【科大版】智能传感器幻灯片4

1、目 录,第1章 概 述 第2章 智能传感器系统中经典传感技术基础 第3章 不同集成度智能传感器系统介绍 第4章 智能传感器的集成技术 第5章 智能传感器系统智能化功能的实现方法 第6章 通信功能与总线接口 第7章 智能技术在传感器系统中的应用 第8章 智能传感器系统的设计与应用 第9章 无线传感器网络技术概述,第4章 智能传感器的集成技术,要 点： 集成电路工艺及典型元件电路的示例； 微机械工艺及微机械结构的示例； 集成智能传感器系统示例。,第4章 智能传感器的集成技术,集成电路的基本工艺制作传感器的电路部分，主要包括：材料的生长、扩散、离子注入、外延、光刻、腐蚀等。 微机械加工技术是在集成电路工艺的基础上发展起来的，制作 传感器的敏感单元。 推荐一本参考书： 微传感器与微执行器全书(MICROMACHINED TRANSDUCERS SOURCEBOOK) 美Gregory T.A.Kovacs 张文栋等译 北京科学出版社,4.1 集成电路的基本工艺,4.1.1晶片的制备 单晶硅片是制造半导体智能传感器最主要的材料，所以有必要先了 解单晶硅片是怎么制造出来的。,4.1 集成电路的基本

2、工艺,介绍生长单晶硅的装置： 1）炉子：包括石英坩埚、石墨基座、旋转装置、加热元件及电源； 2）单晶提拉机构：籽晶夹持器及旋转装置； 3）保护气体控制系统：气体源、流量控制装置、抽气系统。 对籽晶的要求：晶向要合适111； 要使生长出来的晶体有一定的掺杂浓度，在熔体中加入一定量的掺杂 剂； 切片的主要参数：表面晶向、厚度、斜度及弯曲度。 衬底材料的选择： 1）导电类型和电阻率： 力敏器件多数是选N型单晶硅作衬底材料，采用扩散或离子注入工艺 制作P型掺杂电阻。 同一电阻率的P型硅掺杂浓度高于N型掺杂浓度。掺杂浓度越高，,4.1 集成电路的基本工艺,温度漂移越小。 相同温度相同表面杂质浓度下，P型层的压阻系数比N型层的高， 有利于提高灵敏度。 2）位错密度： 位错是单晶硅的原子排列上出现一种缺陷；位错会加快杂质扩散速 度，影响隔离效果，产生应力集中。 3）晶向和晶面 压阻效应与晶向有关，P型硅的压阻效应是111110100；硅单 晶的原子密度是以晶面(111)(110)(100)的次序递减，而扩散速度、腐 蚀速度以（111）(110)(100)的顺序递增。 制作力敏器件，为加快扩散速度，缩

3、短腐蚀时间和提高器件的稳定 性，应选取（100）、（110）晶面。 4）衬底切割的质量要求,4.1 集成电路的基本工艺, 硅片厚度公差0.015mm； 平行度0.02mm； 晶向偏差：1； 弯曲度：影响加工量磨片磨削量的1/2。 4.1.2外延 作用：控制杂质分布，优化器件和电路性能 方法：气相外延（VPC）；液相外延（LPC）；分子束外延（MBE）。 主要目的：通过一种化学反应的方式，在硅基片的表面生长一层所需 的膜层，如掺杂层的生成。 优点：在远低于熔点的温度下生长。,4.1 集成电路的基本工艺,4.1.3 热氧化 主要是生成半导体电路中所需的氧化层，如MOSFET电路中的栅氧化 层，场氧化层。 氧化层的作用：隔离层、钝化层 方法：干氧氧化（高纯度干燥氧气） 湿氧氧化（高纯度水蒸气） 特点：干氧氧化（慢、性能好） 湿氧氧化（快，用于较厚氧化层） 反应条件：T：9001000；v（气体流量）：1cm3/s，T1； 钝化膜的作用：起掩蔽、保护、绝缘等作用；防止高温下硅表面以及 硅中杂质的挥发，以及化学处理而引起的器件电学性能下降。,4.1 集成电路的基本工艺,4.1.4 物理气相淀积

