微波固态电路第四章
131页1、第四章,微波混频器和检波器,主要内容,肖特基势垒二极管和检波二极管 微波混频器工作原理 微波混频器的基本电路 镜像回收混频器 毫米波混频及谐波混频 微波集成检波器,4.1 引 言,混频器是利用非线性或时变元件来达到频率变换的目的。 检波器是利用固态器件的非线性来产生直流或低频电流及电压,用以检测微波功率。 混频器是微波集成电路接收系统中必不可少的部件。 检波器是微波指示设备中最常用的部件。 微波集成混频器基本上采用肖特基势垒二极管做变频元件。,4.1 引 言,从电路结构形式来看,混频器有单管式混频、两管平衡式混频和多管式混频。 单管式混频只用一支二极管,结构简单,成本低,但噪声高,抑制干扰能力差,在要求不高处可以采用。 平衡式混频器借助于平衡电桥可使本机振荡器的噪声抵消,因而噪声性能得到改善,电桥又使信号和本征之间达到良好隔离,因此平衡混频器是最普遍采用的形式。 多个二极管的混频器,比如管堆式双平衡混频器、镜频抑制混频器等是为特殊要求而设计的,可用于多倍频程设备、镜频能量回收或自动抑制镜频干扰。,4.2 肖特基势垒二极管和检波二级管,金属-半导体结(肖特基势垒结)的工作原理,(a) 金
2、属的能带示意图 (b) N型半导体的能带示意图 金属和N型半导体在接触前各自的能带示意图,肖特基势垒二极管,处于不同能级状态的电子如果获得足够的能量,就会脱离原子核的束缚,逸出并形成热电子发射,这是物体又一属性。定义起始能量为费米能级的电子逸出所需的最小能量为物体的逸出功,或称为功函数W,即定义逸出功为真空中静止电子的能量与费米能级之差。 EF统一的结果,使M-S交界处的能带发生弯曲,意味着电子位能由N区向金属区逐渐升高,从而形成一个势垒,阻挡电子从半导体流向金属。该势垒高度就是半导体和金属的相对差值 为势垒电位差(或称接触电位差,内建电位差)。,肖特基势垒二极管,我们通常所说的肖特基表面势垒,指的是在半导体一侧的势垒高度 ,而金属-半导体结二极管通常称为肖特基势垒二极管。,热平衡时金属-半导体结的能带图,肖特基势垒二极管,外加电压作用下的单向导电特性,(a)加正偏置 (b) 加反偏置 M-S结在外加电压作用下的情况,肖特基势垒二极管,肖特基势垒二极管的基本物理结构是M-S结,其主要物理过程以多数载流子的运动为基础,因此被称为“多子器件”。它与以少数载流子的扩散运动为基础的PN结二极管
3、的特性既很相似,又有所不同,可比较如下: 伏安特性与结电阻 结电容 串联电阻 击穿电压,M-S结与PN结I-V特性比较,肖特基势垒二极管的结构、 等效电路与主要参数,(a)点接触型 (b)面接触型(面结合型) 肖特基势垒二极管管芯结构,肖特基势垒二极管的结构、 等效电路与主要参数,肖特基表面势垒二极管优于点接触二极管,主要在于: 点接触管在制作时形成的是不完善的肖特基势垒,而面接触则形成的是完善的肖特基势垒。 不同的点接触管在压接时压力可能不同,使肖特基结的直径不同,因此性能一致性差,可靠性也差;而平面工艺使结直径、金属膜厚度等均能严格控制,因而管子性能一致性好,便于设计使用。 以上两个优点表现为I-V特性中的工艺修正系数n有所不同。点接触型n1.4,而面接触型n=1.051.1,因此非线性特性较陡。此外,面接触型管的噪声性能也有改善。,肖特基势垒二极管的结构、 等效电路与主要参数,微波混频二极管的典型封装结构及其等效电路如图所示,(a) 面接触型微带式封装结构 (b) 等效电路 混频二极管的封装结构及等效电路,肖特基势垒二极管的结构、 等效电路与主要参数,M-S结二极管的截止频率较高
4、,定义 为 二极管作为混频管使用时主要参数有以下几点: 变频损耗 、噪声温度比 、中频阻抗 及其他。 噪声温度比(简称噪声比):二极管的总输出噪声资用功率与其等效电阻在相同温度下热噪声资用功率kTB之比。 若Rs很小,且Rs Rj ,则上式简化为: 噪声来源与晶体管同,来源有三部分:散粒噪声、热噪声和闪烁噪声。,检波二极管,检波二极管多用PN结和肖特基势垒二极管。 因微波信号一般比较微弱,所以要求检波二极管的灵敏度很高,检波二极管的输出电压由视频放大器放大,这样就构成了晶体视频接收机,其灵敏度虽低于超外差接收机,但结构简单,也有不少重要用途。,检波管等效电路,检波二极管,检波二极管的IV特性为 式中,IS为二极管的的反向饱和电流,典型值从10-1610-13A不等,且受势垒高度、结面积和温度影响;V是二极管结两端的电压;q是电子电荷; k是波尔兹曼常数;T是绝对温度;n是理想因子,用来计入不可避免的结缺陷和其他热电子发射之外的次要效应,它总是大于1的,并且应该小于1.2。 检波二极管的结电容也随外加电压而变化: 式中, 是零偏压时的结电容; 是二极管势垒电位; 是电容非线性系数,一般为
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