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模拟电子技术练习题库.doc

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  • 卖家[上传人]:qingbi****02000
  • 文档编号:127727528
  • 上传时间:2020-04-05
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    • 1、一、选择题1、下列选项中,( )可以构成符合管。 2、下列描述中说法正确的是 ( )。A、共基放大电路既能放大电压也能放大电流B、共基放大电路有通频带宽的优点 C、共基放大电路不能放大电压但能放大电流 D、共集放大电路既能放大电压也能放大电流3、当场效应管的漏极直流电流从2mA变为4mA时,它的低频跨导将( )。A、增大 B、减小 C、不变 D、不确定4、图1中,设二极管为理想二极管,( )V。 A、3 B、-3 C、5 D、3.7 图1 图25、测得放大状态的晶体管的直流电位如图2所示,则 ( ) 。A、该晶体管为NPN型 B、该晶体管为锗管C、集电极电位为11.3V D、发射极电位为12V6、关于三级放大电路描述正确的是( )。A、 B、 C、 D、7、正弦波振荡电路包括( )。A、放大电路、负反馈网络、选频环节、稳幅环节B、放大电路、负反馈环节、谐振电路、稳幅环节C、输入信号、放大电路、正反馈环节、选频环节D、放大电路、正反馈网络、选频环节、稳幅环节8、为了稳定输出电流且增大输入电阻可以引入( )负反馈。A、电压串联 B、电压并联 C、电流串联 D、电流并联9、关于积分电路描述正

      2、确的是( )。A、输入为矩形波,输出为尖脉冲; B、有延迟作用; C、 D、输入为正弦波,输出为矩形波10、集成运放采用直接耦合的方式是因为( )。A、可获得很高的放大倍数 B、可使温漂减小C、集成工艺难于制造大电容 D、可以放大交流信号11、NPN型晶体管构成的共射放大电路,若输出顶部失真,则发生了( )。A、交越失真 B、饱和失真 C、截止失真 D、线性失真12、放大电路输入电阻,输出电阻,信号源内阻,负载,下列说法正确的是 ( )。A、表达式中可能含有和B、表达式中不可能含有 C、表达式中不可能含有D、表达式中可能含有和13、N沟道结型场效应管的夹断电压值 ( )。A、大于零 B、小于零 C、可正可负可零 D、大于等于零14、测得放大状态的晶体管的直流电位如图3所示,则 ( ) 。A、该晶体管为NPN型 B、该晶体管为硅管C、集电极电位为12 V D、发射极电位为12.2V15、图4中,设二极管为理想二极管,( )V。 A、3 B、-3 C、5 D、3.7 图3 图416、下列选项中具有高通特性的是( )。A、耦合电容 B、 C、 D、17、当信号源为恒压源,同时想减小输出电阻应

      3、引入( )负反馈。 A、电压串联 B、电压并联 C、电流串联 D、电流并联18、欲将正弦波波上叠加上一个直流量,应选用( )电路。A、积分运算 B、加法运算 C、微分运算 D、指数运算19、下列哪个电路不是LC正弦波振荡电路( )。A、石英晶体正弦波振荡电路 B、电感反馈式振荡电路 C、电容反馈式振荡电路 D、变压器反馈式振荡电路20、在单相桥式整流电路中,若有一只整流二极管接反,则( )。A、整流管将因电流过大而烧坏 B、输出电压约为C、变为半波整流 D、输出为021、对半导体而言,其正确的说法是( )。A、P型半导体中由于多数载流子为空穴,所以它带正电。B、N型半导体中由于多数载流子为自己电子,所以它带负电。C、P型半导体和N型半导体本身都不带电。22、如图所示电路中,二极管D1、D2、D3的工作状态为( )。A、D1、D2截止,D3导通B、D1导通,D2、D3截止C、D1、D2、D3均导通23、在放大电路中,若测得某晶体管三个极的电位分别为9V、2.5V、3.2V,则这三个极分别为( )。(A)C、B、E(B)C、E、B(C)E、C、B24、对某电路中一个NPN型硅管进行测试,测

