罗桂娥老师模电课件chapt01

1、1,第1章 常用半导体器件,1.1 概述,1.2 半导体二极管,小 结,1.3 双极型晶体三极管,1.4 场效应管,第一章常用半导体器件,2,1.1 概 述,1.1.1 半导体的导电特性,1.1.2 杂质半导体,1.1.3 PN结,1.1概述,3,1.1.1 半导体的导电特性,半导体 ,导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。,本征半导体 ,纯净的半导体。如硅、锗单晶体。,载流子 ,自由运动的带电粒子。,共价键 ,相邻原子共有价电子所形成的束缚。,1.1.1半导体的导电特性（1）,4,硅(锗)的原子结构,简化 模型,硅(锗)的共价键结构,自 由 电 子,(束缚电子),空穴可在共 价键内移动,1.1.1半导体的导电特性（2）,5,本征激发：,复 合：,自由电子和空穴在运动中相遇重新结合成对消失的过程。,漂 移：,自由电子和空穴在电场作用下的定向运动。,在室温或光照下价电子获得足够能量摆脱共价键的束缚成为自由电子，并在共价键中留下一个空位(空穴)的过程。,1.1.1半导体的导电特性（3）,6,两种载流子,电子(自由电子),空穴,两种载流子的运动,自由电子(在共价键以外)的运动,空穴(在共价键以

2、内)的运动,结论：,1. 本征半导体中电子空穴成对出现，且数量少；,2. 半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电；,3. 本征半导体导电能力弱，并与温度有关。,1.1.1半导体的导电特性（4）,7,1.1.2 杂质半导体,一、N 型半导体和 P 型半导体,N 型,磷原子,自由电子,电子为多数载流子,空穴为少数载流子,载流子数 电子数,1.1.2杂质半导体（1）,8,P 型,硼原子,空穴,空穴 多子,电子 少子,载流子数 空穴数,1.1.2杂质半导体（2）,9,二、杂质半导体的导电作用,I,IP,IN,I = IP + IN,N 型半导体 I IN,P 型半导体 I IP,1.1.2杂质半导体（3）,10,三、P 型与N 型半导体的简化示意图,P型,N型,1.1.2杂质半导体（4）,11,1.1.3 PN 结,一、PN 结(PN Junction)的形成,1. 载流子的浓度差引起多子的扩散,2. 复合使交界面形成空间电荷区,(耗尽层),空间电荷区特点:,无载流子，,阻止扩散进行，,利于少子的漂移。,内建电场,1.1.2PN结（1）,12,3. 扩散和漂移达到动态平衡,扩散电流 等于漂移电

3、流，,总电流 I = 0。,1.1.2PN结（2）,13,内电场,外电场,外电场使多子向 PN 结移动, 中和部分离子使空间电荷区变窄。,扩散运动加强形成正向电流 IF,IF = I多子 I少子 I多子,二、PN 结的单向导电性,1. 外加正向电压(正向偏置), forward bias,1.1.2PN结（3）,14,2. 外加反向电压(反向偏置), reverse bias,外电场使少子背离 PN 结移动， 空间电荷区变宽。,PN 结的单向导电性：正偏导通，呈小电阻，电流较大; 反偏截止，电阻很大，电流近似为零。,漂移运动加强形成反向电流 IR,IR = I少子 0,1.1.2PN结（4）,15,三、PN 结的伏安特性,反向饱和电流,温度的 电压当量,电子电量,玻尔兹曼常数,当 T = 300(27C)：,UT = 26 mV,正向特性,反向击穿,加正向电压时,加反向电压时,iIS,1.1.2PN结（5）,16,1.2 半导体二极管,1.2.1 二极管的结构和类型,1.2.2 二极管的伏安特性,1.2.3 二极管的主要参数,1.2.4 二极管常用电路模型,1.2.5 稳压二极管,1.

