9月14日操盘实战同步提示

1、9月14日操盘实战同步提示9月14日操盘实战同步提示2011年09月14日【流通股本，亿股】：6.557 从基本面看，符合封起大哥说的“三低、四新”概念，值得中长线跟踪！ (长期看好三大新材料技术股 http:/ ml) 外观像透明玻璃，厚薄似一张纸，大小如一次性纸杯杯底日前，记者在苏州天科合达蓝光半导体有限公司看到了该公司的产品：一片2英寸大的“碳化硅晶片”。可别小看这片圆圆的“小东西”，它是第三代半导体的核心材料，一片就可以做成40万个LED芯片，身价非常昂贵，可以卖到200美金，比同等重量的黄金要贵上10倍！据悉，目前全球生产这种碳化硅晶片的企业不超过10家，天科合达是国内唯一一家碳化硅晶片生产企业，打破了国外垄断，填补了国内空白。今年，公司的产量可以达到全球第三。 碳化硅晶片的应用 与Si和GaAs为代表的传统半导体材料相比，碳化硅(SiC)半导体在工作温度、抗辐射、耐高击穿电压性能等方面具有很大优势,可广泛应用于电子、航天、军工、核能等领域，被看作是取代硅和砷化镓来制作芯片的第三代半导体材料，而把碳化硅晶体加工成晶片的工艺十分复杂。我国对碳化硅晶体的研究起步较晚，对于晶片加工

2、的研究更是远远落后于国际水平，长期以来一直受制于西方国家。 新能源新材料的运用中，LED碳化硅衬底性能远优于蓝宝石衬底，导致Sic衬底的LED外延和芯片全球产能较小的主因是Cree公司的垄断。 军事上的相控阵雷达，基于碳化硅（SiC）高功率收/发模块，由于其耐热性提高，SiC能提供比通常采用的材料更高的功率，因此雷达探测距离更远，目标分辨率更高，目标识别更精确。 家用电器方面，三菱、松下、东芝等大规模扩大生产线，生产节能型微波炉、冰箱、空调等能所用芯片，能够大幅度提高节能效率达20-30； 混合动力汽车市场方面预计3-5年之后增长率会有大幅提高 IGB领域，高速铁路如果用硅基IGBT，需要配备一个很大的冷却装置；但如果使用碳化硅器件冷却装置就可以小型化甚至可以省去，这对高速列车而言很有吸引力。 预计5年后全球需求量比现在有 十倍以上 的增长。 Cree很多专利2010-2011年到期，专利壁垒被削弱 . 苏州天科合达的母公司天富热电股份有限公司是一家上市公司，也是国内首家成功实现碳化硅晶体产业化的企业。天科合达股本结构 天富热电占40.8，天华投资占20，中科院物理所24，碳化硅发明人

3、陈小龙占9.6，北京林华科技公司5.6。 作为其下属企业和下游企业，苏州天科合达借助中科院物理所的强劲研发实力，成功破解了晶体加工的技术难关。“我们的技术创新体现在两个方面。一是采用了最先进的抛光工艺，填补了国内没有高精度超硬度晶体加工工艺的空白；二是采用了特殊的后热处理技术，可以使晶片面型更好，通俗地说就是表面看上去更平，并且还可以降低晶片电阻率以及提高晶片电阻的均匀性，这些都是国内独创的。”天科合达的常务副总经理黄志伟告诉记者。 去年6月，天科合达在苏州科技城建成了国内唯一一条碳化硅晶片生产线，实现了研磨、抛光、清洗、封装一条龙生产。经过科技攻关，目前公司已经研发成功了2英寸、3英寸、4英寸3种尺寸的晶片，研发成果和该行业排名全球第一的美国Cree公司同步。据悉，一张4英寸的碳化硅晶片，售价可以高达1000美金。黄志伟表示：“碳化硅晶片的国产化意义非同一般，它标志着我国结束了长期依靠进口价格昂贵的碳化硅晶片来发展第三代半导体产业的历史，将大大推动我国电子信息产业的发展。” 由于天科合达的产品质量做到了可以和国际大公司媲美，售价却又远远低于国外的同类型产品，故而市场开发十分顺利。目前

