坛、展会、赛事等活动，提升行业影响力四）建设多层次人才体系依托省内山东大学等高校、科研院所、国家和省级重点实验室、重点工程中心、创新中心等机构，打造第三代半导体技术高端人才引进平台，吸引全球第三代半导体领域高端人才。

支持高校、科研院所联合企业设立人才培养基地，不断增加人才培养数量、提高人才培养质量建立健全人才培养、培训体系，有针对性地培养符合产业需求的专业人才共同开展技术研发、科技成果转移转化，形成科研薪酬激励和成果转化激励机制，完善配套措施及待遇，激发人才创新创业的动力和活力三、 坚持全产业链协同发展，提升产业整体竞争能力以技术和产品发展相对成熟的SiC、GaN材料为切入点，迅速做大第三代半导体产业规模聚焦材料、外延、芯片、器件、封装、设备和应用等第三代半导体产业链重点环节，加强产学研联合，以合资、合作方式培育和吸引高水平企业，促进产业集聚和产业链协同，推动第三代半导体在电力电子、微波电子和半导体照明等领域的应用，打造第三代半导体产业发展高地1、提升材料制备和产业化能力加速推进大尺寸SiC、GaN等单晶体材料生长及量产技术，突破SiC、GaN材料大直径、低应力和低位错缺陷等关键技术，全面提升4-8英寸GaN外延、SiC衬底单晶材料产业化能力突破超硬晶体材料切割和抛光等关键核心技术，提升4-8英寸SiC、GaN衬底材料精密加工能力加大对薄膜材料外延生长技术的支持力度，补足第三代半导体外延材料生长环节。

推动Ga2O3等新一代超宽禁带半导体材料的研发与产业化2、提升器件设计和制造能力搭建第三代半导体研发、仿真设计平台，大力扶持基于SiC、GaN等第三代半导体材料的功率、射频、以及微型发光器件及芯片设计产业，围绕SiC功率器件的新能源汽车应用和GaN功率器件的消费类快充及工业类电源市场，促进产学研合作以及成果转化，引导器件设计企业上规模、上水平推进基于GaN、SiC的垂直型肖特基二极管（SBD）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、高电子迁移率晶体管（HEMT）、大功率绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、微型发光二极管（Micro-LED）、高端传感器、以及激光器等器件和模块的研发制造，支持科研院所微纳加工平台建设大力推动晶圆生产线建设项目，优先发展特色工艺制程器件制造，在关键电力电子器件方面形成系列产品，综合性能达到国际先进水平3、提升封测技术和供给能力重点开发基于第三代半导体的功率和电源管理芯片的封装材料，解决高功率、高密度大芯片的封装可靠性技术问题，积极引进先进封测生产线和技术研发中心，推动高端封装测试工艺技术装备的研制和生产效率的提升，提高产业链配套能力4、提升关键装备支撑能力布局生长、切片、抛光、外延等核心技术装备，突破核心共性关键技术，通过关键设备牵引，实现分段工艺局部成套。

突破SiC晶体可控生长环境精准检测与控制技术、基于大数据分析的数字孪生及人工智能模拟技术，研制SiC单晶智能化生长装备并实现产业化提升清洗、研磨、切割等设备的生产能力以及设备的精度和稳定性四、 指导思想以推动第三代半导体高质量发展为主线，以应用牵引、技术驱动、协同创新、绿色发展为途径，以骨干企业为龙头，以重点产品为依托，以重大项目为抓手，优化第三代半导体产业发展布局，着力发展以SiC、GaN为主的第三代半导体材料、器件、模组及系统应用等加快补短板、锻长板，提升第三代半导体产业链整体竞争力，为推动全省新一代信息技术产业高质量发展，培育壮大现代产业体系提供有力支撑五、 发展产业孵化平台支持地市、高校联合国内外研发机构和重点企业，按照新型研发机构模式成立第三代半导体产业研究院，逐步建成国际先进、国内一流的第三代半导体科技孵化器，带动产业链上下游协同发展资料整理来源：《山东省第三代半导体产业发展十四五规划》。