士兰集科12 吋特色工艺半导体芯片制造生产线建设项目 环评报告书

福建省建设项目环境影响 报 告 表（适用于工业型建设项目）项目名称 12 吋特色工艺半导体芯片制造生产线建设项目吋特色工艺半导体芯片制造生产线建设项目 建 设 单 位(盖 章)厦门士兰集科微电子有限公司厦门士兰集科微电子有限公司 法人代表 (盖 章 或 签 字)联系人 联系电话 邮政编码 361100 环保部门填写环保部门填写 收到报告表日期收到报告表日期 编编 号号 福福 建建 省省 环环 境境 保保 护护 局局 制制 目目 录录 一、基本情况.1 二、项目由来.2 三、当地社会、经济、环境简述.3 3.1 地理位置及区域布置.3 3.2 自然环境概况.3 3.3 社会环境概况.5 3.4 环境功能区划.5 3.5 环境影响评价标准.6 3.6 环境质量现状.13 3.7 主要环境保护目标.15 四、工程分析.18 4.1 项目概况.18 4.2 项目污染源分析.45 五、环境影响分析.62 5.1 施工期环境影响分析.66 5.2 运营期环境影响分析.68 5.3 环境风险影响分析.92 5.4 退役期的环境影响分析.113 六、污染治理措施分析.114 6.1 废水污染治理措施分析.114 6.2 废气污染治理措施分析.118 6.3 噪声污染治理措施分析.121 6.4 固废污染治理措施分析.121 6.5 地下水污染防治措施分析.124 6.6 环境风险防范措施及应急预案.127 七、规划、产业政策符合性及选址合理性分析.133 7.1 产业政策符合性分析.133 7.2 规划符合性分析.134 7.3“三线一单”符合性分析.135 7.4 选址合理性分析.138 八、环保投资.139 8.1 环保投资估算.139 8.2 社会效益.140 8.3 环境影响经济损益分析.140 九、环境管理与监测计划.140 9.1 环境管理.140 9.2 污染物排放清单及管理要求.144 9.3 监测计划.149 9.4 排污申报.151 9.5“三同时”制度及环保验收.151 9.6 排污口规范化管理.156 十、总量控制.156 10.1 总量控制因子.156 10.2 水污染物总量控制指标及来源分析.157 10.3 废气总量控制指标及来源分析.157 十一、评价结论.158 11.1 项目概况和主要环境问题.158 11.2 环境质量现状分析结论.158 11.3 污染物排放情况.160 11.4 主要环境影响结论.162 11.5 环境保护措施.165 11.6 环境影响经济损益分析.169 11.7 污染物排放总量控制.169 11.8 环境可行性结论.169 11.9 评价总结论.170 12 吋特色工艺半导体芯片制造生产线建设项目报告表 1一、基本情况一、基本情况 项目名称 12 吋特色工艺半导体芯片制造生产线建设项目 建设单位 厦门士兰集科微电子有限公司 建设地点 厦门市海沧 05-12B 南部新城片区南海三路与南海五路交叉口东南侧 地理坐标 1175942.42E 242859.86N 排水去向海沧污水处理厂 建设依据 厦沧经投备（2018）705 号 主管部门厦门市海沧区经济和信息化局 建设性质 新建 行业代码C3973 集成电路制造 工程规模 占地面积 127273.378m2，总建筑面积 229401.80m2 总规模 年产 12 吋晶圆 48 万片 总投资 50 亿元 环保投资14185 万元 主要产品 名称 主要产品 产量 主要原辅材料名称 主要原辅材料现状用量 主要原辅材料新增用量 主要原辅材料预计总 用量 12 吋晶圆（T-DPMOSFE、IGBT 产品系列）24 万片/年 主要原辅材料见表 4.1-10 12 吋晶圆（T-LVMOSFE、SGT 产品系列）24 万片/年 主要能源及水资源消耗 名称 现状用量 新增用量 预计总用量 水（t/a）电（万 kWh/a）30680 30680 燃煤（t/a）/燃油（t/a）/天然气（万 m3/a）其他 /12 吋特色工艺半导体芯片制造生产线建设项目报告表 2二、项目由来二、项目由来 厦门士兰集科微电子有限公司（以下简称“士兰集科微公司”）（附件 2：营业执照）是由杭州士兰微电子股份有限公司与厦门半导体投资集团有限公司共同投资建设的有限责任公司，成立于 2018 年 2 月 1 日，注册于中国（福建）自由贸易试验区厦门片区（保税港区）海景南二路 45 号 4 楼 03 单元 F0060。