4、，公司产品已经遍及除非洲、南美洲以外的世界各地。到去年年底，苏州天科合达的产量已经达到了全球第四名。2010年，天科合达的碳化硅晶片年产量有望达到3万片，将进入全球生产企业产量前三甲。 一个网友收集的关于天富热电的资料： 一、 关于石墨烯的制备和碳化硅（SiC） 石墨烯的制备 方法主要有两类： 机械方法和化学方法。机械方法包括微机械分离法、取向附生法和加热碳化硅（SiC）的方法；化学方法是化学还原法与化学解理法。 其中，加热碳化硅（SiC）的方法是通过加热单晶6H-SiC脱除Si，在单晶(0001) 面上分解出石墨烯片层。详细过程是：将经氧气或氢气刻蚀处理得到的样品在高真空下通过 电子轰击加热，除去氧化物。用俄歇电子能谱确定表面的氧化物完全被移除后，将样品加热使之温度升高至12501450后恒温1min20min，从而形成极薄的石墨层，经过几年的探索，Berger等人曾经能可控地制备出单层或是多层石墨烯。其厚度由加热温度决定，但制备大面积具有单一厚度的石墨烯比较困难。加热SiC的方法是一条以商品化碳化硅颗粒为原料，通过高温裂解规模制备高品质无反对（Free standing）石墨烯 材

5、料的新途径。通过对原料碳化硅粒子、裂解温度、速率以及气氛的控制，可以实现对石墨烯结构和尺寸的调控。这是一种非常新奇、对实现石墨烯的实际 应用非常重要的制备方法。 经过数十年不懈的努力，目前，全球只有少数的大学和研究机构研发出了碳化硅晶体生长和 加工 技术。在产业化方面，只有少数几家 公司能够提供碳化硅晶片，海内的碳化硅晶片的需求大多赖于进口。目前，全球 市场上碳化硅晶片 价格昂贵。 从公开资料上看，目前我国能生产碳化硅（SiC）的 企业有天富热电（600509）、东方钽业（000962）和新大新材（300080）。其中天富热电（600509）是唯一能生产碳化硅（SiC）晶片的公司，其生产的碳化硅晶片可用于制备石墨烯的原料。而后两个公司生产的是刃料级的碳化硅。因此，假如采用这种方法生产石墨烯，在国内只能由天富热电提供原料。天富热电的碳化硅（SiC）晶片由公司旗下的天科合达蓝光半导体公司生产，年产能是3万片。截止2010年，公司的碳化硅晶片业务业绩盈亏持平。目前，公司没有接到碳化硅晶片的大订单。如果，我国加热碳化硅（SiC）的方法能研究成功并产业化，那么公司的碳化硅晶片业务或将迎来爆发性增

6、长。 二、关于上海合达炭素材料 有限公司 上海合达炭素材料有限公司，目前以超级电容器活性炭(比表面积2100 m2/g)）和石油焦沥青基球形活性炭（比表面积1200 m2/g）为主导 产品。由天富热电（600509）和华东理工大学合资组建，注册资本3700万元。公司以天富热电的资金优势和治理优势为依托，结合华东理工大学的技术优势和人才优势，形成了国内首家专业致力于高性能活性炭材料研究、开发和生产的高新技术企业。公司目前以超级电容器活性炭(比表面积2100 m2/g)）和石油焦沥青基球形活性炭（比表面积1200 m2/g）为主导产品。其中，超级活性炭已于2007年10月在新疆石河子市天富开发区建成年产50 吨的生产线，产品主要用于超级电容器电极材料。石油焦沥青基球形活性炭主要用于药品、医药 工业、军事防化、空气净化、超纯水处理、污水处理、溶剂回收、催化剂载体、血液净化、半导体厂房、洁净室等高端领域。 经龙之股团队向公司核实，该公司没有研制石墨烯。 三、关于北京天科合达蓝光半导体公司 北京天科合达蓝光半导体公司是天富热电（600509）的孙公司。公司专业从事第三代半导体碳化硅晶片的研发、生

