复习课件2014模电
37页1、2014模电复习课件,1. 比例运算电路,电压并联负反馈,(1)反相比例运算电路,利用虚短和虚断得,输出与输入反相,2.3 基本线性运放电路,1. 比例运算电路,电压串联负反馈,(2)同相比例运算电路,利用虚短和虚断得,输出与输入同相,电压跟随器,2. 加法电路,根据虚短、虚断和N点的KCL得:,若,则有,(加法运算),输出再接一级反相电路,可得,3. 减法电路,第一级反相比例,第二级反相加法,(1)利用反相信号求和以实现减法运算,即,当 时,得,(减法运算),多余电子,磷原子,在常温下即可变为自由电子,失去一个电子变为正离子,硼原子,接受一个电子变为负离子,空穴,(二)杂质半导体:,掺入少量杂质的半导体,下一节,上一页,下一页,返 回,6,下一节,上一页,下一页,返 回,(1) N 型半导体(电子型半导体) 形成:向本征半导体中掺入少量的 5 价元素 特点:(a)含有大量的电子多数载流子 (b)含有少量的空穴少数载流子,无论N型或P型半导体都是中性的,对外不显电性。,(2) P 型半导体(空穴型半导体) 形成:向本征半导体中掺入少量的 3 价元素 特点:(a)含有大量的空穴多数载流子
2、 (b)含有少量的电子少数载流子,7,(三)PN 结,(1) PN 结的形成,多数载流子的浓度差,即PN 结或耗尽层,下一节,上一页,下一页,返 回,半导体器件的基础,8,(2) PN 结的特性 (a)PN 结外加正向电压,PN 结正偏,下一节,上一页,下一页,返 回,9,(b)PN 结外加反向电压,PN 结反偏,下一节,上一页,下一页,返 回,10,例:二极管构成的限幅电路如图所示,R1k,UREF=2V,输入信号为ui。 (1)若 ui为4V的直流信号,分别采用理想二极管模型、理想二极管串联电压源模型计算电流I和输出电压uo,解:(1)采用理想模型分析。,采用理想二极管串联电压源模型分析。,(2)如果ui为幅度4V的交流三角波,波形如图(b)所示,分别采用理想二极管模型和理想二极管串联电压源模型分析电路并画出相应的输出电压波形。,解:采用理想二极管 模型分析。波形如图所示。,采用理想二极管串联电压源模型分析,波形如图所示。,当稳压二极管工作在反向击穿状态下,工作电流IZ在Izmax和Izmin之间变化时,其两端电压近似为常数,稳定电压,四、稳压二极管,稳压二极管是应用在反向击穿区的
3、特殊二极管,正向同二极管,反偏电压UZ 反向击穿, UZ ,(1)V1=3.5V, V2=2.8V, V3=12V。,例2: 测得工作在放大电路中几个晶体管三个极电位值V1、V2、V3,判断管子的类型、材料及三个极。,NPN型硅管,1、2、3依次为B、E、C,(2)V1=3V, V2=2.7V, V3=12V。,(3)V1=6V, V2=11.3V, V3=12V。,(4)V1=6V, V2=11.7V, V3=12V。,NPN型鍺管,1、2、3依次为B、E、C,PNP型硅管,1、2、3依次为C、B、E,PNP型鍺管,1、2、3依次为C、B、E,上一页,下一页,返 回,下一节,上一节,15,4.4.2 射极偏置电路,1. 稳定工作点原理,目标:温度变化时,使IC维持恒定。,如果温度变化时,b点电位能基本不变,则可实现静态工作点的稳定。,T , IC, IE,IC, VE、VB不变, VBE , IB,(反馈控制),I1 IB ,,此时,,不随温度变化而变化。,VB VBE,且Re可取 大些,反馈控制作用更强。,一般取 I1 =(510)IB , VB =3V5V,2. 放大电路指标分析
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