4、作用：淀积一些金属材料，作为电极或连线；对器件进行金属化。 方法：真空蒸发淀积（辉光放电）用于铝等熔点较低的材料； 物理溅射淀积（分直流、射频、磁控、离子束） 用于难熔金属或化 合物材料。 图4-6有错误，电源极性倒过来。,4.1 集成电路的基本工艺,4.1.5 化学气相淀积 作用：淀积用于分立器件和集成电路绝缘和钝化的介质膜，与物理 气相淀积相比产生化学反应。 方法： 常压化学气相淀积 低压化学气相淀积 等离子体化学气相淀积 CVD LPCVD PCVD 用于金属化工艺 用于钝化器件、绝缘膜 作器件最终钝化膜 温度高 温度中等（750） 温度低（300） 薄膜电阻 ，氮化硅膜 氮化硅膜 4.1.6光刻 光刻工艺是利用光刻胶受光照部分与未受光照部分溶解特性的巨大 差异在衬底表面制作图形的技术。这有点类似照相底片的功能。,4.1 集成电路的基本工艺,1、 光刻工艺流程 光刻胶分：正性光刻胶（曝光部分被溶解）；负性光刻胶（又叫反 转片）。 工艺步骤：清洗、烘烤涂胶（厚度取决于光刻胶种类、旋转速 度、液态胶粘度）前烘（使胶层中的溶剂挥发（红外线、热板、循环 热风）增强粘附能力；提高耐磨性；提

5、高和稳定感光灵敏度）曝光 （使胶层起光化学反应，方式有掩膜曝光、电子束曝光）显影（样品 放入显影液，使部分胶层溶解，分正负性）后烘（显影后的样品放在 一定温度下烘烤，使其硬化，又叫坚膜）腐蚀或淀积（刻蚀掉下面的 材料，或淀积所需的材料）去胶（去除作为保护膜的光刻胶）。 2、 紫外光曝光 光刻光源： 、 准分子激光器：高亮度、高单色性、方向 性好。,4.1 集成电路的基本工艺,曝光方式：接触式、接近式（分辨率： ）、投影 式（ ）A：数值孔径。 上述曝光方式受衍射效应的影响。 3、 几种新型的曝光系统 元件尺寸的减小，要求曝光系统的分辨率高。 1）选用短波长的光源，如x射线（0.45nm）； 2）采用电子束曝光, =0.01nm,但速度慢。 4.1.7 刻蚀 在IC工艺和微机械加工工艺中占重要地位。 作用：把经过曝光、显形后光刻胶图形中下层材料的裸露部分去 掉。 方法：各向同性腐蚀和各向异性腐蚀（或称为干法腐蚀与湿法腐蚀 ），干法效果好；湿法精度低，效果差。,4.1 集成电路的基本工艺,简单介绍：等离子体刻蚀法（见下图） 1.微波窗口 2.水冷套 3.等离子体发生室 4.磁场线圈 5.等

6、离子体约束 室 6.观察窗口 7.处理室 8.基片架 9.抽气口 10.电机转轴 11.光电盘 12.光电传感器 13.门 14.探针口 15.气体进口,4.1 集成电路的基本工艺,4.1.8 扩 散 作用：用于对衬底进行选择掺杂，以形成N型区或P型区，例如：制 作PN结。 方法：恒定表面浓度扩散；恒定杂质总量扩散 扩散效果：取决于扩散温度和扩散时间。 集成电路工艺中，一般采用两步扩散法：预淀积扩散、主扩散（或 称再分布扩散）。 扩散设备：专用的扩散炉（与热氧化类似），对于硅：T800100 0； 扩散源：固态源： 、 ；液态源： 、 ； 气态源： 、 。 （形成掩膜）,4.1 集成电路的基本工艺,4.1.9 离子注入 作用：将一定能量的带电粒子掺入到硅等衬底中，用来改变衬底的 电学性能，与扩散作用类似。 优点：可以精确控制掺杂的数量，重复性好，加工温度低。 离子注入系统： 离子源、质量分析器、(可变狭缝)、加速管、平面扫描电路、靶。 高能离子能量消耗机制： 核阻止过程 电子阻止过程 能量小 砷离子（重离子） 硼离子（轻离子） 磷离子介于两者之间，临界能量是130KeV 解释离子注入损

