电子文档交易市场
安卓APP | ios版本
电子文档交易市场
安卓APP | ios版本
换一换
首页 金锄头文库 > 资源分类 > PPT文档下载
分享到微信 分享到微博 分享到QQ空间

电力电子技术(黄家善高职)

  • 资源ID:51805416       资源大小:1.25MB        全文页数:25页
  • 资源格式: PPT        下载积分:10金贝
快捷下载 游客一键下载
账号登录下载
微信登录下载
三方登录下载: 微信开放平台登录   支付宝登录   QQ登录  
二维码
微信扫一扫登录
下载资源需要10金贝
邮箱/手机:
温馨提示:
快捷下载时,用户名和密码都是您填写的邮箱或者手机号,方便查询和重复下载(系统自动生成)。
如填写123,账号就是123,密码也是123。
支付方式: 支付宝    微信支付   
验证码:   换一换

 
账号:
密码:
验证码:   换一换
  忘记密码?
    
1、金锄头文库是“C2C”交易模式,即卖家上传的文档直接由买家下载,本站只是中间服务平台,本站所有文档下载所得的收益全部归上传人(卖家)所有,作为网络服务商,若您的权利被侵害请及时联系右侧客服;
2、如你看到网页展示的文档有jinchutou.com水印,是因预览和防盗链等技术需要对部份页面进行转换压缩成图而已,我们并不对上传的文档进行任何编辑或修改,文档下载后都不会有jinchutou.com水印标识,下载后原文更清晰;
3、所有的PPT和DOC文档都被视为“模板”,允许上传人保留章节、目录结构的情况下删减部份的内容;下载前须认真查看,确认无误后再购买;
4、文档大部份都是可以预览的,金锄头文库作为内容存储提供商,无法对各卖家所售文档的真实性、完整性、准确性以及专业性等问题提供审核和保证,请慎重购买;
5、文档的总页数、文档格式和文档大小以系统显示为准(内容中显示的页数不一定正确),网站客服只以系统显示的页数、文件格式、文档大小作为仲裁依据;
6、如果您还有什么不清楚的或需要我们协助,可以点击右侧栏的客服。
下载须知 | 常见问题汇总

电力电子技术(黄家善高职)

