晶闸管技术术语

晶闸管、二极管Thyristors and DiodesV ,DRM断态重复峰值电压Repetitive peak off-state voltage(50Hz,10ms)V ,rrm反向重复峰值电压Repetitive peak reverse voltage(50Hz,10ms)'drm断态重复峰值电流Peak off-state currentrm反向重复峰值电流Peak reverse recovery currentdv/dt断态电压临界上升率Critical rate of rise of off-state voltageIT(AV)通态平均电流Mean on-state currentITRMS通态电流有效值RMS on-state currentITSM通态浪涌电流（不重复）Surge on-state currentI2t电流平方时间积I2t valuedi/dt通态电流临界上升率Critical rate of rise of on-state currentVTM通态峰值电压Peak on-state voltageVTO通态门槛电压Threshold voltageIGT门极触发电流Gate trigger currentVGT门极触发电压Gate trigger voltageIH维持电流Holding currentrT斜率电阻slop resistanceTC壳温Case temperaturetrr反向恢复时间Reverse recovery timetq关断时间Circuit commutated turn-off timeTm最大结温Max. junction temperatureITM通态峰值电流Peak on-state currentIF(AV)正向平均电流Mean forward currentIF(RMS)正向电流有效值RMS forward currentIFSM正向浪涌电流（不重复）surge forward currentVFM正向峰值电压Peak forward voltagerF正向斜率电阻Forward slop resistanceIFM正向峰值电流Peak forward currentF安装力矩Mounting TorqueVOV过载电压Overload currentL额定整流电流Rated rectifiers currentVD额定直流输出电压Rated continuous(direct) output voltage技术术语Schedule of letters symbols符号英文单词参数中文参数说明单位IT(AV)AVERAGE ON-STATE CURRENT通态平均电流一国标规定通态平均电流为晶闸管在环境温度为 40oC和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结 温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均 值。这也是标称其额定电流的参数。同电力二极 管一样，这个参数是按照正向电流造成的器件本 身的通态损耗的发热效应来定义的。因此在使用 时同样应按照实际波形的电流与通态平均电流所 造成的发热效应相等，即有效值相等的原则来选 取晶闸管的此项电流定额，并应留一定的裕量。 一般选取其通态平均电流为按此原则所得计算结 果的1.5-2倍。AVTMPeak on-state voltage drop通态峰值电压指器件通过规定正向峰值电流IFM（整流管）或通 态峰值电流ITM（晶闸管）时的峰值电压也称峰值 压降该参数直接反映了器件的通态损耗特性影响 着器件的通态电流额定能力。VIDRMMaximum forward or reverse leakage current断态重复峰值漏电 流为晶闸管在阻断状态下承受断态重复峰值电压 vdrm和反向重复峰值电压vrrm时流过元件的正反向 峰值漏电流该参数在器件允许工作的最高结温 Tjm下测出。mAIRRMMaximum reverse leakage current反向重复峰值漏电 流mAIDSM断态不重复平均电 流门极断路时，在额定结温下对应于断态不重复峰 值电压下的平均漏电流。AVTOOn state threshold voltage门槛电压-VIT(RMS)On-State RMS Current (full sine wave)通态电流均方值AITSMNon-Repetitive Peak on-state Current通态浪涌电流（通 态不重复峰值电浪涌电流是指由于电路异常情况引起的使结温超 过额定结温的不重复性最大正向过载电流。浪涌A流）电流有上下两个级，这个参数可用来作为设计保 护电路的依据。IGMForward Peak GateCurrent门极峰值电流-AI2TCircuit Fusing Consideration周期电流平方时间 积-A2sesdIT/dtRepetitive rate of rise of on-state current after triggering (IGT1IGT3)通态临界电流上升 率当双向可控硅或闸流管在门极电流触发下导通， 门极临近处立即导通，然后迅速扩展至整个有效 面积。这迟后的时间有一个极限，即负载电流上 升率的许可值。过高的dIT/dt可能导致局部烧毁， 并使T1-T2短路。