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电工电子学第九章

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      2、 (2)特点:多数载 流子是空穴;少数载 流子是自由电子。 ? 9.1.3 PN 结及其单向导电性 结及其单向导电性 ? (1)PN 结的形成:将 P 型半导体和 N 型 半导体结合在一起,在其交界面形成的 一个特殊 的薄层,称为 PN 结。PN 结 P N返回(2)PN 结的单向导电特性: ? 当在 PN 结加正向电压,即电源正极接 P 区, 负极接 N 区,P 区多数载流子空穴和 N 区载 流子在电场作用下通过 PN 结进入对方, 两者形成较大 的正向电流,如(a)图。PN 结处于导通状态。 结处于导通状态。 ? 当在 PN 结加反向电压 如(b)图,P 区和 N 区多数载流子受阻难以通过 PN 结进入对 方,形成很小的反向电流。 PN 结处于截 结处于截 止状态。 止状态。PN 结PN 结PNPNI(a)加正向电压RI 0(b)加反向电压R返回9.2 半导体二极管 半导体二极管9.2.1 基本结构 ? 1、结构:将 PN 结加上相应的电极引线和 管壳,构成二极管。 ? 2、类型: ? (1)点接触型:PN 结结面积很小,工作 电流较小,一般作开关元件。 ? (2)面接触型:PN

      3、结结面积大,工作电 流大,一般用作整流。返回阳极引线阳极外壳 触丝 N 型锗片 引线铝合金小球 N 型硅PN 结 金锑合金 底座 阴极引线阴极(a)点接触型(b)面接触型(c)表示符号9.2.2 伏安特性 ? 二极管是一个 PN 结,它具有单向导电特性, PN 其伏安特性曲线如 右图: ? 硅管死区电压 0.5V。 ? 锗管死区电压 0.1V。I/mA 60 正向 40 死区 电压 20 -50 -25 O 0.4 0.8 20 击穿电压 U(BR) 40 反向 U/VI / A返回9.2.3 主要参数 ? 1.最大整流电流 IOM:二极管长时间工作 时,允许流过二极管的最 大正向平均电 流。 ? 2.反向工作峰值电压 URWM:是反向击穿 电压的 1/2 或 1/3。 ? 3.反 向峰值电流 IRM:二极管加上反向工 作峰值电压时的反向电流值。返回9.3 稳压管稳压管是一种特殊的面接触型半导体二 极管,在适当电路中能起稳定电压作用 稳定电 压作用, 稳定电压作用 固称为稳压管。 ? 其表示符号如右图: ? 1、伏安特性(右图):? 与普通二极管的差异是稳压 ? 管的反向特性曲线较陡。

      4、 ?U ? 稳压管工作于反向击穿区。稳压管工作于反向击穿区。 ? 2、主要参数 ? (1)稳定电压 UZ:稳压管在正常工作下 管子两端的电压。 返回I/mA 正向 UZ O IZ U/V 反向 IZMZ稳压二极管伏安特性? ? ? ? ? U :温度每升高 10C (2)电压温度系数时稳定电压值的相对变化量。 ?U Z (3)动态电阻 rZ : rZ = ?I Z (4)稳定电流 IZ: (5)最大允许耗散功率 PZM: P =UZIZM ZM 例:图中通过稳压管电流 IM 等于多数?R +20V 值是否合适? 20 ? 12 解:I Z = A = 5 10 ?3 A = 5mA I R=1.6KO 31.6 10ZI Z 0 放大UBC0 + + UBE0 饱 和返回? ? ? ? ? ? ? ? ? ?9.4.4 主要参数 1、电流放大系数: 和 晶体管放大能量参数。 2、集基极反 向截止电流 ICBO。 其值越小,温度稳定性越好。 3、集射极反向截止电流 ICEO。 称穿 透电流,ICEO=(1+)ICBO 4、集电极最大允许电流 ICM 值下降到正常值 2/3 时的 IC。 5、集射极反向击穿电压 U(BR)CEO 当 UCE U(BR)CEO 时,晶体管会击穿。返回6、集电极最大允许耗散功率 PCM I ? PCM=IC*UCECICMPCM 安全工作区 ICEO O U(BR)CEO UCE思考题:1.晶体管的发射极和集电极是否可 思考题: 以调换使用,为什么? ? 答: 不可以,内部结构不同。返回2.测得某一晶体管的 IB10A,IC1mA, 能否确定它的电流放大系数?什么情况 下 可以?什么情况下不可以? ? 答:不可以。放大情况下可以;饱和情 况下不可以。返回1

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