《电力电子器》ppt课件-2

电力电子技术,武汉理工大学自动化学院,第1章 电力电子器件,1.1 电力电子器件概述,1.1.1 电力电子器件的概念和特征 概念： 主电路（Power Circuit）-电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路。 电力电子器件（power electronic device）可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。,电力电子器件的特征：,(1) 能处理电功率的大小，即承受电压和电流 的能力，是最重要的参数,(2) 电力电子器件一般都工作在开关状态,导通时（通态）阻抗很小，接近于短路，管压降接 近于零，而电流由外电路决定,阻断时（断态）阻抗很大，接近于断路，电流几乎为零，而管子两端电压由外电路决定,动态特性和参数，也是电力电子器件特性很重要的方面，有些时候甚至上升为第一位的重要问题,作电路分析时，为简单起见往往用理想开关来代替,(3) 实用中，电力电子器件往往需要由信息电子电路来控制,在主电路和控制电路之间，需要一定的中间电路对控制电路的信号进行放大，这就是电力电子器件的驱动电路,(4)为保证不致于因损耗散发的热量导致器件温度过高而损坏，不仅在器件封装上讲究散热设计，在其工作时一般都要安装散热器,导通时器件上有一定的通态压降，形成通态损耗,阻断时器件上有微小的断态漏电流流过，形成断态损耗,在器件开通或关断的转换过程中产生开通损耗和关断损耗，总称开关损耗,对某些器件来讲，驱动电路向其注入的功率也是造成器件发热的原因之一,器件开关频率较高时，开关损耗会可能成为器件功率损耗的主要因素,通常断态漏电流极小，因而通态损耗是器件功率损耗的主要成因,1.1.2 应用电力电子器件的系统组成,电力电子系统：由控制电路、驱动电路和以电力电子器件为核心的主电路组成,在一个电力电子系统中还包括： 检测电路。检测实际信号。 电气隔离电路。将主电路和控制电路利用光、磁等手段隔离。 保护电路。电力电子器件承受过电压和过电流的能力较差，因此在主电路和控制电路中需要附加一些保护电路，以保证整个电力系统和电力电子器件的正常运行。,器件一般有三个端子，其中两个联结在主电路中，而第三端被称为控制端。 器件通断是通过在其控制端和一个主电路端子之间加一定的信号来控制的， 这个主电路端子是驱动电路和主电路的公共端。,1.1.3 电力电子器件的分类,(1) 半控型器件控制信号可以控制导通而不能控制关断 晶闸管（Thyristor）及其大部分派生器件 器件的关断由其在主电路中承受的电压和电流决定,(2) 全控型器件既可控制其导通又可控制其关断 绝缘栅双极晶体管（Insulated-Gate Bipolar TransistorIGBT） 电力场效应晶体管（Power MOSFET，简称为电力MOSFET） 门极可关断晶闸管（Gate-Turn-Off Thyristor GTO）,按照器件能够被控制的程度，分为以下三类：,电流驱动型通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断的控制,电压驱动型仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制,电压驱动型器件实际上是通过加在控制端上的电压，在器件的两个主电路端子之间产生可控的电场来改变流过器件的电流大小和通断状态，所以又称为场控器件，或场效应器件,按照驱动信号的 性质，分为两类：,根据驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的有效信号的波形分两类： 脉冲触发型在控制端施加一个脉冲信号来控制器件的通断，一旦器件进入导通或阻断，器件能维持开通或阻断。 电平控制型必须始终在控制端施加一定电平的信号来维持器件的开通或阻断。,单极型器件由一种载流子参与导电的器件 双极型器件由电子和空穴两种载流子参与导电的器件 复合型器件由单极型器件和双极型器件集成混合而成的器件,按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的 情况分为三类：,本章内容和学习要点,介绍各种器件的工作原理、基本特性、主要参数以及选择和使用中应注意的一些问题，电力电子器件的驱动、保护和串、并联使用这三个问题在后面讲述。