书名:电力电子技术(第版) 作者:黄家善 主编 ISBN: 7-111-15734-6 出版社:机械工业出版社 本书配有电子课件电力电子技术 高职高专 ppt 课件第二章第二章 全控型电力电子器件全控型电力电子器件n nGTOGTO门极可关断晶闸管门极可关断晶闸管n nGTRGTR电力晶体管电力晶体管n nMOSFETMOSFET电力场效应晶体管电力场效应晶体管 n nIGBTIGBT门极绝缘栅双极晶体管门极绝缘栅双极晶体管电力电子技术 高职高专 ppt 课件模块电力电子技术 高职高专 ppt 课件IGBT电力电子技术 高职高专 ppt 课件1.1 什么是电力电子技术-电力电子器件电力电子技术 高职高专 ppt 课件开关器件IGCT驱动电路GCT4kA/4.5kV IGCT663A/4.5kV IGCTGCT分解部件1.1 什么是电力电子技术-开关器件电力电子技术 高职高专 ppt 课件第一节第一节 门极可关断(门极可关断(GTOGTO)晶闸管晶闸管1. 1. 结构结构Ø与普通晶闸管的相同点:PNPN四层半导体结 构,外部引出阳极、阴极和门极;Ø和普通晶闸管的不同点:GTO是一种多元的功 率集成器件,内部包含数十个甚至数百个共阳 极的小GTO元,这些GTO元的阴极和门极则在器 件内部并联在一起。电力电子技术 高职高专 ppt 课件2. 2. 导通关断条件导通关断条件导通:同晶闸管,AK正偏,GK正偏关断:门极加负脉冲电流电力电子技术 高职高专 ppt 课件3.特点n全控型n容量大n off5n电流控制型 电流关断增益off : 最大可关断 阳极电流与门极负脉冲电流最大 值IGM之比称为电流关断增益1000A的GTO关断时门极负脉冲电流峰值要200A 。电力电子技术 高职高专 ppt 课件第二节第二节 GTRGTR电力晶体管电力晶体管Ø电力晶体管GTR (Giant Transistor,巨型晶体管)Ø耐高电压、大电流的双极结型晶体管(Bipolar Junction TransistorBJT),英文有时候也称为 Power BJTØ在电力电子技术的范围内,GTR与BJT这两个名称等效 。应用应用Ø20世纪80年代以来,在中、小功率范围内取代晶闸管, 但目前又大多被IGBT和电力MOSFET取代电力电子技术 高职高专 ppt 课件1.单管GTR n单管GTR的基本工作原理与晶体管相同n作为大功率开关管应用时,GTR工作在截止 和导通两种状态。n主要特性是耐压高、电流大、开关特性好2达林顿GTRn单管 GTR的电流增益低,将给基极驱动电 路造成负担。达林顿结构是提高电流增益提高电流增益 一种有效方式。n达林顿结构由两个或多个晶体管复合而成 ,可以是PNP型也可以是NPN型,其性质由 驱动管来决定n 达林顿GTR的开关速度慢,损耗大 3GTR 模块n将 GTR管芯、稳定电阻、加速二极管、 续流二极管等组装成一个单元,然后根 据不同用途将几个单元电路组装在一个 外壳之内构成GTR模块。n目前生产的GTR模块可将多达6个互相绝 缘的单元电路做在同一模块内,可很方 便地组成三相桥式电路。 3. GTR3. GTR的二次击穿现象的二次击穿现象一次击穿v集电极电压升高至击穿电压时,Ic迅速增大,出现雪 崩击穿;v只要Ic不超过限度,GTR一般不会损坏,工作特性也 不变。二次击穿v一次击穿发生时,如果继续增高外接电压,则Ic继续 增大,当达到某个临界点时,Uce会突然降低至一个 小值,同时导致Ic急剧上升,这种现象称为二次击穿 ,v二次击穿的持续时间很短,一般在纳秒至微秒范围, 常常立即导致器件的永久损坏。必需避免。安全工作区防止二次击穿,采用保护电路,同时考虑器件 的安全裕量,尽量使GTR工作在安全工作区。 4.特点n全控型,电流控制型n二次击穿(工作时要防止)n中大容量,开关频率较低第三节第三节 功率功率场效应晶体管场效应晶体管(MOSFETMOSFET) GG: 栅极栅极D D: 漏极漏极S S: 源极源极电力MOSFET的结构和电气图形符号a) 内部结构断面示意图 b) 电气图形符号1.1.导通关断条件导通关断条件漏源极导通条件:在栅源极间加正电压在栅源极间加正电压U UGSGS漏源极关断条件:栅源极间电压栅源极间电压U UGSGS为零为零2.2.特点特点n控制级输入阻抗大n驱动电流小n防止静电感应击穿n中小容量,开关频率高n导通压降大(不足)第四节 绝缘栅双极晶体管IGBT) n 绝缘栅双极型晶体管简称为IGBT(Insulated Gate Biopolar Transistor),是80年代中期 发展起来的一种新型复合器件复合器件。nIGBT综合了MOSFETMOSFET和GTRGTR的输入阻抗高、工 作速度快、通态电压低、阻断电压高、承受电流 大的优点。成为当前电力半导体器件的发展方向 。1. 结构n复合结构(= MOSFETMOSFET+ +GTRGTR)栅极集电极集电极发射极发射极2.2.导通关断条件导通关断条件驱动原理与电力MOSFET基本相同,属于场控器件 ,通断由栅射极电压uGE决定导通条件:在栅射极间加正电压在栅射极间加正电压U UGEGE UGE大于开启电压UGE(th)时,MOSFET内形成沟道, 为晶体管提供基极电流,IGBT导通。 关断条件:栅射极反压或无信号栅射极反压或无信号 栅射极间施加反压或不加信号时,MOSFET内的沟 道消失,晶体管的基极电流被切断,IGBT关断。3.特点n高频,容量大n反向耐压低(必须反接二极管)n模块化n驱动和保护有专用芯片其他电力电子器件nMCTMOS控制晶闸管nSIT静电感应晶体管nSITH静电感应晶闸管本章小结1、根据开关器件是否可控分类(1)不可控器件:二极管VD(2)半控器件:普通晶闸管SCR(3)全控器件:GTO、GTR、功率MOSFET、IGBT等。2、根据门极(栅极)驱动信号的不同(1)电流控制器件:驱动功率大,驱动电路复杂,工作频率低。该 类器件有SCR、GTO、GTR。(2)电压控制器件:驱动功率小,驱动电路简单可靠,工作频率高 。该类器件有P-MOSEET、IGBT。

注意事项

本文(电力电子技术(黄家善高职))为本站会员(xzh****18)主动上传,金锄头文库仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对上载内容本身不做任何修改或编辑。 若此文所含内容侵犯了您的版权或隐私,请立即阅读金锄头文库的“版权提示”【网址:https://www.jinchutou.com/h-59.html】,按提示上传提交保证函及证明材料,经审查核实后我们立即给予删除!

温馨提示:如果因为网速或其他原因下载失败请重新下载,重复下载不扣分。




关于金锄头网 - 版权申诉 - 免责声明 - 诚邀英才 - 联系我们
手机版 | 川公网安备 51140202000112号 | 经营许可证(蜀ICP备13022795号)
©2008-2016 by Sichuan Goldhoe Inc. All Rights Reserved.