数电64学时课件第7章
22页1、概 述,第 7 章 半导体存储器,本章小结,随机存取存储器(RAM),只读存储器(ROM),了解 ROM 的类型和结构,理解其工作原理。,理解字、位、存储容量等概念。,了解 RAM 的类型、结构和工作原理。,了解 RAM 的扩展方法。,主要要求:,7.1 概述,分类:,本章介绍存储器的结构、工作原理和应用。,例如计算机中的自检程序、初始化程序便是固化在 ROM 中的。计算机接通电源后,首先运行它,对计算机硬件系统进行自检和初始化,自检通过后,装入操作系统,计算机才能正常工作。,*半导体存储器的类型与特点,例如 计算机内存就是 RAM,ROM 在工作时只能读出信息而不能写入信息。它用于存放固定不变的信息,断电后其数据不会丢失。常用于存放程序、常数、表格等。,*半导体存储器的作用,存放二值数据,按材料分类 1) 磁芯存储器软磁盘、硬盘 2) 光盘存储器CD、DVD 3) 半导体存储器RAM、ROM,RAM 既能读出信息又能写入信息。它用于存放需经常改变的信息,断电后其数据将丢失。常用于存放临时性数据或中间结果。,按数据写入方式不同分,一、ROM 的类型及其特点,写入的数据可电擦除,用户可以
2、多次改写存储的数据。使用方便。,其存储数据在制造时确定,用户不能改变。用于批量大的产品。,其存储数据由用户写入。但只能写一次。,写入的数据可用紫外线擦除,用户可以多次改写存储的数据。,7.2 只读存储器(ROM),1. 固定(掩模)ROM,1. 结构,2. 工作原理 以二极管构成的固定ROM为例。,二、ROM 的结构和工作原理,存储容量及其表示,一般用“字数 字长(即位数)”表示,2. PROM(以三极管结构为例),熔丝断开后不可恢复, 所以是一次性编程!,3. 可重复擦写式ROM,总体结构同PROM,只是存储单元采用了FAMOS(浮栅雪崩注入式MOS管),用紫外线照射时,浮栅上电子形成光电流释放掉,对应擦除过程。,擦除时间长,约1020分钟 整片擦除 写入一般需要专门的工具 擦除操作复杂,擦除速度很慢,(1) EPROM(光擦除可编程ROM),(2)EEPROM, E2PROM(电擦除),存储单元采用了Flotox管(浮栅隧道氧化层MOS管)。擦除和写入需要加高电压脉冲。,(3)快闪存储器(FLASH ROM),也是电擦除,存储单元采用叠栅MOS管。 FLASH ROM既吸收了EPR
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