7、产和销售的高新技术企业。公司依托于中国科学院物理所十余年在碳化硅领域的研究成果，集技术、管理、市场和资金优势，并获得国家自然科学基金、中国科学院、 科技部和国家其他部门的研究资金的大力反对。经过多年卓有成效的研究，公司研发出拥有自主知识产权的碳化硅晶体生长炉和碳化硅晶体生长、加工技术和专业设备，建立了完整的碳化硅晶片生产线。其相关专利技术已被国家知识产权局授权。 公司拥有实力雄厚的管理团队和技术团队 一支由海外归国和国内专家教授组成的经营团队主导公司的全面运营管理、产品的全球市场销售、碳化硅晶体生长和晶片加工生产 拥有多年国际销售经营经验（包含光半导体市场）的海外归国博士 拥有多年晶片加工工业化生产经验的美国硅谷归来的专家 拥有多年晶体材料生长经验的专家、首席执行官（CEO）陈小龙教授（中科院物理所），博士生导师，国家衍射数据中央（ICDD)，中国区主席，中国晶体学会副理事长，中国物理学会理事，在宽禁带半导体材料，单晶材料生长，新型光电材料和晶体结构等方面拥有着15年的研究经验。研发技术团队中3名教授，4名博士人员，7名硕士人员。公司的要害技术自行研发， 设计制造了碳化硅晶体生长的设备

8、，采用创新的技术路线实现碳化硅晶体生长高温区等关键晶体生长条件的产生和控制。自行研发了碳化硅单晶生长的关键技术：碳化硅晶体生长区的最佳温度和温度梯度及其精确控制和调节、载气流量和气压的稳定保持、以及籽晶和原料的特别处理。自行研发了碳化硅晶片加工的关键 工艺技术：针对超硬的碳化硅，选取适当种类、粒度和级配的磨料以及适当的加工设备来切割、研磨、抛光；碳化硅晶片的抛光（CMP）。建成了百级超净室，开发出碳化硅晶片表面处理、清洗、封装等工艺技术，使产品达到了即开即用的水准。公司结构天科合达立足于国内迅速 发展的碳化硅半导体产业，批量生产符合国际标准的碳化硅晶片。 公司总部：位于北京中关村高科技园区 晶体研发中心：建在北京中关村中科院物理所内 晶体生长基地：建在新疆石河子天富高科技园区 - 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 晶体加工基地：建在苏州科技城 - 苏州天科合达蓝光半导体有限公司 四、关于陈小龙 男，1964年5月生，北京天科合达蓝光半导体公司CEO、理学博士、中国科学院物理研究所研究员，博士生导师，中国晶体学会副理事长，国际衍射数据中心（International Center for

9、Diffraction Data）中国区主席，北京科技大学、北京航空航天大学、中国地质大学（北京）兼职教授。 主要研究方向 新光电功能材料探索及晶体生长。 过去的主要 工作及获得的成果曾长期从事高温氧化物超导体、相关系、晶体结构和物性的研究及多晶X射线衍射结构 分析方面的研究。 1997年至今开展了宽带隙半导体单晶，激光晶体，非线性光学晶体生长，低维材料制备和物性方面的研究。已在国内外重要学术刊物上发表论文100余篇；有40个化合物的衍射数据被国际衍射数据中心收为标准衍射数据。 1999年国家杰出青年基金获得者， 2003年转为中国科学院“百人计划”， 目前的研究课题及展望 1.宽带隙半导体GaN，SiC等晶体生长及其低维材料的制备和物性； 2.新型激光晶体，非线性光学晶体的探索，晶体生长和物性； 3.多晶X射线结构分析和应用。 4.晶体生长机理研究。 目前主持国家自然科学基金重点基金，国家863计划基金，杰出青年基金，面上基金和石墨烯的可控制备、物性与器件研究等 项目。 五、关于“石墨烯的可控制备、物性与器件研究”项目 首席科学家：陈小龙中国科学院物理研究所 起止年限： 2011.1 至 2015.8 依托部门：中国科学院 课题1：高质量石墨烯的可控制备 课题2：石墨烯的掺杂、修饰与物性调控 课题3：石墨烯的结构与基本物性 课题4：石墨烯的功能器件 2011年1月，“石墨烯的可控制备、物性与器件研究”列入国家973计划。经龙之股团队核实，该项目完全属于中国科学院，和天富热电（600509）没有任何关系。 六、结论 天富热电（6005

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