经营范围：集成电路制造；光电子器件及其他电子器件制造；经营各类商品和技术的进出口（不另附进出口商品目录），但国家限定公司经营或禁止进出口的商品及技术除外；经营本企业自产产品的出口业务和本企业所需的机械设备、零配件、原辅材料的进口业务（不另附进出口商品目录），但国家限定公司经营或禁止进出口的商品及技术除外；其他未列明制造业（不含须经许可审批的项目）。公司选址厦门市海沧05-12B南部新城片区南海三路与南海五路交叉口东南侧作为 12 吋特色工艺半导体芯片制造生产线建设项目（以下简称“本项目”）用地，用地面积 127273.378，总建筑面积 229401.80。2018 年 8 月 27 日公司取得该地块的使用权出让合同（详见附件 3：厦门市国有建设用地使用权出让合同）。根据福建省发展和改革委员会 福建省重点项目建设领导小组办公室关于印发2018 年第一批参照省重点项目管理项目的通知（详见附件 4），士兰集科微公司拟建设的 12 吋特色工艺半导体芯片制造生产线建设项目列为参照省重点项目管理项目。根据建设单位提供的资料，12 吋特色工艺半导体芯片制造生产线建设项目总投资 170 亿元，共建设两条生产线，其中第一条生产线总投资 70 亿元，第二条生产线总投资 100 亿元，已于 2018 年 9 月 21 日在厦门市海沧区经济和信息化局进行了备案（详见附件 5）。根据建设单位介绍，根据建设单位介绍，12 吋特色工艺半导体芯片制造生产线建设项目规划建两条生产线，其中第一条生产线分两期建设，一期投资吋特色工艺半导体芯片制造生产线建设项目规划建两条生产线，其中第一条生产线分两期建设，一期投资 50 亿元（包括厂区的基建投资和生产线设备投资），二期投资亿元（包括厂区的基建投资和生产线设备投资），二期投资 20 亿元；本报告仅对第一条线的一期建设内容进行分析，即总投资亿元；本报告仅对第一条线的一期建设内容进行分析，即总投资 50 亿元，年产能为亿元，年产能为 12 吋晶圆吋晶圆 48 万片。万片。厂区东北角拟建一个变电站，变电站的建筑在本项目中建设，本报告不对变电站运营期产生的辐射等对环境的影响进行分析。根据建设单位介绍及环评单位技术人员现场勘查、了解，本项目用地现为空地，为新建项目。本项目从事半导体芯片制造，根据中华人民共和国环境保护法（2014 年修12 吋特色工艺半导体芯片制造生产线建设项目报告表 3订，2015 年 1 月 1 日起施行）、中华人民共和国环境影响评价法（2018 年 12月 29 日修正版）、建设项目环境保护管理条例（中华人民共和国国务院1998第 253 号令）的有关规定，以及建设项目环境影响评价分类管理名录（修改单）（2018 年 4 月 28 日起施行）等文件的有关规定，本项目属于“二十八、计算机、通信和其他电子设备制造业”，应编制环境影响评价报告表（具体见表 2.1-1）。为此，委托福建闽科环保技术开发有限公司编制12 吋特色工艺半导体芯片制造生产线建设项目环境影响评价报告（附件 1：委托书）。表表 2.1-1 项目类别表项目类别表 环评类别项目类别环评类别项目类别 报告书报告书 报告表报告表 登记表登记表 二十八、计算机、通信和其他电子设备制造业 82 电子器件制造/显示器件；集成电路；有分显示器件；集成电路；有分割、焊接、酸洗或有机溶剂割、焊接、酸洗或有机溶剂清洗工艺的清洗工艺的 其他 三、当地社会、经济、环境简述三、当地社会、经济、环境简述 3.1 地理位置及区域布置地理位置及区域布置 项目选址于厦门市海沧 05-12B 南部新城片区南海三路与南海五路交叉口东南侧。