      4、得UBE0,UBC0,UCE0,则此管工作在( )。A、放大区B、饱和区、截止区25、集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( )。A、便于设计B、放大交流信号C、不易制作大容量电容26、集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可能以( )。A、减小温漂B、增大放大倍数C、提高输入电阻27、当信号频率等于放大电路的fL或fH时,放大倍数的值约为下降到中频时的( )。A、0.5倍B、0.7倍C、1.2倍28、测试放大电路输出电压幅值与相位的变化,可以得到它的频率响应,条件是( )。A、输入电压幅值不变,改变频率B、输入电压频率不变,改变幅值C、输入电压的幅值与频率同时变化29、在图所示电路中,若运算放大器的电源电压为15V,则输出电压u0最为( )。A、20VB、-20VC、15V30、整流的目的是( )。A、将交流变为直流B、将高频变为低频C、将正弦波变为方波31. 在图1所示的电路中,已知直流电压Ui=3 V,R=l k,,二极管的正向压降为0.7 V,则Uo=( )。 A、3V B、1.5V C、0.7V图1 图232. 在如图2所示电路中,稳压二极管Dz1和Dz2的稳定电压分别为5V

      5、和7V,其正向电压可忽略不计,则U0为( )。A、0VB、5V C、7V33. 在放大电路中,若测得某晶体管三个极的电位分别为-9V、-6.2V、-6V,则-6V的那个极为( )。A、集电极B、基极C、发射极34对某电路中一个NPN型硅管进行测试,测得UEB0,UBC0,则此管工作在( )。A、放大区B、饱和区、截止区35、场效应的控制方式为( )。A、输入电流控制输出电压 B、输入电流控制输出电流C、输入电压控制输出电流36、用恒流源取代长尾式放大电路中的发射极电阻Re,将使电路的( )A、差模放大倍数数值增大B、抑制共模信号能力增强C、差模输入电阻增大37、放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( )。A、耦合电容和旁路电容的存在B、半导体管极间电容和分布电容的存在C、放大电路的静态工作点不合适38、当信号频率等于放大电路的fL或fH时,放大增益下降( )。A、3dBB、4dBC、5dB39、如图所示电路中,若ui为正弦电压,则u0为( )。A、与ui同相的正弦电压B、与ui反相的正弦电压C、矩形波电压40、直流稳压电源中滤波电路的目的是( )。A、将交流变为直流B、将高

      6、频变为低频C、将交、直流混合中的交流成分滤掉41、N型半导体是在本征半导体中掺入( );P型半导体是在本征半导体中掺入( )。A三价元素,如硼等 B四价元素,如锗等 C五价元素,如磷等42、当温度升高时,二极管的反向饱和电流( )。 A增大B不变 C减小43、稳压管工作在稳压区时,其工作状态为( )。A正向导通 B反向截止 C反向击穿44、集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( )。A便于设计 B便于集成 C便于放大直流信号45、差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的( ),共模信号是两个输入端信号的( )。A差 B和 C平均值46、互补输出级采用共集接法是为了使( )。A电压放大倍数增大 B最大不失真输出电压大 C带负载能力强47、功率放大电路的转换效率是指( )。A最大输出功率与晶体管所消耗的功率之比B最大输出功率与电源提供的平均功率之比 C晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比48、分析功率放大电路时,应利用功放管的( )。A特性曲线 Bh参数等效模型 C高频等效模型49、为了稳定静态工作点,应引入 ( )。A交流负反馈 B直流负反馈 C电压负反馈 50、 为了稳定输出电压

      7、,增大输入电阻,应引人应引入( )。 A电压串联负反馈B电压并联负反馈 C电流串联负反馈51、 PN结加正向电压时,由( )形成电流,其耗尽层( );加反向电压时,由( )形成电流,其耗尽层( )。 A扩散运动; B漂移运动 C变宽; D变窄52、硅二极管的正向导通电压比锗二极管的( ),反向饱和电流比锗二极管的( )。 A大 B小 C相等53、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( )。A电阻阻值有误差 B晶体管参数的分散性C晶体管参数受温度影响 D电源电压不稳定54、选用差分放大电路作为多级放大电路的第一级的原因是( )。A克服温漂 B提高输入电阻 C提高放大倍数55、在单端输出的差分放大电路中,用恒流源取代发射极电阻Re能够使( )。A差模放大倍数数值增大B抑制共模信号能力增强C共模放大倍数数值增大56、功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时,输出基本不失真情况下,负载上可能获得的最大( )。A交流功率 B直流功率 C平均功率57、功率放大电路与电压放大电路的共同之处是( )。A都放大电压 B都放大电流 C都放大功率58、为了减小输出电阻,增大输入电阻,应引入 ( )。A电压串联负反馈 B电压并联负反馈 C电流串联负反馈59、为了展宽频带,应引人( ) 。 A交流负反馈 B直流负反馈C电压负反馈D电流负反馈60、电路如图1所示,稳压管稳压值Uz=6 V。若负载电阻的变化范围为200600,则稳压管最大稳定电流和与稳定电流之差应大于( )。 A10 mA B20mA C30mA61、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是(

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