11.化合物半导体芯片制造生产线建设项目环评报告公示

福建省建设项目环境影响 报 告 表（适用于工业型建设项目）项目名称 化合物半导体芯片制造生产线建设项目化合物半导体芯片制造生产线建设项目 建 设 单 位(盖 章)厦门士兰明镓化合物半导体有限公司厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 法人代表 (盖 章 或 签 字)联系人 联系电话 邮政编码 361100 环保部门填写环保部门填写 收到报告表日期收到报告表日期 编编 号号 福福 建建 省省 环环 境境 保保 护护 局局 制制 目目 录录 一、基本情况.1 二、项目由来.2 三、当地社会、经济、环境简述.3 3.1 地理位置及区域布置.3 3.2 自然环境概况.3 3.3 社会环境概况.5 3.4 环境功能区划.6 3.5 环境影响评价标准.6 3.6 环境质量现状.12 3.7 主要环境保护目标.14 四、工程分析.16 4.1 项目概况.16 4.2 项目污染源分析.38 五、环境影响分析.54 5.1 施工期环境影响分析.54 5.2 运营期环境影响分析.57 5.3 环境风险影响分析.68 5.4 退役期的环境影响分析.71 六、污染治理措施分析.72 6.1 废水污染治理措施分析.72 6.2 废气污染治理措施分析.74 6.3 噪声污染治理措施分析.76 6.4 固废污染治理措施分析.77 6.5 地下水污染防治措施分析.79 6.6 环境风险防范措施及应急预案.80 七、规划、产业政策符合性及选址合理性分析.83 7.1 产业政策符合性分析.83 7.2 规划符合性分析.83 7.3“三线一单”符合性分析.84 7.4 选址合理性分析.89 八、环保投资.90 8.1 环保投资估算.90 8.2 社会效益.91 8.3 环境影响经济损益分析.91 九、环境管理与监测计划.91 9.1 环境管理.91 9.2 污染物排放清单及管理要求.95 9.3 监测计划.100 9.4 排污申报.101 9.5“三同时”制度及环保验收.101 9.6 排污口规范化管理.106 十、总量控制.106 10.1 总量控制因子.106 10.2 水污染物总量控制指标及来源分析.107 10.3 废气总量控制指标及来源分析.108 十一、评价结论.109 11.1 项目概况和主要环境问题.109 11.2 环境质量现状分析结论.109 11.3 污染物排放情况.110 11.4 主要环境影响结论.112 11.5 环境保护措施.119 11.6 环境影响经济损益分析.122 11.7 污染物排放总量控制.122 11.8 环境可行性结论.123 11.9 评价总结论.124 化合物半导体芯片制造生产线建设项目报告表 1一、基本情况一、基本情况 项目名称 化合物半导体芯片制造生产线建设项目 建设单位 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 建设地点 厦门市海沧区南海路与南海三路交叉口西南侧 地理坐标 1175955.20E 242854.63N 排水去向海沧污水处理厂 建设依据 厦沧经投备（2018）551 号 主管部门厦门市海沧区经济和信息化局 建设性质 新建 行业代码C3975 半导体照明器件制造 工程规模 占地面积 45680.817m2，总建筑面积 66306.05m2 总规模 年产 GaN 外延的蓝绿光 LED 芯片、GaAs 外延的红光 LED 芯片、GaAs 外延的激光器件芯片、InP光通讯器件芯片，共 672 万片（等效 2 吋）总投资 20 亿元 环保投资8245 万元 主要产品 名称 主要产品 产量 主要原辅材料名称 主要原辅材料现状用量 主要原辅材料新增用量 主要原辅材料预计总 用量 GaN 外延的蓝绿光 LED 芯片 360 万片/年 主要原辅材料见表 4.1-11 GaAs 外延的红光 LED 芯片 302.4 万片/年 GaAs 外延的激光器件芯片 6 万片/年 