模拟电子-第五章-场效应管及其基本放大电路
27页1、模拟电子技术基础 Fundamentals of Analog Electronic,第五章 场效应管及其放大电路,第五章 场效应管及其放大电路,5.1 场效应管,5.2 场效应管基本放大电路,5.1 场效应管,一、结型场效应管,二、绝缘栅型场效应管,三、场效应管的分类,只有一种载流子参与导电,且利用电场效应来控制电流的三极管,称为场效应管,也称单极型三极管。,场效应管分类,结型场效应管,绝缘栅场效应管,特点,单极型器件(一种载流子导电);,输入电阻高;,工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低。,绝缘栅型场效应管(MOSFET),由金属、氧化物和半导体制成。称为金属-氧化物-半导体场效应管,或简称 MOS 场效应管。,特点:输入电阻可达 109 以上。,类型,N 沟道,P 沟道,增强型,耗尽型,增强型,耗尽型,uGS = 0 时漏源间存在导电沟道称耗尽型场效应管;,uGS = 0 时漏源间不存在导电沟道称增强型场效应管。,一、N 沟道增强型 MOS 场效应管,1. 结构和符号,B,g,s,d,源极 s,漏极 d,衬底引线 B,栅极 g,2. 特性曲线,(a)转移特性,(b)漏极特性,
2、uGS UGS(th) ,iD = 0;,uGS UGS(th),形成导电沟道,随着 uGS 的增加,iD 逐渐增大。,(uGS UGS(th) ),三个区:可变电阻区、恒流区、截止区。,二、N 沟道耗尽型 MOS 场效应管,0,uGS,沟道变窄,iD 减小,=0,漏源间存在导电沟道 ,iD,0,沟道加宽,iD 增大,即使 uGS = 0 ,漏源间也会形成导电沟道。,N 沟道耗尽型 MOS 管特性,工作条件: uDS 0; uGS 正、负、零均可。,uGS = UGS(off) , 感应电荷被“耗尽”,漏源间失去导电沟道,iD 0。,UGS(off)称为夹断电压,IDSS称为饱和漏极电流,场效应管的主要参数,一、直流参数,饱和漏极电流 IDSS,2. 夹断电压 UGS(off),3. 开启电压 UGS(th),4. 直流输入电阻 RGS,为耗尽型场效应管的一个重要参数。,为增强型场效应管的一个重要参数。,为耗尽型场效应管的一个重要参数。,输入电阻很高。结型场效应管一般在 107 以上,绝缘栅场效应管更高,一般大于 109 。,二、交流参数,1. 低频跨导 gm,2. 极间电容,用以描述
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