瓷片电容组成材料

为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划瓷片电容组成材料电容材料认识电容定义:电容是表征电容器容纳电荷的本领的物理量。我们把电容器的两极板间的电势差增加1伏所需的电量，叫做电容器的电容。电容的符号是C在国际单位制里，电容的单位是法拉，简称法，符号是F,常用的电容单位有毫法(mF)、微法(F)、纳法(nF)和皮法(pF)(皮法又称微微法)等电容是一种储能元件，隔直流通交流作用：在电路中起滤波、耦合、旁路、调谐和能量转换等作用换算关系是：1法拉(F)=1000毫法(mF)微法(F)1微法(F)=1000纳法(nF)=皮法(pF)。电容器的型号命名方法国产电容器的型号一般由四部分组成。依次分别代表名称、材料、分类和序号。第一部分：名称，用字母表示，电容器用C。第二部分：材料，用字母表示。第三部分：分类，一般用数字表示，个别用字母表示。第四部分：序号，用数字表示。用字母表示产品的材料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10F/16V容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示字母表示法：1m=1000F1P2=1n=1000PF数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数宇，第三位数宇表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。如：102表示标称容量为1000pF。221表示标称容量为220pF。224表示标称容量为22x10(4)pF。在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用"9"表示时，是用有效数宇乘上10-1来表示容量大小。如:229表示标称容量为22x(10-1)pF=。允许误差±1%±2%±5%±10%±15%±20%如：一瓷片电容为104J表示容量为F、误差为±5%。标称电容量和允许偏差标称电容量是标志在电容器上的电容量。电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差，在允许的偏差范围称精度。精度等级与允许误差对应关系：00-±1%、0-±2%、-±5%、-±10%、-±20%、-、-、-电容器的分类1、按照结构分三大类：固定电容器、可变电容器和微调电容器。2、按电解质分类有：有机介质电容器、无机介质电容器、电解电容器和空气介质电容器等。3、按用途分有：高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型电容器。陶瓷电容器的特性及选用陶瓷电容器是目前电子设备中使用最广泛的一种电容器，占整个电容器使用数量的50%左右，但由于许多人对其特性了解不足导致在使用上缺乏应有的重视。为达到部品使用的规范化和标准化要求，下面对陶瓷电容器的特性及我司使用中需要注意的事项做一概况说明：一、陶瓷电容器特性分类：陶瓷电容器具有耐热性能好，绝缘性能优良，结构简单，价格低廉等优点，但不同陶瓷材料其特性有非常大的差异，必须根据使用要求正确选用。陶瓷电容按频率特性分有高频瓷介电容器和低频瓷介电容器；按耐压区分有高压瓷介电容器和低压瓷介电容器，现分述如下：1高频瓷介电容器该类瓷介电容器的损耗在很宽的范围内随频率的变化很小，并且高频损耗值很小,，最高使用频率可达1000MHz以上。同时该类瓷介电容器温度特性优良，适用于高频谐振、滤波和温度补偿等对容量和稳定度要求较高的电路。其国标型号为CC1和CC81，目前我司常用的温度特性组别有CH和SL组，其常规容量范围对应如下：表中温度系数C=1/CX106，是指在允许温度范围内，温度每变化1°C，电容量的相对变化率。由上表看出，1类瓷介电容器的温度系数很小，尤其是CH特性，因此也常把1类瓷介电容器中CH电容称为温度补偿电容器。但由于该类陶瓷材料的介电常数较小，因此其容量值难以做高。因此当需要更高容量值的电容时，则只能在下面介绍的2类瓷介电容中寻找。2、低频瓷介电容器该类瓷介电容的陶瓷材料介电常数较大，因而制成的电容器体积小，容量范围宽，但频率特性和温度特性较差，因此只适合于对容量、损耗和温度特性要求不高的低频电路做旁路、耦合、滤波等电路使用。国标型号为CT1和CT81，其常用温度特性组别和常规容量范围对应如下：中2R组为低损耗电容，由于其自身温升小，频率特性较好，因而可以用于频率较高的场合。