半导体器件物理 教学课件 ppt 作者 顾晓清 王广发 三
87页1、第 3 章,晶体管的直流特性,3.1 概述 3.2 平面晶体管的电流放大系数 及影响电流放大系数的因素 3.3 晶体管的反向电流 3.4 晶体管的击穿电压 3.5 晶体管的基极电阻 3.6 习题, 晶体管的基本结构 平面晶体管的电流放大系数 晶体管的直流特性 晶体管的反向电流,晶体管(半导体三极管)是由两个P-N结构成的三端器件。由于两个P-N结靠得很近,其具有放大电信号的能力,因此在电子电路中获得了比半导体二极管更广泛的应用。(半导体二极管由一个P-N结构成,利用P-N结的单向导电性,二极管在整流、检波等方面获得了广泛应用。)本章将在P-N结理论的基础上,讨论晶体管的基本结构、放大作用以及其他一些特性,如反向电流、击穿电压、基极电阻等。,3.1 概述,晶体管的种类很多,按使用的要求,一般分为低频管和高频管,小功率管和大功率管,高反压管和开关管等等。 但从基本结构来看,它们都由两个十分靠近的,分别称为发射结和集电结的P-N结组成。 两个P-N结将晶体管划分为三个区:发射区、基区和集电区。由三个区引出的电极分别称为发射极、基极和集电极,用符号E、B、C(e、b、c)表示。 晶体管的基本形
2、式可分为PNP型和NPN型两种。,合金管,合金管是早期发展起来的晶体管。其结构是在N型锗片上,一边放受主杂质铟镓球,另一边放铟球,加热形成液态合金后,再慢慢冷却。冷却时,锗在铟中的溶解度降低,析出的锗将在晶片上再结晶。再结晶区中含大量的铟镓而形成P型半导体,从而形成PNP结构,如图所示。图中Wb为基区宽度,Xje和Xjc分别为发射结和集电结的结深。 合金结的杂质分布特点是:三个区的杂质分布近似为均匀分布,基区的杂质浓度最低,且两个P-N结都是突变结。 合金结的主要缺点是基区较宽,一般只能做到10微米左右。因此频率特性较差,只能用于低频区。,平面管,在高浓度的N+衬底上,生长一层N型的外延层,再在外延层上用硼扩散制作P区,后在P区上用磷扩散形成一个N+区。 其结构是一个NPN型的三层式结构,上面的N+区是发射区,中间的P区是基区,底下的N区是集电区。,P57,平面晶体管的发射区和基区是用杂质扩散的方法制造得到的,所以在平面管的三层结构即三个区域的杂质分布是不均匀的。 其杂质分布可根据扩散工艺推算出来,如图所示。,P57,晶体管的基区杂质分布有两种形式: 均匀分布(如合金管),称为均匀基区
3、晶体管。均匀基区晶体管中,载流子在基区内的传输主要靠扩散进行,故又称为扩散型晶体管。 基区杂质是缓变的(如平面管),称为缓变基区晶体管。这类晶体管的基区存在自建电场,载流子在基区内除了扩散运动外,还存在漂移运动,而且往往以漂移运动为主。所以又称为漂移型晶体管。,小结,晶体管中载流子浓度分布及传输,设发射区、基区和集电区的杂质皆为均匀分布,分别用NE、NB、NC表示,且NE远大于 NB大于NC。,We 发射区宽度 Wb 基区宽度 Wc 集电区宽度 Xme 发射结势垒 宽度 Xmc 集电结势垒 宽度,VDE 发射结的接触电势差 VDC 集电结的接触电势差 由于平衡时费米能级处处相等,因而基区相对于发射区和集电区分别上移qVDE和qVDC。,当晶体管作为放大运用时 发射结加正向偏压VE 集电结加反向偏压VC,发射结势垒由原来的qVDE下降为q(VDE-VE) 集电结势垒由qVDC升高到q(VDC+VC),NPN晶体管作为放大应用时,少数载流子浓度分布示意图,发射结正偏,发射区将向基区注入非平衡少子。注入的少子在基区边界积累,并向基区体内扩散。边扩散,便复合,最后形成一稳定分布,记作nB(x)
4、。同样,基区也向发射区注入空穴,并形成一定的分布,记作pE(x)。 集电结反偏,集电结势垒区对载流子起抽取作用。当反向偏压足够高时,在基区一边,凡是能够扩散到集电结势垒区XmC的电子,都被势垒区电场拉向集电区。因此,势垒区边界X3处少子浓度下降为零;同样,在集电区一边,凡是能够扩散到XmC的空穴,也被电场拉向基区,在X4处少子浓度也下降为零,其少子浓度分布为pC(x)。,晶体管中的载流子传输示意图,因发射结正偏,大量电子从发射区注入到基区,形成电子电流InE。如基区很薄,大部分电子都能通过扩散到达集电结边界,并被集电极收集,形成集电极电子电流InC。由于通过基区的电子是非平衡载流子,因此在基区中,电子将一边扩散,一边和基区中的空穴复合,形成体复合电流IVR。显然,体复合电流是垂直于电子电流流动方向的多数载流子电流。同时,基区也向发射区注入空穴,形成发射结的反注入空穴电流IpE。这股空穴电流在发射区内边扩散边复合,经过扩散长度LpE后基本复合消失,转换成电子电流。另外,在集电结处还有一股反向饱和电流ICB0。,综上所述可知,通过发射结有两股电流,即InE和IPe,所以, 发射极电流 IE
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