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模电复习题课件

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模电复习题课件

复习题 1.1 在某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰-峰值分别为A和5mV,输出端接k电阻负载,测量到正弦电压信号峰-峰值为V。试计算该放大电路的电压增益Av、电流增益Ai、功率增益Ap,并分别换算成dB数表示。,解,1.2 当负载电阻RL=1k时,电压放大电路输出电压比负载开路(RL=)时输出电压减少20,求该放大电路的输出电阻Ro。 解,2.1电路如图所示,运放均为理想运放, 求uO与uI1、uI2和uI3的运算关系。,解:,2.2如图,运放为理想运放,求uO与uI的运算关系。,解 利用虚地VN=0和虚断iN=iP=0的概念,列出节点N和M的电流方程为 解上述方程组得,2.3画出积分运算电路并写出输出表达式,2.4画出微分运算电路并写出输出表达式,2.5电路如图所示,运放为理想运放。求输出电压与各输入电压的运算关系。,2.6 电路如图所示,运放为理想运放。 求输出电压的表达式。,解:,3.1二极管具有什么特性?理想二极管的正向电阻为多少?反向电阻为多少?稳压二极管应工作在什么状态?(单向导电性、0、反向击穿) 3.2PN结加反向电压时,空间电荷区将变宽还是变窄 ?(变宽) 3.3二极管的正向电阻为5K,反向电阻为500K,该二极管的性能为(正常)。 3.4PN结中扩散电流的方向是从( P )区( N )区,漂移电流的方向是从( N )区到( P)区。 3.5在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为 P 型半导体。( ) 3.6因为 N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( × ) 3.7PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( ) 3.8设二极管的端电压为 U,则二极管的电流方程是( ),3.9写出下图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压 UD0.7V。 解:UO11.3V,UO20,UO31.3V,UO42V,UO51.3V, UO62V。,四、已知稳压管的稳压值 UZ6V,稳定电流的最小值 IZmin5mA。求下图所示电路中 UO1 和 UO2 各为多少伏。 解:UO16V,UO25V。,4.1BJT放大电路包括共射哪三种组态,其中哪种组态输出电阻最小?哪种组态无电压放大能力? 共基(CB)、共集(CC)、共射(CE) 、共集、共集,4.2测得某放大电路中的BJT三个电极A、B、C对地电位分别VA=8V ,VB=5V ,VC=5.7V, 试判断BJT 的三个电极和管型。 (A是集电极,B是发射电极,C是基电极;NPN型) 4.3测得某放大电路中的BJT三个电极A、B、C对地电位分别为VA=V ,VB=V,VC= .2V,试判断BJT 的三个电极和管型 (A是集电极,B是发射电极,C是基电极;PNP型) 4.4测得NPN三极管的管脚电位分别为VB=3.7V,VE=3V, VC=3.3V,则三极管工作什么状态? (饱和) 4.5测得NPN三极管的管脚电位分别为VB=3.7V,VE=3V,VC=7V,则三极管工作状态为( )。 放大,4.6常用的BJT具有 作用,此时应工作在 状态;而FET管是一种 的有源器件,其二种特性曲线为 。 (电流放大、放大、压控型、转移特性和漏极特性) 4.7BJT电路中,输出电压与输入电压同相且有放大能力的组态是哪种? CB 4.8多级放大电路的输出电阻等于( )。 最后一级的输出电阻 各级输出电阻之和 第一级的输出电阻 4.9二个NPN管组成的复合管,其电流放大倍数 分别为80和50,则该复合管的电流放大倍数为多少? 4000,4.10半导体三相管工作在放大状态时,测的二个极的电流如图所示。另一极电流的大小为 ;管脚 分别是 极 极和 极 (0.03 mA、集电、发射、基) 4.11NPN管组成的共射放大电路,Q点设置太低,输出电压的波形会出现什么? 截止失真 4.12 NPN管共射放大电路中,输入为正弦波,输出为顶部失真,即 ( )失真,原因是( ),可采用( )和 ( )进行调节。 截止、Q点太低、减小Rb、增大Rc 4.13NPN管组成的共射放大电路,Q点设置太高,输出电压的波形会出现什么失真? 饱和失真,4.14BJT特性曲线常用 和 来表达。 (输入特性曲线、输出特性曲线) 4.15对于单管共射放大电路,当f=fH时,uO与ui的相位关系是( );当f=fL时,uO与ui的相位关系是( )。 4.16当信号频率等于放大电路中的fL时,增益将比中频时下降多少? db,4.17电路如下图所示,已知BJT的=40,VBE=0。 (1)估算Q点;(2)画出简化H参数小信号等效电路图;(3)估算电路的电压放大倍数AV。,解(1)IBVCC/Rb=12/300=0.04mA IC=IB=40×0.04=1.6mA VCE=VCC-ICRC=12-1.6×4=5.6V (2) (3)rbe=200+(1+)26/IE=200+(1+40)26/1.6 =0.866K AV=-RC/rbe=-40×4/0.866=- 185,4.18如图,RC=2K,Re=600, Rb=200K,VCC=15V, =40 ,UBE=0.7V,rbe=800, 试估算放大电路的Q点 画出微变等效电路 计算Au、Ri和R0。,解(1)由VCC=IBRb+VBE+(1+)IBRe得: IB=(VCC-VBE)/Rb+(1+)Re=(15-0.7)/ 200+(1+40)0.6=0.063mA IC=IB=40×0.063=2.54mA VCE=VCC-IC(RC+Re)=15-2.54(2+0.6)=8.4V (2) (3)AV=-RC/rbe+(1+)Re=-40×2/0.8+(1+40)0.6 =-3.1 Ri=Rbrbe+(1+)Re=2000.8+(1+40)0.6=22.5K Ro=RC=2 K,4.19如图,T管放大倍数为=80 ,VBE=0, =200.(1)用估算公式法求Q点(2)求电压增益Av、Ri和Ro,解:(1)VB=20×16/(20+60)=4V ICIE=4/2=2mA IB=2/800=0.025mA=25A VCE=16-2(3+2)=6V Ri=60201.251.15K Ro=Rc=3K,4.20如图:T管放大倍数为=80 ,rbe=1K. (1)求电压增益Av、Ri和Ro (2)如电容C开路,定性分析Av、Ri和Ro如何变化?,解: Ri=Rb1Rb2rbe+(1+)Re1 = 2551+(1+80)0.3=3.4K Ro=RC=5 K (2)Av减小;Ri增大;Ro不变。,4.21 BJT工作在放大区时,发射结( )偏置,集电结( )偏置;工作在饱和区时,发射结( )偏置,集电结( )偏置。 正向 反向 正向 正向,4.22某晶体管的输出特性曲线如图所示,其集电极最大耗散功率PCM200mW,试画出它的过损耗区。 解:根据 PCM200mW 可得:UCE40V 时 IC5mA,UCE30V 时 IC6.67mA,UCE20V 时 IC10mA,UCE10V 时 IC20mA,将各点连接成曲线,即为临界过损耗线,如图所示。临界过损耗线的左边为过损耗区。,5.1为什么JFET的输入电阻比BJT高得多?为什么MOSFET的输入电阻比JFET还高?,答:这是由于BJT的发射极处于正向偏置状态,JFET栅源间的PN处于反向偏置状态,MOSFET的栅极处于绝缘状态。,5.2场效应管的输入电阻很(大)。 5.3 UGS0V 时,能够工作在恒流区的场效应管有( A C )。 结型管 B. 增强型 MOS 管 C. 耗尽型 MOS 管 5.4测得某放大电路中三个 MOS 管的三个电极的电位如 表所示,它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作 状态。(恒流区、截止区、可变电阻区),5.5结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受(反向)电压,才能保证其 RGS 大的特点。 5.6已知放大电路中一只 N 沟道场效应管三个极、的电位分别为 4V、8V、12V,管子工作在恒流区。试判断它可能是哪种管子(结型管、MOS 管、增强型、耗尽型),并说明 、与 G、S、D 的对应关系。 解:管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管,三个极、与 G、S、D 的对应关系如图所示。,6.7已知某结型场效应管的 IDSS2mA,UGS( off) 4V,试画出它的转移特性曲线和输出特性曲线,并近似画出预夹断轨迹。 解:根据方程 逐点求出确定的 uGS 下的 iD,可近似画出转移特性和输出特性;在输出特性中,将各条曲线上 uGDUGS( off) 的点连接起来,便为预夹断线,6.8当场效应管的漏极直流电流 ID 从 2mA 变为 4mA 时,它的低频跨导 gm 将(增大)。 6.9已知场效应管的输出特性曲线如图所示,画出它在恒流区的转移特性曲线。,解:在场效应管的恒流区作横坐标的垂线如图(a)所示,读出其与各条曲线交点的纵坐标值及 UGS 值,建立 iDf(uGS)坐标系,描点,连线,即可得到转移特性曲线,如图(b)所示。,6.1. 集成运放采用直接耦合方式是因为什么? 集成工艺难于制造大容量电容 6.2.为增加电压放大倍数,集成运放的中间级多采用( )放大电路。 CE CB CC,7.1欲增大电路的输入电阻,增大带负载能力,放大电路中应引入( )负反馈。 电压串联 7.2引入负反馈的原则是:为了增大输入电阻,引入 负反馈,稳定输出电压,应引入 负反馈;负反馈能 频带和 放大倍数的稳定性。 串联、电压、拓宽、增大 7.3为了减小输入电阻,稳定输出电压,放大电路应引入( )负反馈。 电压并联 7.4欲从信号源获得更小电流,并稳定输出电流,电路应引入( )负反馈。 电流串联,7.5如图,已知R120K,R2120 K,R34 K, RL6 K。求解在深度负反馈条件下的AUf.,解: 反馈通路: T、 R3、 R2与R1 电路引入电流串联负反馈,7.6判断如图所示的放大电路级间引入什么反馈?并计算在深度负反馈下,反馈系数和闭环电压放大倍数?,RC,Re,(1)电流并联负反馈 (2),7.7电路如下图所示,已知A为高增益运放, 电路如下图所示,已知A为高增益运放,R2=30K,R1=4K,RS=2K,RL=6K。(1)分析电路引入何种反馈;(2)计算该电路的电压增益A

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