场效应管放大电路精讲课件
21页1、,1.MOSFET,NMOS,PMOS,增强型NMOS(E型NMOS),耗尽型NMOS (D型NMOS),增强型PMOS(E型PMOS),耗尽型PMOS (D型PMOS),2.工作原理,3.特性曲线,4. MOSFET的主要参数,上 讲 回 顾,5.1 金属氧化物半导体(MOS)场效应管,1,5.2 MOSFET放大电路,MOSFET和BJT放大电路的组态比较:,共源极组态,vi接栅极G,v0接漏极D,共射极组态,vi接基极B,v0接集电极C,共漏极组态,vi接栅极G,v0接源极S,共集电极组态,vi接基极B,v0接射极E,共栅极组态,vi接源极S,v0接漏极D,共基极组态,vi接射极E,v0接集电极C,2,5.2.1 简单共源极放大电路的直流分析,步骤直流通路,VG,VS,5.2 MOSFET放大电路,1 假设MOS管工作于饱和区,则有 VGSQVT,IDQ0,VDSQVGSQ-VT,2 利用饱和区的V-I曲线分析电路:,3 如果出现VGSVT,则MOS管可能截至,如果 VDSVGS-VT,则MOS管可能工作在可变电阻区。,4 如果初始假设被证明是错误的,则必须作新的假 设,同时重新
2、分析电路。,3,5.2.1 简单共源极放大电路的直流分析,(1) 直流通路,VGS= VG=VDDRg2/(Rg1+Rg2),VDS= VDDIDRd,若NMOS工作于饱和区,则,若计算的VDSVGS-VT,则说明NMOS确工作于饱和区;若VDSVGS-VT,则说明工作于可变电阻区。,工作于可变电阻区的ID:,5.2 MOSFET放大电路,4,5.2.2 带源极电阻的NMOS共源极放大电路,(1) 直流通路,VS,若NMOS工作于饱和区,则,VG,VDS= VDDID(Rd+R),5.2 MOSFET放大电路,5,例.如图,设VT=1V, Kn=500A/V2 , VDD=5V, -VSS=-5V, Rd=10K, R=0.5K, Id=0.5mA 。若流过Rg1, Rg2的电流是ID的1/10,试确定Rg1, Rg2的值。,解.作出直流通路,并设MOS工作在饱和区,则由:,即 0.50.5(VGS-1)2,流过Rg1、Rg2的电流为0.05mA,VS,VG,v0,得 VGS= 2V,6,Rg2=45K、Rg1=155K,判断假设的正确性:,VDS= (VDD+VSS)ID(Rd+R)
《场效应管放大电路精讲课件》由会员F****n分享,可在线阅读,更多相关《场效应管放大电路精讲课件》请在金锄头文库上搜索。
2024-02-23 26页
2024-02-23 24页
2024-02-23 14页
2024-02-23 21页
2024-02-23 24页
2024-02-23 23页
2024-02-23 35页
2024-02-23 22页
2024-02-23 23页
2024-02-23 33页