哈工大模拟电子技术基础习题册
模拟电子技术基础习题册班级：XXXX姓名：XXXX学号：XXXXXXXXX 年 XXX 月1 模拟电子技术基础习题册第一章： 基本放大电路习题1-1 填空：1本征半导体是 纯净的晶体结构的半导体 ，其载流子是 自由 电子 和 空穴 。载流子的浓度 相等 （空穴与自由电子数目相等） 。 2在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 掺杂 ，而少数载流子的浓度则与 温度_有很大关系。3漂移电流是 少数载流子 在 电场力 作用下形成的。4二极管的最主要特征是 PN 结具有单向导电性 ，它的两个主要参数是最大整流电流 和 最高反向工作电压 。5稳压管是利用了二极管的反向击穿陡直的 特征，而制造的特殊二极管。它工作在 反向击穿区 。描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是 稳定工作电压 、 稳定工作电流 、 额定功率 、和 动态电阻 。6某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将 升高 。7双极型晶体管可以分成 PNP 型 和 NPN 型 两种类型，它们工作时有 空穴 和 电子 两种载流子参与导电。8场效应管从结构上分成 结型场效应管 和 绝缘栅场效应管 两种类型，它的导电过程仅仅取决于 多数 载流子的流动；因而它又称做 单极性晶体管 器件。9场效应管属于-电压控制电流 控制型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是 电流控制电流 型器件。10当温度升高时，双极性三极管的 将 增大 ，反向饱和电流 ICEO 增大 正向结压降 UBE 降低 。11用万用表判别放大电路中处于正常放大工作的某个晶体管的类型与三个电极时，测出 电位 最为方便。12三极管工作有三个区域，在放大区时，偏置为 发射结正偏 和 集电结反偏 ；饱和区，偏置为_发射结正偏 和 集电结正偏 ；截止区，偏置为发射结反偏 和 发射结反偏 。13温度升高时，晶体管的共设输入特性曲线将 左移 ，输出特性曲线将 上移 ，而且输出特性曲线之间的间隔将 增大 。1-2 设硅稳压管 Dz1 和 Dz2 的稳定电压分别为 5V 和 10V，求图 1-2 中各电路的输出电压 U0，已知稳压管的正向压降为 0.7V。2 模拟电子技术基础习题册DZ1DZ225V UO1k ( )bDZ1DZ225V UO1k( )c ( )d( )a DZ1Z225V UO1kDZ1Z225V UO1k图 1-21-3 分别画出图 1-3 所示电路的直流通路与交流通路。 VCRB2VTuiC1 C2RCRLuoRB1RE( )a ( )b VCVTuiC1 C2RCuoR2R3R1C3 ( )c VDRG2uiC1 C2RDRLuoRG1RSRGCS图 1-31-5 放大电路如图 1-5 所示，试选择以下三种情形之一填空。a：增大、b：减小、c ：不变（包括基本不变） 1要使静态工作电流 Ic 减小，则 Rb2 应 b 。2R b2 在适当范围内增大，则电压放大倍数 b ，输入电阻 增大 ，输出电阻_c_ 。3R e 在适当范围内增大，则电压放大倍数 b ，输入电阻 a ，输出电阻 c(一个定值电阻变量一般不会，除非特殊情况) 。？ 4从输出端开路到接上 RL，静态工作点将 ，交流输出电压幅度要 。5V cc 减小时，直流负载线的斜率 c 。 VCRB2 VTuiC1C2RC RLuoRB1RE CE3 模拟电子技术基础习题册图 1-51-6 电路如图 1-5 所示，设 VCC=15V，R b1=20k，R b2=60K，R C=3k，Re=2k,电容 C2，C 2 和Ce 都足够大， =60，U BE=0.7V，R L=3k1电路的静态工作点 IBQ、I CQ、U CEQ。2电路的电压放大倍数 Au，放大电路的输出电阻 ri 和输出电阻 r03若信号源具有 RS=600 的内阻，求源电压放大倍数 Aus。1-7 图 1-7 所示电路中，已知三极管的 =100，U BEQ=0.6V，r bb =100。1求静态工作点。2画微变等效电路。3求 。io1uUA4求 ri，r o1，r o2。图 1-7多级放大电路与频率特性习题2-1 填空：1已知某放大电路电压放大倍数的频率特性表达式为：式中 f 单位 Hz)1(060uffjjA表明其下限频率为 ；上限频率为 ；中频电压增益为 dB，输出电压与输入电压中频段的相位差为 。