标准gan外延生长流程
10页1、标准GaN外延生长流程, 高温除杂 反应室炉温升高1200,通入氢气,高温、燃烧除去衬底上的杂质,时间10min。,蓝宝石衬底(4305m),高温、通H2 10min,标准GaN外延生长流程, : 长缓冲层 炉温降底控制在530时,在蓝宝石衬底上生长一层300A厚的GaN缓冲层,时间3min。,蓝宝石衬底(430m),GaN缓冲层300A,标准GaN外延生长流程, 退火 炉温升至1150,时间7min,将低温长的非晶缓冲层通过高温形成多晶GaN 缓冲层。,蓝宝石衬底(430m),GaN缓冲层300A,1150 退火,标准GaN外延生长流程, 长GaN单晶 将炉温控制至1160,在GaN缓冲层上生长一层0.5m厚的GaN单晶 。,蓝宝石衬底(430m),GaN单晶 0.5m,标准GaN外延生长流程, 长N型GaN 将炉温控制至1160,长GaN 的同时掺Si(浓度5108/cm3),时间1小时。,蓝宝石衬底(430m),N型GaN 2.5m, 长多量子阱MQW 炉温降至750,先长一层InGaN(20A),接着长一层GaN (140A),连续长8个InGaN和 GaN势阱势垒pair(1
2、60A),整个MQW厚度1200A.调整掺In的浓度可调整波长,用时约80min.,蓝宝石衬底(430m),MQW多量子阱,标准GaN外延生长流程,标准GaN外延生长流程,多量子阱结构 量子阱为LED的发光区,GaN势垒140A,InGaN势阱20A,1200A,1个pair,标准GaN外延生长流程, 长P型GaN 炉温升至930,长GaN的同时掺Mg(浓度51019/cm3),长2000A厚,时间20min。 长接触层 炉温降至800,长GaN的同时掺Mg(浓度1020/cm3),长150A厚,时间2min。 激活 炉温降至600,加热20min,打破MgH键,激活Mg的导电性。 降温 炉温降至150,时间 30min。,蓝宝石衬底(430m),GNa,NGaN,P型GaN,3.4m,藍寶石基板,緩衝層,氮化鎵,N-Type-氮化鎵-矽掺雜,(氮化鎵/氮化銦鎵)x5-淺井結構,(氮化鎵/氮化銦鎵)x8-量子井結構,P-Type-氮化鋁鎵-電流阻擋層,P-Type-氮化鎵-鎂掺雜,P-Type-氮化銦鎵-金屬接觸層,外延結構示意圖,藍寶石基板,磊晶前,磊晶後,In GaN:Mg,sapphire,GaN,buffer,N-GaN,In GaN well,GaN barrier,P-GaN:Mg,Al-GaN:Mg,外延生长的原辅材料,基片:蓝宝石 载气 :H2,N2 反应剂 :NH3,SiH4,MO源 MO Source包括: 三甲基镓:trimethyl gallium (TMGa):(CH3)3Ga 载气(H2) 三乙基镓:triethyl gallium (TEGa):(C2H5)3Ga 载气(N2) 三甲基铟:trimethyl indium (TMIn):(CH3)3In 载气( N2) 三甲基铝:trimethyl aluminium 载气(H2) (TMAl): (CH3)3Al 二茂镁:Magncsocenc; bis (cyclopentadienyl) magnesium (Cp2Mg):Mg(C5H5)2 载气(H2),
《标准gan外延生长流程》由会员小**分享,可在线阅读,更多相关《标准gan外延生长流程》请在金锄头文库上搜索。
2020年高考真题——理科综合(全国卷Ⅲ)+Word版含答案
2021年绝味鸭脖策划书
2021年熟食店创业方案
2021年熟食店开店策划
2021年卤菜店创业计划书
2021年周黑鸭网络营销策划方案
东大21年1月考试《现代设计方法》考核作业
谈我国行政管理效率的现状及其改观对策(论文)
单证员考试-备考辅导-复习资料:无贸易背景信用证案分析.docx
土木工程毕业生答辩自述.docx
建筑学毕业后工作状态真实写照.doc
C#代码规范(湖南大学).doc
xx区食药监局2019年工作总结及2020年工作计划
2019年中医院药物维持治疗门诊工人先锋号先进事迹
2019年度xx乡镇林长制工作总结
2019年性艾科工作计划书
2019年人才服务局全国扶贫日活动开展情况总结
关于组工信息选题的几点思考
摘了穷帽子 有了新模样
2019年某集团公司基层党支部书记培训班心得体会
2024-01-31 15页
2024-01-31 21页
2024-01-31 37页
2024-01-31 30页
2024-01-31 22页
2024-01-31 48页
2024-01-31 32页
2024-01-31 40页
2024-01-31 31页
2024-01-31 20页