[工学]35 mos逻辑门
33页1、1,3.4.2 TTL与非门电路,1 、 电路结构 2 、 工作原理(一般了解),2,3.4.3TTL与非门的主要参数,1、电压传输特性,2、输入输出高、低电平,(1)输出高电平UOH :3.6V min 2.4V,(2)输出低电平UOL :0.3V max 0.4V,(3)输入高电平UIH : 3.6V min 1.8V Uon,(4)输入低电平UIL : 0.3V max 0.8V Uoff,UOH,(3.6V),UOL,(0.3V),3,3、噪声容限,低电平噪声容限为:UNL=UIL(max)UOL(max),高电平噪声容限为:UNH=UOH(min)UIH(min),4,4、输入端负载特性,Ri Ron ,与非门导通,输出低电平 Ron:开门电阻,Ron的典型值为1.8k,RiRoff,与非门截止,输出高电平 Roff:关门电阻,Roff的典型值为0.8k,悬空相当于逻辑1,5,5、负载能力(难点、必须重点掌握),(1)输入低电平电流IIL IIL(max)=1.6mA,(2)输出低电平电流IOL IOL(max)=16mA,6,1 1 1,0,IOL,设有N个负载,IOL=,
2、N IIL,NOL=,IOL(max)/ IIL,7,(3)输入高电平电流IIH IIH(max)= 40uA,(4)输出高电平电流IOH IOH(max)= 0.4mA,8,&,&,&,1 0 1,1,IOH,设有N个负载,IOH=,N IIH,NOH=,IOH(max)/ IIH,NO=min(NOH, NOL),9,负 载 类 型,灌电流负载,拉电流负载,负载电流流入非门的叫灌电流负载,从非门流出来的叫拉电流负载,三极管非门的负载能力,10,当vi为高电平时,三极管饱和, vo为低电平。,vo,负载电流流入非门的叫灌电流负载。,11,IRC,IC=,IRC,饱和状态时应满足IBIBS,而IB不变,所以对I灌要有一定限制,ICS IB,即,IRC + I灌 IB,I灌 IB -IRC,当vi为高电平时,三极管饱和, vo输出低电平。,+I灌,ICS IB,12,在保证输出高电平最低值为VOHmin时所能拉出的最大电流为:,I 拉,RC,RB,vi,IB,(a),与门负载,I拉max=,VCC,-,VOHmin,RC,当vi为低电平时,三极管截止,vO为高电平,从非门流出来的叫拉电流
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