4、2.6 二极管的应用举例,1. 2半导体二极管,17,1.2.1 二极管的结构和类型,构成：,PN 结 + 引线 + 管壳 = 二极管(Diode),符号：,A,(anode),C,(cathode),分类：,按材料分,硅二极管,锗二极管,按结构分,点接触型,面接触型,平面型,1. 2.1二极管的结构和类型（1）,18,1. 2.1二极管的结构和类型（2）,19,1. 2.1二极管的结构和类型（3）,20,1.2.2 二极管的伏安特性,一、PN 结的伏安方程,反向饱和电流,温度的 电压当量,电子电量,玻尔兹曼常数,当 T = 300(27C)：,UT = 26 mV,1. 2.2二极管的伏安特性（1）,21,二、二极管的伏安特性,正向特性,Uth,死区 电压,iD = 0,Uth = 0.5 V,0.1 V,(硅管),(锗管),U Uth,iD 急剧上升,0 U Uth,UD(on) = (0.6 0.8) V,硅管 0.7 V,(0.2 0.4) V,锗管 0.3 V,反向特性,IS,U (BR),反向击穿,U(BR) U 0,iD = IS, 0.1 A(硅),几十 A (锗),U

5、 U(BR) ,反向电流急剧增大,(反向击穿),1. 2.2二极管的伏安特性（2）,22,反向击穿类型：,电击穿,热击穿,反向击穿原因：,齐纳击穿： (Zener),反向电场太强，将电子强行拉出共价键。 (击穿电压 6 V，负温度系数),雪崩击穿：,反向电场使电子加速，动能增大，撞击 使自由电子数突增。, PN 结未损坏，断电即恢复。, PN 结烧毁。,(击穿电压 6 V，正温度系数),击穿电压在 6 V 左右时，温度系数趋近零。,1. 2.2二极管的伏安特性（3）,23,硅管的伏安特性,锗管的伏安特性,1. 2.2二极管的伏安特性（4）,24,温度对二极管特性的影响,60,40,20, 0.02,0,0.4,25,50,iD / mA,uD / V,20C,90C,T 升高时，,UD(on)以 (2 2.5) mV/ C 下降,1. 2.2二极管的伏安特性（5）,25,1.2.3 二极管的主要参数,1. IF 最大整流电流(最大正向平均电流),2. URM 最高反向工作电压，为 U(BR) / 2,3. IR 反向电流(越小单向导电性越好),4. fM 最高工作频率(超过时单向导电性

6、变差),1. 2.3二极管的主要参数（1）,26,影响工作频率的原因 ,PN 结的电容效应,结论： 1. 低频时，因结电容很小，对 PN 结影响很小。 高频时，因容抗增大，使结电容分流，导致单向 导电性变差。 2. 结面积小时结电容小，工作频率高。,1. 2.3二极管的主要参数（2）,27,1.2.4 二极管的常用电路模型,一、理想二极管模型,特性,符号及 等效模型,正偏导通，uD = 0；反偏截止， iD = 0 U(BR) = ,1. 2.4二极管的常用电路模型（1）,28,二、二极管的恒压降模型,UD(on),uD = UD(on),0.7 V (Si),0.3 V (Ge),1. 2.4二极管的常用电路模型（2）,29,三、二极管的折线近似模型,UD(on),斜率1/ rD,rD,UD(on),1. 2.4二极管的常用电路模型（3）,30,半导体二极管的型号(补充) 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 2 A P 9 用数字代表同类型器件的不同型号 用字母代表器件的类型，P代表普通管 用字母代表器件的材料，A代表N型Ge B代表P型Ge，C代表N型Si，D代表N型Si 2