假如过程中限制dIT/dt到一较 低的值，双向可控硅可能可以幸存。因此，假如 双向可控硅的VDRM在严重的、异常的电源瞬间 过程中有可能被超出或导通时的dIT/dt有可能被 超出，可在负载上串联一个几口H的不饱和（空心） 电感。A/|JSVDRMRepetitive peak off-state voltage断态重复峰值电压断态重复峰值电压是在门极断路而结温为额定值 时，允许重复加在器件上的正向峰值电压.国标规 定重复频率为50H，每次持续时间不超高10ms。规 定断态重复峰值电压UDRM为断态不重复峰值电压 （即断态最大瞬时电压）UDSM的90%.断态不重复 峰值电压应低于正向转折电压Ubo,所留裕量大小 由生产厂家自行规定。VVRRM反向重复峰值电压在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器 件上的反向峰值电压。VPPNon repetitive line peak pulse voltage最高不重复线路峰 值电压-vVisolR.M.S. isolation voltage from all three terminals to external heatsink引脚到外壳最大绝 缘电压-VPG(AV)Average gate power dissipation门极平均散耗功率-WPGMPeak gate power门极最大峰值功率-WPG(AV)Average Gate Power门极平均功率-WTjOperating JunctionTemperature Range工作结温为了长期可靠工作，应保证Rth j-a足够低，维持Tj不高于80%Tjmax，其值相 应于可能的最高环境温度。°CTstgStorage Temperature Range贮存温度-°CTLMax.LeadTemperature forSoldering Purposes引脚承受焊锡极限 温度-CRth(j-mb)Thermal ResistanceJunction to mounting base热阻-结到外壳-C/WRth(j-a)Thermal ResistanceJunction-to-ambient热阻-结到环境-°C/WIGTTriggering gate current门极触发电流为了使可控硅可靠触发，触发电流Igt选择25度时 max值的a倍，a为门极触发电流一结温特性系 数，查数据手册可得，取特性曲线中最低工作温 度时的系数。若对器件工作环境温度无特殊需要， 通常选型时a取大于1.5倍即可。mAIHHolding Current维持电流维持可控硅维持通态所必需的最小主电流，它与 结温有关，结温越高，UIH越小。mAILLatching Current(IGT3)接入电流（第三象 限）/擎住电流擎住电流是晶闸管刚从断态转入通态并移除触发 信号后，能维持导通所需的最小电流。对同一晶 闸管来说，通常IL约为IH的2-4倍。mAIDOff-state leakage current断态漏电流-mAVGTTriggering gate voltage门极触发电压一可以选择Vgt 25度时max值的B倍。B为门极触 发电压一结温特性系数，查数据手册可得，取特 性曲线中最低工作温度时的系数。若对器件工作 环境温度无特殊需要，通常选择时B取11.2倍即 可。VVGDNon-triggering gate voltage门极不触发电压-VVFGMPeak Forward Gate Voltage门极正向峰值电压-VVRGMPeak Reverse Gate Voltage门极反向峰值电压-VIFGMPeak Forward Gate Current门极正向峰值电流-AVTMPeak ForwardOn-State Voltage通态峰值电压它是可控硅通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值 压降。为减少可控硅的热损耗，应尽可能选择VTM 小的可控硅VdV/dtCritical Rate ofRise of Off-state Voltage断态临界电压上升 率dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率，这是 防止误触发的一个关键参数。此值超限将可能导 致可控硅出现误导通的现象。由于可控硅的制造 工艺决定了 A2与G之间会存在寄生电容，如图2 所示。我们知道dv/dt的变化在电容的两端会出现 等效电流，这个电流就会成为Ig，也就是出现了 触发电流，导致误触发V/uS(dI/dt)cCritical rate of decrease of commutating on-state current通态电流临界上升 率指在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的 最大通态电流上升率。如果电流上升太快，则晶 闸管刚一开通，便会有很大的电流集中在门极附 近的小区域内，从而造成局部过热而使晶闸管损 坏。A/msdVCOM/dtCritical rate of change of commutating voltage临界转换电压上升 率切换电压上升率dVCOM/dt。驱动高电抗性的负 载时，负载电压和电流的波形间通常发生实质性 的相位移动。当负载电流过零时双向可控硅发生 切换，由于相位差电压并不为零。这时双向可