对低压瓷介电容，当容量大于47000pF时，则只能选择3类瓷介电容器，例如：我司大量使用的26-ABC104-ZFX，但该类电容温度特性更差，绝缘电阻较低，只是因高介电材料，体积可以做得很小。因此只适用要求较低的工作电路。如选用较大容量电容，而对容量和温度特性又有较高使用要求，则应选用27类有机薄膜电容器。3、交流瓷介电容器根据交流电源的安全性使用要求，在2类瓷介电容器中专门设计生产了一种绝缘特性和抗电强度很高的交流瓷介电容器，亦称Y电容，按绝缘等级划分为Y1、Y2、Y3三大系列，其用途和特性分类如下：为26-APKXXX-KBX/MEX。Y2类电容适用于跨接电源和消火花电路等有安全特性要求的场合。Y3类电容适用于无安全特性要求的普通交流电路中做滤波、旁路等位置使用。例如：我公司使用物料26-AQK472-ZFX。Y电容的绝缘电阻等级标记均在电容本体上有打印标识，请在使用时注意识别。二、陶瓷电容器的封装和外形尺寸说明。陶瓷电容器虽有上述很多优点，但因陶瓷材料本身机械强度低、易破碎这一缺陷，使其圆片的几何尺寸受到限制，这也是不同温度特性有不同容量范围的主要原因。通常标准上对低压圆片电容的允许直径D12mm，高压电容的圆片允许直径D16mm。如超过这一尺寸，生产加工难度和废品率就会有很大增加，并且在瓷片本体上产生的微小裂纹都将对电容器的可靠性产生很大隐患。因不同厂家在材料研制和工艺制造方面的水平不同，其外形尺寸标准也有差异，故其容量标称范围也有部分区别。因此上述容量划分表只是一个行业平均水平汇总的结果，今后随着材料工艺的进一步提高，陶瓷电容的尺寸会进一步缩小，其容量范围就会进一步扩大。圆片式瓷介电容器的包封形式通常按电压区分，500VDC以下的低压产品CC1、CT1系列均采用酚醛树脂包封，该树脂绝缘强度和耐湿性较差，但成本较低。为改善耐湿性，此类包封外层均浸用一层薄蜡。1KVDC以下和交流电容系列，均采用绝缘强度和耐湿特性优良的阻燃环氧树脂包封。除圆片式瓷介电容器外，目前还广泛使用的有轴向引线色环陶瓷电容和贴片式陶瓷电容，其内部结构为叠层方式，因而体积很小，但容量可以达到1F以上，非常利于装配，但由于其结构限制，绝缘电阻和耐压无法做得很高，因而目前只限于低压产品，其损耗和温度特性与圆片电容相同。三、陶瓷电容的选用及注意事宜1保证物料选用的通用性和标准化：因不同的温度特性对应不同的容量范围和精度标准，因此在选用时必须符合系列标准，且容值的选取必须符合E24系列值。目前我司有许多违返反述标准的P/N存在，如26-ABC472-JZX，28-AB0XXX-JBX等，此类问题主要是因为部分设计师对陶瓷电容的温度特性缺乏必要了解造成的。2应根据线路使用工作状态和环境条件，选择合适的型号，其主要参数应满足线路使用要求。1）于高频谐振电路，除要求电容器损耗小外，还要求容量有良好的温度稳定性，通常选用1类瓷介电容，其中CH特性亦称为零温度系数产品，其容量基本不随温度而变化，但其容量仅在几PF几百PF之间。2）对于做低频耦合、旁路、滤波的电容器，往住考滤小型化及低本成是主要的，而对损耗和容量的温度稳定性要求不高，一般可选用2类瓷介电容器，其容量选择范围较宽。3）陶瓷电容器虽然耐压余量较薄膜电容器和电解电容器要大，但也不允许在超过其额定电压的条件下使用，否则由于电极中的金属离子在强电场作用下在陶瓷介质中的迁移速度加快而导致电容器绝缘电阻下降而影响整机长期工作的可靠性。4）对于高温和高压条件下工作的电容器，应注意选用绝缘电阻较高的产品，以防因漏电增大产生恶性循环导致电容器失效。通常绝缘电阻IR10000M。例如:在CRT加速极滤波位置应选用2KV耐压低损耗产品，以降低温升并保证有足够的绝缘电阻；对于行逆程电路，因对容量的稳定性和损耗要求较高，只能选用1类高压瓷介电容器，做为聚丙烯电容的容量补偿电容使用，否则会造成严重质量隐患。综上所述，陶瓷电容与其它电容相比，不同之处主要是陶瓷电容器根据材料不同存在许多不同的温度组别，其特性和容量范围即有很大差异。如果我司工程技术人员对此有充分的了解，系统内就会减少很多不符合陶瓷电容特性的部品编码，同时也可避免因选型不当造成的质量隐患。以上意见仅是本人对陶瓷电容器特性的粗略的理解，欢迎各位技术人员批评指正，共同交流。谢谢！部品部穆亚平XX年3月14日多层陶瓷电容器1介电陶瓷层3内电极4和5层压材料2层压材料2的端面6和7外电极(Ag)8和9第一电镀层1011第二电镀层12和13圖一、多層陶瓷技術之流程圖。目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。