InP 光通讯器件芯片 3.6 万片/年 主要能源及水资源消耗 名称 现状用量 新增用量 预计总用量 水（t/a）102.24104 102.24104 电（万 kWh/a）30757.2 30757.2 燃煤（t/a）/燃油（t/a）/燃气（万 m3/a）48.6 48.6 其他 /化合物半导体芯片制造生产线建设项目报告表 2二、项目由来二、项目由来 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司（以下简称“士兰明镓公司”）（附件 2：营业执照）是由杭州士兰微电子股份有限公司与厦门半导体投资集团有限公司共同投资建设的有限责任公司，成立于 2018 年 2 月 1 日，注册于中国（福建）自由贸易试验区厦门片区（保税港区）海景南二路 45 号 4 楼 03 单元 F0055，其经营范围：集成电路制造；光电子器件及其他电子器件制造；经营各类商品和技术的进出口（不另附进出口商品目录），但国家限定公司经营或禁止进出口的商品及技术除外；经营本企业自产产品的出口业务和本企业所需的机械设备、零配件、原辅材料的进口业务（不另附进出口商品目录），但国家限定公司经营或禁止进出口的商品及技术除外；其他未列明制造业（不含须经许可审批的项目）。公司选址厦门市海沧区南海路与南海三路交叉口西南侧作为化合物半导体芯片制造生产线建设项目用地，用地面积 45680.817，总建筑面积 66306.05。2018年 3 月 9 日厦门市海沧区经济和信息化局出具了同意本项目开展前期工作的复函（详见附件 3：厦沧经2018函 10 号），2018 年 8 月 27 日公司取得该地块的使用权出让合同（详见附件 4：厦门市国有建设用地使用权出让合同）。根据福建省发展和改革委员会 福建省重点项目建设领导小组办公室关于印发2018 年第一批参照省重点项目管理项目的通知（详见附件 5），士兰明镓公司拟建设的化合物半导体项目列为参照省重点项目管理项目，总投资 50 亿元。根据建设单位介绍，化合物半导体项目拟分一、二期建设，一期总投资 20 亿元，主要进行厂区内生产厂房、各配套建筑等建设（即基建工程均在一期完成），生产的产品为 GaN外延的蓝绿光 LED 芯片、GaAs 外延的红光 LED 芯片、GaAs 外延的激光器件芯片、InP 光通讯器件芯片，共 672 万片（等效 2 吋）；二期总投资 30 亿元，主要是蓝绿光设备的再投资，生产的产品为 GaN 外延的蓝绿光 LED 芯片 720 万片（等效 2 吋）。一期项目已于 2018 年 8 月 28 日在厦门市海沧区经济和信息化局进行了备案（详见附件 6），本报告仅对一期建设、生产情况（以下简称“本项目”）进行分析，待二期投建前，建设单位另行委托环境影响评价并报审。根据建设单位介绍及环评单位技术人员现场勘查、了解，本项目用地现为空地，为新建项目。本项目从事半导体芯片及其器件制造，根据 中华人民共和国环境保护法（2014化合物半导体芯片制造生产线建设项目报告表 3年修订，2015 年 1 月 1 日起施行）、中华人民共和国环境影响评价法（2016 年修订，2016 年 9 月 1 日起施行）、建设项目环境保护管理条例（中华人民共和国国务院1998第 253 号令）的有关规定，以及建设项目环境影响评价分类管理名录（修改单）（2018 年 4 月 28 日起施行）等文件的有关规定，本项目属于“二十八、计算机、通信和其他电子设备制造业”，应编制环境影响评价报告表（具体见表2.1-1）。为此，委托福建闽科环保技术开发有限公司编制化合物半导体芯片制造生产线建设项目环境影响评价报告（附件 1：委托书）。考虑到本项目排放的废水涉及重金属砷、废气中污染因子较多，且本项目属于重大危险源，因此本报告设置了水环境影响、大气环境影响和环境风险专项。