数字电子技术基础第五版阎石王红清华大学课件
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1、数字电子技术基础（第五版）教学课件 清华大学 阎石 王红,联系地址：清华大学 自动化系 邮政编码：100084 电子信箱：wang_ 联系电话：(010)62792973,第七章 半导体存储器,第七章 半导体存储器,7.1 概述 能存储大量二值信息的器件 一、一般结构形式,！单元数庞大 ！输入/输出引脚数目有限,二、分类 1、从存/取功能分： 只读存储器 (Read-Only-Memory） 随机读/写 （Random-Access-Memory） 2、从工艺分： 双极型 MOS型,7.2 ROM 7.2.1 掩模ROM 一、结构,二、举例,D0 Dm,两个概念： 存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0” 存储器的容量：“字数 x 位数”,掩模ROM的特点： 出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产 简单，便宜，非易失性,7.2.2 可编程ROM（PROM）,总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同,7.2.2 可编程ROM（PROM）,总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同,写入时，要使用编程器,7.2.3 可擦除的可编程ROM（EPROM
2、）,总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 一、用紫外线擦除的PROM（UVEPROM）,二、电可擦除的可编程ROM（E2PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同,三、快闪存储器（Flash Memory） 为提高集成度，省去T2（选通管） 改用叠栅MOS管（类似SIMOS管）,7.3 随机存储器RAM,7.3.1 静态随机存储器（SRAM） 一、结构与工作原理,二、SRAM的存储单元,六管N沟道增强型MOS管,7.3.2* 动态随机存储器（DRAM） 动态存储单元是利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理,7.4 存储器容量的扩展,7.4.1 位扩展方式 适用于每片RAM,ROM字数够用而位数不够时 接法：将各片的地址线、读写线、片选线并联即可,例：用八片1024 x 1位 1024 x 8位的RAM,7.4.2 字扩展方式,适用于每片RAM,ROM位数够用而字数不够时,例：用四片256 x 8位1024 x 8位 RAM,7.5 用存储器实现组合逻辑函数,一、基本原理 从ROM的数据表可见： 若以地址线为输入变量，则数据线即为一组关于地址变量的逻辑函数,7.5 用存储器实现组合逻辑函数,一、基本原理 从ROM的数据表可见： 若以地址线为输入变量，则数据线即为一组关于地址变量的逻辑函数,二、举例,
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