7、伤的概念。 沟道效应：由入射离子对准某一主要晶向时造成，它的射程比在非,4.1 集成电路的基本工艺,晶硅中大很多。 晶格无序：注入离子向晶格转移足够能量，使晶体原子发生移位， 当原子移动距离接近原子密度时，单晶材料变成非晶材料。 轻离子的能量被吸收的特点：一开始是电子阻止消耗能量，能量减 低后变为核阻止消耗能量。 损伤区的恢复：退火，使注入离子进入晶格点阵（又叫激活） 退火方法：扩散炉（时间长，效果差）；激光、电子束（时间短， 低温，效果好）。,4.2 典型的集成电路元件制作工艺,集成电路的基本构成单元：有源元件（二极管、三极管、场效应 管）、无源元件（电阻、电容、电感）。 4.2.1 典型的集成电路制造流程 设计、掩模版制造、芯片制造（扩散、氧化、离子注入、刻蚀）、 封装、测试等一些步骤，P154页图4-15是其流程图。CPU之类大规模集成 电路的制作前后有两百多道工序。 1）设计 根据功能要求，借助CAD设计电路并生成版图转化为光刻掩模板。 2）芯片制造 利用前面所述的各种工艺，根据实际使用的需要，将各种加工方法 进行合理的组合，最终将各个掩膜板的图形逐次转移到半导体晶片表面 层上

8、，获得最终的IC器件。如果在一个晶片上制造了多个相同芯片，则 还要进行划片或激光切割将芯片分开。,4.2 典型的集成电路元件制作工艺,3）封装：提供合适的散热和引线连接条件，如带窗口的ROM。 4）测试 4.2.2 集成电路电阻器 制作工艺：硅衬底材料（NSi） 二氧化硅层 形成制作电阻的图形 形成电阻器。 ； 通常用符号 表示，称为薄层电阻，单 位： 。 4.2.3 集成电路电容器 硅衬底材料 二氧化硅层 形成所需的窗 口 形成 区集成MOS电容器 书中图4-18有错误， 。,4.2 典型的集成电路元件制作工艺,4.2.4 电感的制造 用于测量数据的无线传递，能量的无线发送，微执行器的电磁驱动。 制造方法： 1） 在铜膜上制作电感掩膜，然后在腐蚀液中进行腐蚀； 2） 利用电感掩膜在衬底上淀积活化层，接着在活化层上电镀厚铜 层。 上述两种方法只能制作微型电感。 3）利用光刻胶材料制作电感模具，在模具中电镀生长铜线圈层，该 方法可制作多层电感线圈。 制造过程：衬底（不锈钢膜片） 基底 基片 再光刻，形成线圈模具 线圈 形成隔离层、引线孔 制造多层。,4.2 典型的集成电路元件制作工艺,4

9、.2.5 双极性晶体管 双极性晶体管的制造过程比较复杂，它总共包括：薄膜形成6次；图 形曝光6次；刻蚀4次；离子注入4次，共分6步完成制作过程。 IC中的双极晶体管大多是NPN型。 1）形成埋层，减少集电极串联电阻； 2）生长N型外延层，它的厚度和掺杂浓度决定于工作电压； 3）形成横向氧化物隔离区，将发射区与集电区隔开； 4）形成基区，基区与发射区位置比较接近； 5）形成发射区； 6）用金属化工艺形成基极、发射极、集电极引出电极。,4.3 微机械工艺的主要技术,集成电路工艺基本上是平面工艺，而微机械工艺从某种角度上来说 是立体工艺，它不仅仅用于微传感器的加工，而且用于电力电子器件、 真空场发射阵列器件、扫描隧道显微镜中的微探针头、微电子机械系统 等。 4.3.1 SOI晶片（Silicon on Insulator） 作用：将有源部分（电路部分）与敏感部分隔开，同时与恶劣环境 隔开。 构成： 制备方法： 1）SIMOX（Separation by Ion Implantation of oxygen）氧离子注入； 2）SDB（Silicon Wafer Direct Bonding）键合； 注意点：防止衬底非晶化。,4.3 微机械工艺的主要技术,4.3.2 硅的各向异性刻蚀技术 基于硅的不同晶面具有不同的腐蚀速率的特性，在硅衬底上加工出各 种各样的微结构。（100）：最快；（110）：一般；（111）：最慢。 1、 腐蚀剂的种类 a）有机腐蚀剂：EDP（乙二胺，邻苯二酚，水）；联胺。 b）无机腐蚀剂：（碱性）KOH，NaOH水溶液 2、 影响腐蚀特性的因素 a）腐蚀系统成分配比不同，腐蚀特性不同； b）晶体的晶向及掺杂浓度 例如：在重

《【科大版】智能传感器幻灯片4》由会员F****n分享，可在线阅读，更多相关《【科大版】智能传感器幻灯片4》请在金锄头文库上搜索。