电气控制及PLC第2版 教学课件 ppt 作者 周军 主编 PLC_PPT12
15页1、1,电气控制及PLC,第十二章 交流调速系统,2,目的和要求: 了解全控型功率电子器件,掌握交流电动机的调速原理,了解常用的几种交流调速系统。,3,目 录,第一节 全控型功率电子器件 第二节 交流调速原理 第三节 异步电动机调速方法,4,第一节 全控型功率电子器件,一、门极可关断晶闸管(GTO) GTO具有三个极,分别是阳极K、阴极T和门极G,GTO的开通控制像普通晶闸管那样,可用单个门极脉冲电流开通,但它又具有在负脉冲门极电流的作用下自关断的能力,所以可通过门极控制电路的作用强迫关断而不必非要主电流下降到小于维持电流才能关断。 可以省去用普通晶闸管构成逆变器时通常所需要的强迫换流电路,因而简化了变流器的结构,改善了性能。但GTO的关断增益较低,并且对门极驱动电路的要求较高。 目前GTO在变流技术中得到了广泛应用。,5,二、大功率晶体管(GTR) GTR即巨型晶体管,与小功率晶体管相似,三个极是发射极E、基极B和集电极C。在交流伺服控制系统中得到了十分广泛的应用。 大功率晶体管保持通态时需要持续的基极驱动电流,而且电流增益较低,但可以通过基极控制关断。大功率晶体管可以工作于较高的开关频
2、率,通常其基极驱动电路比较复杂,但能通过基极驱动电路提供加速开通和关断、限流保护、防止过饱和等功能。在直流电压型逆变器和斩波器中应用较多。 目前,在交流伺服控制器的主电路中,大都采用由达林顿功率晶体管组成的模块,使主电路结构简化,便于安装使用。,6,三、功率场效应晶体管(MOSFET) MOSFET是一种电压控制多数载流子的电力半导体器件,它的三个极是源极S、漏极D和栅极G,在高频小功率场合得到了越来越广泛的应用。 一种电压控制器件,用一个相对于源极端为正的电压加到栅极上,在其内部便感应出一个N型沟道,在外加电压的作用下,电子流便从源极流向漏极、形成漏极电流。 电路阻抗非常高,从信号源电路吸取的电流非常小。由于这种特点,使得MOSFET有可能直接用CMOS或TTL逻辑电路来驱动。,7,四、绝缘门极晶体管(IGBT) 交流调速装置在不断开发出的各种快速、高压、大电流、低驱动功率的功率电子器件的支持下,不断向小型化、轻型化、高效化和无噪声化发展。 但常用的功率晶体管和功率场效应晶体管都有其不足之处。根据目前的技术水平,功率晶体管比较容易实现高电压大电流化,而难以实现高速化;MOSFET容易
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