红外led外延材料
16页1、为了适应公司新战略的发展,保障停车场安保新项目的正常、顺利开展,特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划红外led外延材料LED外延片工艺流程:LED外延片工艺流程如下:衬底-结构设计-缓冲层生长-N型GaN层生长-多量子阱发光层生-P型GaN层生长-退火-检测-外延片外延片-设计、加工掩模版-光刻-离子刻蚀-N型电极-P型电极-划片-芯片分检、分级具体介绍如下:固定:将单晶硅棒固定在加工台上。切片:将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋,产生废水和硅渣。退火:双工位热氧化炉经氮气吹扫后,用红外加热至300500,硅片表面和氧气发生反应,使硅片表面形成二氧化硅保护层。倒角:将退火的硅片进行修整成圆弧形,防止硅片边缘破裂及晶格缺陷产生,增加磊晶层及光阻层的平坦度。此过程中产生的硅粉采用水淋,产生废水和硅渣。分档检测:为保证硅片的规格和质量,对其进行检测。此处会产生废品。研磨:用磨片剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层,有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度,达到一个抛光过程可以处理的规格。此过程产生废磨片剂。清洗:通过有机溶剂的溶解作用,结合超声波清
2、洗技术去除硅片表面的有机杂质。此工序产生有机废气和废有机溶剂。RCA清洗:通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子。具体工艺流程如下:SPM清洗:用H2SO4溶液和H2O2溶液按比例配成SPM溶液,SPM溶液具有很强的氧化能力,可将金属氧化后溶于清洗液,并将有机污染物氧化成CO2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的有机污物和部分金属。此工序会产生硫酸雾和废硫酸。DHF清洗:用一定浓度的氢氟酸去除硅片表面的自然氧化膜,而附着在自然氧化膜上的金属也被溶解到清洗液中,同时DHF抑制了氧化膜的形成。此过程产生氟化氢和废氢氟酸。APM清洗:APM溶液由一定比例的NH4OH溶液、H2O2溶液组成,硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜,该氧化膜又被NH4OH腐蚀,腐蚀后立即又发生氧化,氧化和腐蚀反复进行,因此附着在硅片表面的颗粒和金属也随腐蚀层而落入清洗液内。此处产生氨气和废氨水。HPM清洗:由HCl溶液和H2O2溶液按一定比例组成的HPM,用于去除硅表面的钠、铁、镁和锌等金属污染物。此工序产生氯化氢和废盐酸。DHF清洗:去除上一道工序在硅表面产生的氧化膜。磨片检测:检测经过研磨、RCA
3、清洗后的硅片的质量,不符合要求的则从新进行研磨和RCA清洗。腐蚀A/B:经切片及研磨等机械加工后,芯片表面受加工应力而形成的损伤层,通常采用化学腐蚀去除。腐蚀A是酸性腐蚀,用混酸溶液去除损伤层,产生氟化氢、NOX和废混酸;腐蚀B是碱性腐蚀,用氢氧化钠溶液去除损伤层,产生废碱液。本项目一部分硅片采用腐蚀A,一部分采用腐蚀B。分档监测:对硅片进行损伤检测,存在损伤的硅片重新进行腐蚀。粗抛光:使用一次研磨剂去除损伤层,一般去除量在1020um。此处产生粗抛废液。精抛光:使用精磨剂改善硅片表面的微粗糙程度,一般去除量1um以下,从而得到高平坦度硅片。产生精抛废液。检测:检查硅片是否符合要求,如不符合则从新进行抛光或RCA清洗。检测:查看硅片表面是否清洁,表面如不清洁则从新刷洗,直至清洁。包装:将单晶硅抛光片进行包装。芯片到制作成小芯片之前,是一张比较大的外延片,所以芯片制作工艺有切割这快,就是把外延片切割成小芯片。它应该是LED制作过程中的一个环节LED,发光二极管,是一种固态的半导体器件,它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片,晶片的一端附在一个支架上,一端是负极,另一端连接
4、电源的正极,使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成,一部分是P型半导体,在它里面空穴占主导地位,另一端是N型半导体,在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候,它们之间就形成一个P-N结。当电流通过导线作用于这个晶片的时候,电子就会被推向P区,在P区里电子跟空穴复合,然后就会以光子的形式发出能量,这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色,是由形成P-N结的材料决定的。LED的分类1.按发光管发光颜色分按发光管发光颜色分,可分成红色、橙色、绿色、蓝光等。另外,有的发光二极管中包含二种或三种颜色的芯片。根据发光二极管出光处掺或不掺散射剂、有色还是无色,上述各种颜色的发光二极管还可分成有色透明、无色透明、有色散射和无色散射四种类型。散射型发光二极管和达于做指示灯用。2.按发光管出光面特征分按发光管出光面特征分圆灯、方灯、矩形、面发光管、侧向管、表面安装用微型管等。圆形灯按直径分为2mm、5mm、8mm、10mm及20mm等。国外通常把3mm的发光二极管记作T-1;把5mm的记作T-1;把的记作T-1。由半值角大小可以估计圆形发光强度角分布情况。从发光强度角分布图来分
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