2幅度失真和相位失真统称为 失真，它属于 失真，在出现这类失真时，若 ui 为正弦波，则 uo 为 波，若 ui 为非正弦波，则 uo 与 ui 的频率成分 ，但不同频率成分的幅度 变化。3饱和失真，截止失真都属于 失真，在出殃这类失真时，若 ui 为正弦波，则 uo 为 波。u o 与 ui 的频率成分 。4多级放大电路的通频带比组成它的各个单级放大电路的通频带 。5多级放大电路在高频时产生的附加相移比组成它的各个单级放大电路在相同频率产生的附加相移 。6多级放大电路放大倍数的波特图是各级波特图的 。7在三级放大电路中，已知|A u1|=50，|A u2|=80，|A u3|=25，则其总电压放大倍数|A u|= ，折合为 dB。8在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的 ，而前级的输出电阻则也可视为后级的 ；前级对后级而言又是 。2-4 某放大电路的电压放大倍数复数表达式为：VC(+10V)Rb2 VTRSuSuiC1RcRb1 RE0k5k2k 2kuo1C22k4 模拟电子技术基础习题册f 的单位为 Hz)1)()(15.05022u fff jjjA1求中频电压放大倍数 Aum2画出 Au 幅频特性波特图3求上限截止频率 fH 和下限截止频率 fL2-5 图 2-5 中的 T1，T 2 均为硅管， UBE=0.7V，两管间为直接耦合方式，已知 1= 2=50，r bb1= rbb2=300，电容器 C1，C 2，C 3，C 4 的容量足够大。1估算静态工作点 ICQ2，U CEQ2（ IBQ2 的影响忽略不计）2求中频电压放大倍数 Au3求输入电阻 ri 和输出电阻 ro4用仿真验证上述结果iU& oU& T1b1Rb2Rc2R1C 2C3CRe1 T2c1Rc2RLRk20k6 k2k2e1R0 k5504CC+V(10)k图 2-52-6 电路如图 2-6 所示1写出 及 ri，r o 的表达式（设 1， 2 ，r be1，r be2 及电路中各电阻均为已知量）iouUA2设输入一正弦信号时，输出电压波形出现了顶部失真。若原因是第一级的 Q 点不合适，问第一级产生了什么失真？如何消除？若原因是第二级 Q 点不合适，问第二级产生了什么失真？又如何消除？iU& oU&C+V T1 T2b12Rb1Rc1Re1R1C 3CeCe1R2Cb2Re2RLR图 2-6差动、功放电路习题3-1 填空1放大电路产生零点漂移的主要原因是 。5 模拟电子技术基础习题册2在相同的条件下，阻容耦合放大电路的零点漂移比直接耦合放大电路 。这是由于 。3差动放大电路是为了 而设置的，它主要通过 来实现。4在长尾式差动电路中，R e 的主要作用是 。3-2 某差动放大电路如图 3-2 所示，设对管的 =50，r bb =300,U BE=0.7V，R W 的影响可以忽略不计，试估算：1T 1，T 2 的静态工作点。2差模电压放大倍数 Aud= 12oU3仿真验证上述结果。 VC(+12V)VT1ui1 RCuoRERB VT2RCRBRWVE(-12V)10k 10kui220k 20k10k图 3-23-3 在图 3-3 所示的差动放大电路中，已知两个对称晶体管的 =50，r be=1.2k。1画出共模、差模半边电路的交流通路。2求差模电压放大倍数 。i2i1oudUA3求单端输出和双端输出时的共模抑制比 KCMR。VCVT1ui1RCuoRE VT2RCRVE2k 2kui24.7k RE4.7k1.2kVCVT1ui RCuoRERB VT2RCRBRWVER图 3-3 图 3-46 模拟电子技术基础习题册3-4 分析图 3-4 中的电路，在三种可能的答案（a ：增大； b：减小；c：不变）中选择正确者填空，设元件参数改变所引起的工作点改变不致于造成放大管处于截止或饱和状态。1若电阻 Re 增大，则差模电压放大倍数 ，共模电压放大倍数 。2若电阻 R 增大，则差模电压放大倍数 ；共模电压放大倍数 。3若两个 RC 增大同样的数量，则差模电压放大倍数 ；共模电压放大倍数 。3-7 填空：1功率放大电路的主要作用是 。2甲类、乙类、甲乙类放大电路的是依据放大管的 大小来区分的，其中甲类放大 ；乙类放大 ；甲乙类放大 。3乙类推挽功率放大电路的 较高，这种电路会产生特有的失真现象称 ；为消除之，常采用 。4一个输出功率为 10W 的扩音机电路，若用乙类推挽功率放大，则应选至少为 W 的功率管 个。3-8 在图 3-8 功放电路中，已知 VCC=12V，R L=8。u i 为正弦电压，求：1在 UCE(sat