,最重要的是掌握其基本特性,掌握电力电子器件参数和特性曲线的使用方法，这是在实际中正确应用电力电子器件的两个基本要求,1.2 不可控器件-电力二极管,电力二极管（Power Diode）自20世纪50年代获得应用。它是不可控器件。,结构和原理简单，工作可靠。 快恢复二极管和肖特基二极管，分别 在中、高频整流和逆变，以及低压高频整流的场合，具有不可替代的地位,整流二极管及模块,1.2.1 PN结与电力二极管的工作原理,结构和原理与信息电子电路中的二极管一样,以半导体PN结为基础,组成：由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的,从外形上看，主要有螺栓型和平板型两种封装,图1-2 电力二极管的外形、结构和电气图形符号 a) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号,图1-3 PN结的形成,PN结的正向导通状态 电导调制效应使得PN结在正向电流较大时压降仍然很低，维持在1V左右，所以正向偏置的PN结表现为低阻态,PN结的反向击穿 有雪崩击穿和齐纳击穿两种形式，可能导致热击穿,PN结的电容效应： PN结的电荷量随外加电压而变化，呈现电容效应，称 为结电容CJ，又称为微分电容。结电容按其产生机制和作用的差别分为势垒电容CB和扩散电容CD,PN结的反向截止状态 PN结的单向导电性： 二极管的基本原理就在于PN结的单向导电性这一主 要特征,势垒电容只在外加电压变化时才起作用，外加电压频率越高，势垒电容作用越明显。势垒电容的大小与PN结截面积成正比，与阻挡层厚度成反比,而扩散电容仅在正向偏置时起作用。在正向偏置时，当正向电压较低时，势垒电容为主；正向电压较高时，扩散电容为结电容主要成分,结电容影响PN结的工作频率，特别是在高速开关的状态下，可能使其单向导电性变差，甚至不能工作，应用时应加以注意。,电力二极管和信息电子电路中的普通二极管区别：,正向导通时要流过很大的电流，其电流密度较大，因而额外载流子的注入水平较高，电导调制效应不能忽略,引线和焊接电阻的压降等都有明显的影响,承受的电流变化率di/dt较大，因而其引线和器件自身的电感效应也会有较大影响,为了提高反向耐压，其掺杂浓度低也造成正向压降较大,1.2.2电力二极管的基本特性,图1-4 电力二极管的伏安特性,1. 静态特性 主要指伏安特性 当电力二极管承受的正向电压大到一定值（门槛电压UTO），正向电流才开始明显增加，处于稳定导通状态。与正向电流IF对应的电力二极管两端的电压UF即为其正向电压降。当电力二极管承受反向电压时，只有少子引起的微小而数值恒定的反向漏电流,2. 动态特性 因结电容的存在，状态之间的转换必然有一个过渡过, 此过程中的电压电流特性是随时间变化的,开关特性反映通态和断态之间的转换过程,关断过程： 须经过一段短暂的时间才能重新获得反向阻断能力，进入截止状态 在关断之前有较大的反向电流出现，并伴随有明显的反向电压过冲,开通过程：电力二极管的正向压降先出现一个过冲UFP，经过一段时间才趋于接近稳态压降的某个值（如 2V）。这一动态过程时间被称为正向恢复时间tfr。 电导调制效应起作用需一定的时间来储存大量少子，达到稳态导通前管压降较大 正向电流的上升会因器件自身的电感而产生较大压降。电流上升率越大，UFP越高,延迟时间：td= t1- t0, 电流下降时间：tf= t2- t1 反向恢复时间：trr= td+ tf 恢复特性的软度或称恢复系数： Sr= tf /td,1.2.3电力二极管的主要参数,1. 正向平均电流IF(AV) 额定电流在指定的管壳温度（简称壳温，用TC表示）和散热条件下，其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值 正向平均电流是按照电流的发热效应来定义的，因此使用时应按有效值相等的原则来选取电流定额，并应留有一定的裕量。 当用在频率较高的场合时，开关损耗造成的发热往往不能忽略 当采用反向漏电流较大的电力二极管时，其断态损耗造成的发热效应也不小,2. 