模拟电子技术基础3
35页1、场效应晶体管及其电路分析,第一篇 电子器件基础,1.3.1场效应晶体管结构特性与参数,1、绝缘栅场效应管(IGEFT),NMOS增强型结构示意图与电路符号,(2)三个集:源集,栅(门)集,漏集,(1)二个PN结:衬源,衬漏,工艺特点:,源漏高掺杂,栅绝缘电阻大,NMOS结构,1、绝缘栅场效应管(IGEFT)(续),PMOS增强型结构示意图与电路符号,(2)三个集:源集,栅(门)集,漏集,(1)二个PN结:衬源,衬漏,工艺特点:,源漏高掺杂,栅绝缘电阻大,2、NMOS增强型工作原理,(1)VGS增加形成反型层,大于VT产生沟道,漏源之间形成导电通路,*衬源和 衬漏之间加反向偏置*,2、NMOS增强型工作原理(续1),(2)加入VDS形成漏源电流,2、NMOS增强型工作原理(续2),(3)继续加大VGS, 沟道变宽,沟道R变小,ID增加,*场效应管是电压控制型器件*,*场效应管导电由N+的多子形成,单极型器件,T特性好*,NMOS工作原理1,2、NMOS增强型工作原理(续3),(4)继续加大VDS, ID适当增加,源-漏电位逐步升高,沟道预夹断,2、NMOS增强型工作原理(续4),(5)预
2、夹断后继续加大VDS,沟道夹断,ID恒定,*漏源增加的电压降在夹断区*,NMOS工作原理2,3、N沟道耗尽型MOSFET,(1)SIO2中预埋正离子,(3)GS负到V GS(off)(VP示),沟道消失,(2)VGS=0时就存在内建电场,形成沟道,4、结型场效应管(JFET),(1)N沟道和P沟道JFET结构与符号,*JFET正常工作时,两个PN结必须反偏 *,*NJFET *,*PJFET *,(2)N沟道JFET的工作原理,*VDD=0,沟道宽度随VGG增而窄,沟道R增,ID降,耗尽型*,(2)N沟道JFET的工作原理(续1),*VGG不变,VDD增加,沟道上窄下宽ID线性增,直至预夹断*,*初始沟道宽度由VGG决定*,(2)N沟道JFET的工作原理(续2),*VGG不变,预夹断后VDD增加,增加的电压降在沟道上,ID不变*,5、场效应管类型,(1)绝缘栅型(Insulated Gate Type) FET,N沟道(Channel)增强(Enhancement)型MOS,N沟道耗尽(Depletion)型MOS,P沟道增强型MOS,P沟道耗尽型 MOS,(2)结型(Junction
《模拟电子技术基础3》由会员suns****4568分享,可在线阅读,更多相关《模拟电子技术基础3》请在金锄头文库上搜索。
土地管理与地籍测量---第八章界址点测量
人机工程学案例分析(2)
工程安全培训_201303
第9章房地产投资决策分析
第2章房地产经纪制度
ACM程序设计-东北林业大学acm05
《亲爱的汉修先生》读书交流会
中原_深圳新世界尖岗山项目市场汇报_40P_2012年_别墅_项目分析_量价走势
五年级数学质量分析演示文稿
人工智能小镇-智慧小镇建设20180525
景观基本知识及发展历程
建设工程信息管理(2)
机电驱动技术第二章步进驱动技术
工程力学-第9章圆轴扭转时的应力变形分析与强度刚度设计
第一章第二节幼儿园文化环境建设的原则
第一章检测技术的基础知识
第一章__现代表面工程技术
第六章钢结构工程
第9节项目试运行管理
班主任工作经验交流课件(4)
2023-12-11 28页
2023-12-11 28页
2023-12-11 27页
2023-12-11 31页
2023-12-11 27页
2023-12-11 27页
2023-12-11 33页
2023-12-11 28页
2023-12-11 26页
2023-12-11 29页