微机基本原理存储器部分

1、1 某计算机的主存为3KB，则内存地址寄存器 需_位就足够了。 12 在某一存储系统中，设有只读存储器10KB， 随机存储器54KB，使用16位地址来寻址。其 中，只读存储器位于低地址段，其地址范围 为_。 000027FFH 若256KB的SRAM具有8条数据线，则它具有 _条地址线。 18 2 设存储器的地址线为20条，存储单元为字节 ，使用全译码方式组成存储器，该系统构成 的最大存储器容量需要64K1位的存储器芯 片的数量是_片。 128 一个有16个字的数据区，它的起始地址为 70A0:DDF6H，那么该数据区的最后一个单 元的物理地址为_。 7E814H 3 设存储器的地址线有16条，存储基本单元为 字节，若采用2K4位芯片，按全译码方法 组成存储器，当该存储器被扩充成最大容量 时，需要此种存储器芯片的数量是_。 64片 设某静态RAM芯片的容量为8K8位，若用 它组成32K8的存储器，所用芯片数以及这 种芯片的片内地址线数目是_。 4片 13根 4 用74LS138作译码器，如图所示，若将Y1接 到存储器的片选信号上，则存储器的地址范 围为_。 Y0 Y1 Y7 G1 G2

2、A G2B A B C 5V M/IO A15 A14 A13 A12 4000H4FFFH 5 某同学在做实验时，按如图连接芯片的译码 电路，得知该芯片的地址范围为3000H 37FFH。试问该芯片的CS端应接到74LS138 的_。 Y0 Y1 Y7 G1 G2A G2B A B C 5V M/IO A15 A14 A13 A12 Y6 6 12. 在如图所示的电路（与上题同一电路） ，假设Y5与电源Vcc短接，则以下四种现象 中，肯定会发生的是_。 A) 系统仍然正常工作。 B) 系统不能正常工作 C) Y5端所选择的地址范围能被照常访问 D) Y5端所选择的地址范围不能被访问D) Y5端所选择的地址范围不能被访问 7 在如图的译码电路中，为了使每个输出端接 到存储器芯片的CS端时，可以选中的地址范 围是4KB，则该图中C,B,A三端与CPU的地 址线的对应连接可为_。 A) 仅A14, A13, A12 B) 仅A12, A13, A14 C) 仅A14, A12, A13 D)A12, A13, A14任意组合 Y0 Y1 Y7 G1 G2A G2B A B C +5V M/

3、IO A15 D)A12, A13, A14任意组合 8 若要求Y4寻址的存储器范围为 8800H8FFFH，则B，C端应分别接_ 。 Y0 Y1 Y7 G1 G2A G2B A B C A15 M/IO A14 A13 A12,A11 上题中，若要求Y4寻址 的I/O端口地址范围为 0800H0FFFH，则须相 互调换的引脚信号应为 _。 M/IO，A15 9 使用256KB4的存储器芯片组成1MB的存储 器系统，其地址线至少需要_条 20 在对存储器进行访问时，地址线有效和数 据线有效的时间关系应为_。 A) 同时有效同时无效 B) 地址线较先有效 C) 数据线较先有效 B) 地址线较先有效 10 如图是8片4K8位的RAM构成的一个随机存 取存储器，如果A14A13A12分别为000111时 ，则分别被选中的存储区域（范围）的十六 机制表示是_。 RAM0 CSOE A12 A13 A14 Y0 Y1 Y7 RAM0 CSOE RAM0 CSOE A0A11 MEMR A14A13A12000 地址为0000H0FFFH A14A13A12001地址为1000H1FFFH 11

4、现有4K8位的RAM和ROM存储器芯片各 一片，其地址线连接方法如图P88所示。在 正常情况下，ROM所占的地址空间为 _，RAM所占的地址空间为_。 ROM CS A14 A0A11 A15 MEMR D0D7 A0 A11 RAM CS MEMR D0D7 A0 A11 数据总线 MEMW 4000H7FFFH 8000HBFFFH 12 PROM存储器是指_。 A) 可以读写的存储器 B) 可以由用户一次性写入的存储器 C) 可以由用户反复多次写入的存储器 D) 用户不能写入的存储器 B) 可以由用户一次性写入的存储器 13 在Intel2164动态RAM存储器中，对存储器 的刷新方法是_。 A) 每次一个单元 B) 每次刷新512个单元 C) 每次刷新256个单元 D) 一次刷新全部单元 B) 每次刷新512个单元 14 若用1片74LS138、1片6116RAM(2K8)及2 片2732EPROM(4K8)组成存储器电路，试 问： 2732的片内地址线是_根。 要求2片2732的地址范围为0000H1FFFH， 设高位地址线接至74LS138，此时A15及A12 的状态是_。