表表 2.1-1 项目类别表项目类别表 环评类别项目类别环评类别项目类别 报告书报告书 报告表报告表 登记表登记表 二十八、计算机、通信和其他电子设备制造业 82 电子器件制造/显示器件；集成电路；有分显示器件；集成电路；有分割、焊接、酸洗或有机溶剂割、焊接、酸洗或有机溶剂清洗工艺清洗工艺 的的 其他 三、当地社会、经济、环境简述三、当地社会、经济、环境简述 3.1 地理位置及区域布置地理位置及区域布置 项目选址于厦门市海沧区南海路与南海三路交叉口西南侧（海沧区临港（05-12）编制单元规划范围内）。项目东侧是南海路，南侧是规划科研工业用地，西侧地块是规划拟建的厦门士兰集科微电子有限公司12吋特色工艺半导体芯片制造生产线建设项目，北侧隔南海三路为拟规划为士兰 12 吋项目预留用地，距离项目较近的村庄为东南侧约 120m 待拆迁的温厝村。建设项目地理位置图见附图 3-1，周边环境示意图见附图 3-2，项目周边环境现状照片见附图 3-3。3.2 自然环境概况自然环境概况 3.2.1 气候气象气候气象 厦门市属亚热带海洋性季风气候，具有温暖潮湿、光照充分、季风影响频繁和台风季节长等特点。本地区一年四季气候温和，夏无酷暑、冬无严寒，雨量充沛，降水受季风控制，有明显的干、湿季之分。厦门地区多年平均气温 20.3左右，近年极低气温为 1.5，极端最高 37.1，高于 35及低于 5时不多。厦门降水量在化合物半导体芯片制造生产线建设项目报告表 41000-2000mm，近五年最大降水量 1768mm，出现在 2000 年；厦门地区全年盛行风向偏东，近五年平均风速 2.3-3.0m/s，1997 年平均风速最小，只有 2.3m/s，厦门海岛风最大，近五年中出现的最大风速为 25.3m/s，出现在 1999 年 10 月；全年日照时数约 2100-2500 小时，日照百分率 4851%，优于同纬度内陆地区。海沧区位于厦漳泉闽南金三角地区的突出部，与厦门岛隔海相望，属亚热带海洋季风气候，年均气温 21，最高月均气温 28.5，最低月均气温 12.5，极端最低气温 2，极端最高气温 38.5，年均日照时间 2233.5 小时。全年降雨量多集中在 39 月份，占全年降雨量的 80%以上。多年平均降雨量 1143.5mm，年最大降雨量 2296.4mm，各地降水分布不均，一般山区多于沿海，79 月份为台风暴雨季节，年平均台风（热带风暴）4 次。3.2.2 地形地貌地形地貌 海沧区属丘陵地带，中部偏北有蔡尖尾山（海拔高 381.6m）、文圃山（海拔高422.2m）、太平山（海拔 237.6m），把海沧区分为南面海沧新市区、南部工业区，和北面的新阳工业区两片平原，及原属杏林区的大片平原东孚工业区。蔡尖尾山山南除东南角京口岩山（海拔 137.9m）外，其余地形比较平坦开阔，便于成片开发，是开发建设的主要用地。蔡尖尾山山南的南部工业区和海沧新市区为剥蚀残丘所形成的丘陵地及沿海的海积小平原。在丘陵地之间，夹有不规则的冲沟，大的地形走势为北高南低，区内地形起伏较大。西部地形自北向南倾斜，场地自然标高约 48m，沿海地区约为 13m，最高基岩裸露山丘标高为 77m，自然坡度约 0.280.32%。东部地形呈东南坡向，自然坡度约为 0.240.47%，标高约 69m，局部山丘为 34m，海滩洼地标高为1.22m。东南角的京口岩山，其最高点标高 137.9m，周围可用地的自然标高相差悬殊，西侧为 440m，东北侧为-0.60.5m。沿海地带东起嵩屿，西至青礁，除局部有岛礁外，大部分地势为低隆滩地及浅海区。3.2.3 地质特征地质特征 区域位于闽东南沿海变质带（大陆边缘拗陷带）附近，该构造带位于福建东南沿海，沿长乐南澳深断裂带呈长条带状分布，西与福鼎云霄断陷带相邻，东濒台湾海峡，北入海域，南延广东南澳岛，长达 400 公里，宽 3858 公里，为一典型的中生代低压型区域变质带，区域下伏的基岩岩性为燕山早期混合二长花岗岩（m52(3)）。化合物半导体芯片制造生产线建设项目报告表 53.2.4 水文水文 海沧区内无河流，地表水体以水库、池塘为主，本区分布了大大小小十几个水库，以古楼水库容量最大。本地区地下水属潜水型，尚未发现有承压性地下水。地下水补给来源主要为大气降水，其次是北部山区岩面的潜流。