正向压降UF 指电力二极管在指定温度下，流过某一指定的稳态正向电流时对应的正向压降 有时参数表中也给出在指定温度下流过某一瞬态正向大电流时器件的最大瞬时正向压降,3. 反向重复峰值电压URRM 指对电力二极管所能重复施加的反向最高峰值电压 通常是其雪崩击穿电压UB的2/3 使用时，往往按照电路中电力二极管可能承受的反向最高峰值电压的两倍来选定,4. 最高工作结温TJM 结温是指管芯PN结的平均温度，用TJ表示 最高工作结温是指在PN结不致损坏的前提下所能承受的最高平均温度 TJM通常在125175C范围之内,5. 反向恢复时间trr trr= td+ tf ，关断过程中，电流降到0起到恢复反响阻断能力止的时间,6. 浪涌电流IFSM 指电力二极管所能承受最大的连续一个或几个工频周期的过电流。,1.2.4电力二极管的主要类型,按照正向压降、反向耐压、反向漏电流等性能，特别是反向恢复特性的不同介绍 在应用时，应根据不同场合的不同要求选择不同类型的电力二极管 性能上的不同是由半导体物理结构和工艺上的差别造成的,1. 普通二极管（General Purpose Diode） 又称整流二极管（Rectifier Diode） 多用于开关频率不高（1kHz以下）的整流电路中 其反向恢复时间较长,一般在5s以上,这在开关频率不高时并不重要 正向电流定额和反向电压定额可以达到很高，分别可达数千安和数千伏以上,2. 快恢复二极管（Fast Recovery Diode - FRD） 恢复过程很短特别是反向恢复过程很短（5s以下）的二极管，也简称快速二极管 工艺上多采用了掺金措施 有的采用PN结型结构 有的采用改进的PiN结构,采用外延型PiN结构的的快恢复外延二极管（Fast Recovery Epitaxial DiodesFRED）,其反向恢复时间更短（可低于50ns），正向压降也很低（0.9V左右），但其反向耐压多在400V以下,从性能上可分为快速恢复和超快速恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100ns以下，甚至达到2030ns。,3. 肖特基二极管 以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖特基势垒二极管（Schottky Barrier DiodeSBD），简称为肖特基二极管 20世纪80年代以来,由于工艺的发展得以在电力电子电路中广泛应用,肖特基二极管的弱点 反向耐压提高其正向压降也会高得不能满足要求,多用于200V以下 反向漏电流较大且对温度敏感，因此反向稳态损耗不能忽略，而且必须更严格地限制其工作温度,肖特基二极管的优点 反向恢复时间很短（1040ns） 正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲 在反向耐压较低的情况下其正向压降很小，明显低于快恢复二极管 其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还要小，效率高,1.3 半控型器件-晶闸管,晶闸管（Thyristor）：晶体闸流管，可控硅整流器（Silicon Controlled RectifierSCR） 1956年美国贝尔实验室（Bell Lab）发明了晶闸管 1957年美国通用电气公司（GE）开发出第一只晶闸管产品 1958年商业化 开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代 20世纪80年代以来，开始被性能更好的全控型器件取代 能承受的电压和电流容量最高，工作可靠，在大容量的场合具有重要地位 晶闸管往往专指晶闸管的一种基本类型普通晶闸管广义上讲，晶闸管还包括其许多类型的派生器件,1.3.1 晶闸管的结构与工作原理,外形有螺栓型和平板型两种封装 引出阳极A、阴极K和门极（控制端）G三个联接端 对于螺栓型封装，通常螺栓是其阳极，能与散热器紧密联接且安装方便 平板型封装的晶闸管可由两个散热器将其夹在中间,图1-6 晶闸管的外形、结构和电气图形符号 a) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号,图1-7 晶闸管的双