5、 存储器的总容量是_。 A) A15=1,A12=0 B) A15=0,A12=0或1 C) A15=0, A12=1 D) A15=0,A12=0 10KB 12 B) A15=0,A12=0或1 15 下述EPROM的改写过程，正确的是_ 。 A) 使WR信号有效就可以改写 B) 先用高电压擦除，再改写新数据 C) 先用紫外线擦除，再用高电压写新数据 D) 先用紫外线擦除，再用5V电压写新数据 C) 先用紫外线擦除，再用高电压写新数据 16 在进行RAM扩充实验时，某同学的接线出 现_，但存储器还能正常读写。 A) D1与D5交换B) WR与CS线交换 C) D1与A1交换D) 5V电源线与地线交换 A) D1与D5交换 在进行EPROM扩充实验时，某同学发现读 出的所有单元中的数据与原数据不一样，即 D2位总是为1，这说明发生了_。 A) 接至D2的线已断B) 电源没有接地 C) D2接至A2D) D2与A2交换 A) 接至D2的线已断 17 某微机系统的部分接线如图，在8088系统中,（a） 应接_，（b）应接_，RAM芯 片II的地址范围为_。 M/IO 经反相的M/IO F

6、E800HFEFFFH 18 若由1K1位的RAM芯片组成一个容量为8K 字（16位）的存储器时，需要该芯片数为 _。 128片 某电路用12根地址线连接4片RAM，第一 片RAM至第四片RAM的地址分别为0000H 03FFH, 0400H07FFH, 0800H0BFFH, 0C00H0FFFH, 后发现存往第二片的数据 都被存入第四片，其原因之一是_。 A) A12断线 B) A11断线 C) A10断线D) A9断线 B) A11断线 19 RAM的地址范围是_。 为了使系统能够正常工作，27128芯片的A13引脚 应接_（高、低）电平。 8255A口的地址是_。 D2000HD3FFFH 低电平 1101 11100 20 已知6116RAM(2K8)的地址范围为0000H 07FFH, 发现其中低1K字节与高1K字节的 每个对应单元内容相同(即0000H与0400H内 容相同,其余依次类推),其原因是_. A) 仅片内最高地址线与电源短路 B) 仅片内最高地址线开路 C) 仅片内最高地址线与地短路 D) 以上三种情况都可能 D) 以上三种情况都可能 21 若某RAM芯片的地

7、址线A0与地短路，则 _。 A) 该芯片不能读写数据 B) 会烧坏芯片 C) 只能读写偶地址单元 D) 只能读写奇地址单元 C) 只能读写偶地址单元 22 用1K4存储器芯片组成16K8存储器子系 统时，需用地址线总数量最少为_。 14根 一个半导体存储器的芯片的引脚有A13A0、 D3D0、WE、CE、CS、Vcc、GND等， 该芯片的存储容量是_，用该芯片组 成一个64KB的存储器，需要_个独立的片 选信号。 16K4 4 23 一个SRAM芯片，有14条地址线和8条数据线 ，问该芯片最多能储存ASCII字符的个数为 _。 16384 采用与上题相同容量的DRAM芯片，则该芯 片的地址线条数为_。 7 设某DRAM芯片的容量为16KN（N为4或8 ），它的地址线和数据线分别是_。 A0A6，D0D(N-1) 24 习题 第4章 8 25 习题 第4章 9 26 A15A14A13A12A11A10A9A8A7 A4A3 A0 00000000000000H 2716(1) 000001111107FFH 00001000000800H 2716(2) 00001111110FFFH

8、 00010000001000H 2716(3) 000101111117FFH 00011000001800H 2716(4) 00011111111FFFH ROM地址，用A13,A12,A11做译码器编码线 ，A14做低电平选通线G2B。ROM在低地址 ，译码线为Y0Y3，高地址分配给RAM 27 A15A14A13A12A11A10A9A8A7 A4A3 A0地址 00100000002000H2114(1,1) 001000111123FFH 00101000002800H2114(2,2) 00101011112BFFH 00110000003000H2114(3,3) 001100111133FFH 00111000003800H2114(4,4) 00111011113BFFH 01000000004000H2114(5,5) 010000111143FFH 01001000004800H2114(6,6) 01001011114BFFH 01010000005000H2114(7,7) 010100111153FFH 01011000005800H2114(8,8) 01011011115BFFH 28 用两片74LS138译码，A14分别接这两片的选 通端，A14为低第一片译码器工作，为高， 第二片译码器工作。 29 4_12题 304_13题

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