7、代表二极管，3代表三极管,1. 2.4二极管的常用电路模型（4）,31,1.2.5 稳压二极管,一、伏安特性,符号,工作条件：反向击穿,特性,1. 2.5稳压二极管（1）,32,二、主要参数,1. 稳定电压 UZ 流过规定电流时稳压管 两端的反向电压值。,2. 稳定电流 IZ 越大稳压效果越好， 小于 Imin 时不稳压。,3. 最大工作电流 IZM 最大耗散功率 PZM,P ZM = UZ IZM,4. 动态电阻 rZ,rZ = UZ / IZ,越小稳压效果越好。,几 几十 ,1. 2.5稳压二极管（2）,33,5. 稳定电压温度系数 CT,一般，,UZ 4 V，CTV 0 (为齐纳击穿)具有负温度系数；,UZ 7 V，CTV 0 (为雪崩击穿)具有正温度系数；,4 V UZ 7 V，CTV 很小。,1. 2.5稳压二极管（3）,34,补充： 发光二极管与光敏二极管,一、发光二极管 LED (Light Emitting Diode),1. 符号和特性,工作条件：正向偏置,一般工作电流几十 mA， 导通电压 (1 2) V,符号,特性,1. 2.5其它二极管（1）,35,2. 主要参

8、数,电学参数：I FM ，U(BR) ，IR,光学参数：峰值波长 P，亮度 L，光通量 ,发光类型：,可见光：红、黄、绿,显示类型： 普通 LED ，,不可见光：红外光,点阵 LED,七段 LED ,1. 2.5其它二极管（2）,36,1. 2.5其它二极管（3）,37,二、光敏二极管,1符号和特性,符号,特性,工作条件： 反向偏置,2. 主要参数,电学参数：,暗电流，光电流，最高工作范围,光学参数：,光谱范围，灵敏度，峰值波长,实物照片,1. 2.5其它二极管（4）,38,补充：选择二极管限流电阻,步骤：,1. 设定工作电压(如 0.7 V；2 V (LED)；UZ ),2. 确定工作电流(如 1 mA；10 mA；5 mA),3. 根据欧姆定律求电阻 R = (UI UD)/ ID,(R 要选择标称值),1. 2.5其它二极管（5）,39,UD(on),例 1：下图电路中，硅二极管，R = 2 k，分别用二极管理想模型和恒压降模型求出 VDD = 2 V 和 VDD = 10 V 时 IO 和 UO 的值。,1.2.6 二极管应用举例,理想模型,恒压降模型,实际电路,1. 2.6二

9、极管应用举例（1）,40,解,1. VDD = 2 V,理想,IO = VDD / R = 2 / 2 = 1 (mA),UO = VDD = 2 V,恒压降,UO = VDD UD(on) = 2 0.7 = 1.3 (V),IO = UO / R = 1.3 / 2 = 0.65 (mA),2. VDD = 10 V,理想,IO = VDD/ R = 10 / 2 = 5 (mA),恒压降,UO = 10 0.7 = 9.3 (V),IO = 9.3 / 2 = 4.65 (mA),VDD 大， 采用理想模型 VDD 小， 采用恒压降模型,1. 2.6二极管应用举例（2）,41,例2： 试求电路中电流 I1、I2、IO 和输出电压 UO 的值。,解：假设二极管断开,UP = 15 V,UP UN,二极管导通,等效为 0.7 V 的恒压源,P,N,1. 2.6二极管应用举例（3）,42,UO = VDD1 UD(on)= 15 0.7 = 14.3 (V),IO = UO / RL= 14.3 / 3 = 4.8 (mA),I2 = (UO VDD2) / R = (14.3 12) / 1 = 2.3 (mA),I1 = IO + I2 = 4.8 + 2.3 = 7.1 (mA),1. 2.6二极管应用举例（4）,43,例3： 二极管构成“门”电路，设 D1、D2 均为理想二极管，当输入电压 UA、UB 为低电压 0 V 和高电压 5 V 的不同组合时，求输出电压 UO 的值。,0 V,正偏 导通,5 V,正偏 导通,1. 2.6二极管应用举例（5）,44,0 V,0 V,正偏 导通,正偏 导通,0 V,0 V,5 V,正偏 导通,反偏 截止,0 V,5 V,0 V,反偏 截止,正偏 导通,0 V,5 V,5 V,正偏 导通,正偏 导通,5 V,1. 2.

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