项目东侧是厦门士兰明镓化合物半导体有限公司用地，南侧是规划科研工业用地，西侧是规划科研工业用地，北侧隔南海三路为厦门芯舟科技公司用地，距离项目较近的村庄为西南侧约 340m 待拆迁的大埕村。建设项目地理位置图见附图 3-1，周边环境示意图见附图 3-2，项目周边环境现状照片见附图 3-3。3.2 自然环境概况自然环境概况 3.2.1 气候气象气候气象 厦门市属亚热带海洋性季风气候，具有温暖潮湿、光照充分、季风影响频繁和台风季节长等特点。本地区一年四季气候温和，夏无酷暑、冬无严寒，雨量充沛，降水受季风控制，有明显的干、湿季之分。厦门地区多年平均气温 20.3左右，近年极低气温为 1.5，极端最高 37.1，高于 35及低于 5时不多。厦门降水量在1000-2000mm，近五年最大降水量 1768mm，出现在 2000 年；厦门地区全年盛行风向偏东，近五年平均风速 2.3-3.0m/s，1997 年平均风速最小，只有 2.3m/s，厦门海岛风最大，近五年中出现的最大风速为 25.3m/s，出现在 1999 年 10 月；全年日照时数12 吋特色工艺半导体芯片制造生产线建设项目报告表 4约 2100-2500 小时，日照百分率 4851%，优于同纬度内陆地区。海沧区位于厦漳泉闽南金三角地区的突出部，与厦门岛隔海相望，属亚热带海洋季风气候，年均气温 21，最高月均气温 28.5，最低月均气温 12.5，极端最低气温 2，极端最高气温 38.5，年均日照时间 2233.5 小时。全年降雨量多集中在 39 月份，占全年降雨量的 80%以上。多年平均降雨量 1143.5mm，年最大降雨量 2296.4mm，各地降水分布不均，一般山区多于沿海，79 月份为台风暴雨季节，年平均台风（热带风暴）4 次。3.2.2 地形地貌地形地貌 海沧区属丘陵地带，中部偏北有蔡尖尾山（海拔高 381.6m）、文圃山（海拔高422.2m）、太平山（海拔 237.6m），把海沧区分为南面海沧新市区、南部工业区，和北面的新阳工业区两片平原，及原属杏林区的大片平原东孚工业区。蔡尖尾山山南除东南角京口岩山（海拔 137.9m）外，其余地形比较平坦开阔，便于成片开发，是开发建设的主要用地。蔡尖尾山山南的南部工业区和海沧新市区为剥蚀残丘所形成的丘陵地及沿海的海积小平原。在丘陵地之间，夹有不规则的冲沟，大的地形走势为北高南低，区内地形起伏较大。西部地形自北向南倾斜，场地自然标高约 48m，沿海地区约为 13m，最高基岩裸露山丘标高为 77m，自然坡度约 0.280.32%。东部地形呈东南坡向，自然坡度约为 0.240.47%，标高约 69m，局部山丘为 34m，海滩洼地标高为1.22m。东南角的京口岩山，其最高点标高 137.9m，周围可用地的自然标高相差悬殊，西侧为 440m，东北侧为-0.60.5m。沿海地带东起嵩屿，西至青礁，除局部有岛礁外，大部分地势为低隆滩地及浅海区。3.2.3 地质特征地质特征 区域位于闽东南沿海变质带（大陆边缘拗陷带）附近，该构造带位于福建东南沿海，沿长乐南澳深断裂带呈长条带状分布，西与福鼎云霄断陷带相邻，东濒台湾海峡，北入海域，南延广东南澳岛，长达 400 公里，宽 3858 公里，为一典型的中生代低压型区域变质带，区域下伏的基岩岩性为燕山早期混合二长花岗岩（m52(3)）。3.2.4 水文水文 海沧区内无河流，地表水体以水库、池塘为主，本区分布了大大小小十几个水库，以古楼水库容量最大。本地区地下水属潜水型，尚未发现有承压性地下水。地12 吋特色工艺半导体芯片制造生产线建设项目报告表 5下水补给来源主要为大气降水，其次是北部山区岩面的潜流。场地内地下水的径流方向基本与地表水流向一致，即大部分地区由北向南，部分地区由西向东，最终排入大海。地下水位等高线基本与地形等高线相似。场地内地下水位的变化直