您所在位置：网站首页 > 行业资料 > 实验/测试模拟电路期末总复习(康华光版)

模拟电路期末总复习(康华光版)

116页

卖家[上传人]：h****u

文档编号：57066083

上传时间：2018-10-18

文档格式：PPT

文档大小：3.15MB

文档加载中……请稍候！
如果长时间未打开，您也可以点击刷新试试。

下载文档到电脑，查找使用更方便

15 金贝

/ 116 举报版权申诉马上下载

文本预览

下载提示

常见问题

1、1,模拟电子技术期末总复习,授课人：庄友谊,模拟电子技术,2,题型：一、填空题（12、14分）二、选择题（16分）三、分析题（18、16分）（3、2题）四、计算题（44分）（5题）五、设计题（10分）（1题）,期中前约 50% 期中后约50%,3,1 绪论,一、电子电路中的信号：模拟信号和数字信号,二、放大电路性能指标：,1、电压放大倍数Au,电压增益=20lg|Au| (dB),2、输入电阻ri,3、输出电阻ro,4、通频带,5、失真：,失真,线性失真,非线性失真：,幅度失真:,相位失真:,4,半导体的性质：负温度系数、光敏特性、掺杂特性,一、半导体与本征半导体：,半导体的共价键结构：,惯性核,价电子,3 二极管及其电路,5,本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。,载流子,自由电子,空穴,本征激发,复合,本征半导体中电流由两部分组成：,1. 自由电子移动产生的电流。,2. 空穴移动产生的电流。,动态平衡,6,二、杂质半导体,P 型半导体（空穴导电型半导体）：掺3价元素使用空穴浓度大大增加的杂质。,N 型半导体（电子导电型半导体）：掺5价元素使用自由电子浓度大大增加

2、的杂质。,施主原子（离子）,多数载流子（多子）：自由电子，少数载流子（少子）：空穴。,受主原子（离子）,多子：空穴，少子：自由电子。,7,1、 PN结的形成过程：,三、 PN结与半导体二极管,扩散,接触,形成空间电荷区,内电场,漂移,动态平衡,PN结,空间电荷区、耗尽层、阻挡层、势垒区、 PN结,2、PN 结的最主要的特性单向导电性： PN 结加正向电压导通，PN 结加反向电压截止,8,3、PN结的伏安特性：,反向击穿(电击穿),雪崩击穿和齐纳击穿,正向特性,反向特性,击穿特性,稳压二极管利用击穿特性,4、 PN结的电容效应：,势垒电容CB （PN结反偏）和扩散电容CD （PN结正偏）,9,二极管的电路符号：,5、半导体二极管：,主要参数:最大整流电流 IFM 、反向峰值电压URM 、反向直流电流 IR 等,分为：点接触型、面接触型、平面型。,特殊二极管：稳压二极管、变容二极管、肖特基二极管、光电二极管、发光二极管、激光二极管等特别是稳压二极管，利用其反向击穿效应,10,四、二极管的基本电路及其分析方法,1、图解分析法：,vD,Q,VDD,VDD /R,2、简化模型分析法：,

3、简化模型：理想二极管模型、恒压降模型、折线模型、小信号模型,应用简化模型分析：,11,（一） BJT的结构与工作原理:,基极,发射极,集电极,NPN型,PNP型,一、 BJT的结构、原理与特性,4 双极型三极管及放大电路基础,两种类型：NPN型和PNP型。,内部结构：发射区：掺杂浓度较高基区：较薄，掺杂浓度低集电区：面积较大为使发射区发射电子，集电区收集电子，必须具备的外部条件是：a.发射结加正向电压(正向偏置): NPN管：Vbe0； PNP管：Vbe0 b.集电结加反向电压(反向偏置): NPN管：Vbc0；PNP管：VbcIEPIEN=ICN+ IBN 且有IEN IBN ，ICNIBN,IC=ICN+ ICBO,IB=IEP+ IBNICBO,IE=IEP+IEN=IEP+ICN+IBN =(ICN+ICBO)+(IBN+IEPICBO) IE =IC+IB,电流关系式:,14,（二） BJT的V-I特性曲线,1、输入特性：,工作压降：硅管UBE0.60.7V,锗管UBE0.20.3V。,死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。,15,2、输出特性,IC(mA ),此区域满足IC=IB称为线性区（放大区）。,此区域中UCEUBE,集电结正偏，IBIC，UCE0.3V称为饱和区。,此区域中 : IB=0，IC=ICEO，UBEIC，硅管：VCE0.3V 锗管： VCE0.1V,(3) 截止区： VBE1M, 有的可达100M以上。理想运放为。,（4）输出电阻ro,ro =几-几十。理想运放为0。,3、主要参数：,58,三、变跨导式模拟乘法器：,1、模拟乘法器电路：,59,2、模拟乘法器的应用：,（1）运算电路：,乘方、开方、除等运算,（2）压控放大器（VCA）：,（3）调制和解调：,(a)调制：,(b) 解调：,60,四、放大电路的噪声与干扰,1、放大电路的噪声：,(1)电阻的热噪声:,(2)三极管的噪声:,热噪声、散粒噪声、闪烁噪声,热噪声的功率频谱密度：,热噪声的电压密度：,（3）放大电路的噪声指标噪声系数：,61,2、放大电路中的干扰：,（1）杂散电磁场干扰:,(a)合理布局:,(b)屏蔽:,（2）由直流电源电压波动引起的干扰:,（3）由交流电源串入的干扰:,(a)多级放大电路的接地:,(b)电子设备共同端的正确连接:,

《模拟电路期末总复习(康华光版)》由会员h****u分享，可在线阅读，更多相关《模拟电路期末总复习(康华光版)》请在金锄头文库上搜索。

点击阅读更多内容

TA的资源