现代电子材料与元器件3.1.
86页1、第三章 半导体材料应用 光电工程学院微电子教研中心 冯世娟 fengsj 2 3.1 半导体材料的物理基础 n1 本征半导体 图3.1 不同材料的能带结构 金刚石:5.4eV 硅:1.12eV 锗:0.67eV 本征半导体的导电 机制:依靠本征激 发的等量导带电子 和价带空穴导电。 3 3.1 半导体材料的物理基础 n2 半导体中的杂质 qn型半导体 图3.2 非本征的n型半导体 4 3.1 半导体材料的物理基础 n2 半导体中的杂质 qp型半导体 图3.2 非本征的p型半导体 5 3.1 半导体材料的物理基础 n2 半导体中的杂质 q浅能级杂质 q深能级杂质 图3.3 半导体硅中金的深能级 金在导带下0. 54eV处 有一个受主能级,在价 带上0.35eV处有一个 施主能级。 6 3.1 半导体材料的物理基础 n2 半导体中的杂质 p深能级杂质大多是多重能级。它反映出杂质可以有不同 的荷电状态:在这两个能级中都没有电子填充的情况下 ,金杂质是带正电的,当受主能级上有一个电子而施主 能级空着时,金杂质是中性的;当金杂质施主能级与受 主能级上都有一个电子的情况下,金杂质带负电。 p深能级
2、杂质和缺陷在半导体中起着多方面的作用。例如 ,它可以是有效的复合中心,使得载流子的寿命大大降 低;它可以成为非辐射复合中心,而影响发光效率;它 可以作为补偿杂质,而大大提高材料的电阻率。 7 3.1 半导体材料的物理基础 n3 费米能级和载流子浓度 由杂质能级或满带所激发的电子,使导带产生电子或使价带 产生空穴,这些电子或空穴致使半导体导电,统称为载流子 。 半导体中电子的分布遵循费米分布的一般规律。 图3.4 费米分布函数 满带中空穴的占据几率为 8 3.1 半导体材料的物理基础 n3 费米能级和载流子浓度 电子浓度 空穴浓度 电子和空穴的浓度分别决定于费米能级与导带底、费米 能级与价带顶的距离。 对于n型半导体,在杂质激发的范围,电子的数目远多于 空穴,因此费米能级EF应在禁带的上半部,接近导带。 而在p型半导体中,空穴的数目远多于电子,EF将在禁带 下部,接近于价带。 9 3.1 半导体材料的物理基础 n3 费米能级和载流子浓度 对于确定的材料来说,禁带宽度是确定的,所以电子和空 穴密度的乘积只是温度的函数。半导体中导带电子越多, 则空穴越少;反之,空穴越多则电子越少。 例如,在
3、n型半导体中,施主越多,电子越多,则空穴越 少,故电子称为多数载流子,而空穴称为少数载流子。 10 3.1 半导体材料的物理基础 n4 电导与霍尔效应 欧姆定律 迁移率一方面决定于有效质量, 一方面决定于散射几率。 散射可以是由晶格振动引起的,也 可以是由于杂质引起的。在温度较 高时,晶格振动是散射的主要原因 ,随温度的升高而增加。在低温时 ,杂质散射是主要的散射方式。 图3.5 电导率与温度的关系 11 3.1 半导体材料的物理基础 n4 电导与霍尔效应 在温度较低时,随着温度升高电导率不断增加,这是由于 在杂质电离随温度升高而增大,因而电导率对数与温度的 倒数之间存在线性关系;在高温时本征激发已成为主要影 响因素,载流子只取决于材料的能带结构,此时电导率对 数与温度的倒数之间也存在线性关系,但直线的斜率不同 。而在中间温度范围,电导率随温度的升高而降低,这是 由于此时杂质已经全部电离,因此载流子的数目不会增加 ,而晶格散射随温度升高而增加,从而使得迁移率下降。 12 3.1 半导体材料的物理基础 n4 电导与霍尔效应 q由于电导率受多种因素的影响,其中电离的杂质浓度依赖于 温度和杂
4、质能级,所以半导体中杂质浓度可能与载流子浓度 不同。为了直接测量载流子浓度和电导率,最直接的方法是 利用霍尔效应。 图3.6 霍尔效应 13 3.1 半导体材料的物理基础 n4 电导与霍尔效应 当半导体片放置在x-y平面内,电流沿x方向,磁场垂直于x-y平 面。如果是空穴导电,那么它们沿电流方向运动的同时,也受 到洛伦兹力的作用发生偏转,造成电荷的积累,从而导致一个 与洛伦兹力方向相反的电场力。 当两者相等时,霍尔系数为 对于电子导电(n型半导体),霍尔系数为 由霍尔系数可以直接测得载流子的浓度,而且,由它的符号 可以确定是空穴导电还是电子导电。 14 3.1 半导体材料的物理基础 n5 非平衡载流子 热平衡时,满足 但在外界作用下,有可能使电子浓度和空穴浓度偏离平衡值 。例如,在光照下,由价带激发电 子至导带 而产生电子空 穴对,使电子浓度增加n,空穴浓度增加p,多余的载流 子称为非平衡载流子。 多数载流子的数量一般会很大,非平衡载流子通常不会对它 的数目产生显著的影响。但对于少数载流子而言,其数量的 变化将是十分显著的。因此,在讨论非平衡载流子时,最关 心的是非平衡少数载流子。 1
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