半导体物理 习题4答案
习题4答案第一题: 半导体工艺技术的发展很容易使能带电子局限在一个平面内 运动,该电子可称为二维电子。A)求二维自由电子气的态密 度;B)求只沿一维方向运动的电子态密度。以上均假设简单能 带结构。简单能带近似下:两边对k求导得:二维自由电子气的费米圆k空间密度为:联立方程解得:一维自由电子气k空间密度:联立方程解得:第2题对于实际的硅,锗,导带底附近等能面是旋 转椭球面,仍选极值能量为Ec,椭球面方程为等能面是旋转椭球面的能量为:k空间中,解得k与能量的关系k空间中密度和能量的关系为:对能量求导得:第三题 根据Nc和Nv的定义:77K时有:根据公式:分别解得300K时:77K时:77K时低温弱电离时,忽略本征激发,有:解得EC-ED和Nc和T的关系为:由公式:解得:第4题300K时:ni与ND相比可以忽略。杂质全电离500K时,本征载流子数据可查表。但是也可 以计算通过公式计算:本征激发和Nd相比不能忽略第5题300K时,强电离:查表3-2,Ge室温下的本 征载流子浓度2.4X1013cm-3600K时,ni与ND-NA相比不能忽略 :第6题一般简并公式:发生弱简并条件:掺磷Si:掺磷Ge: