光伏电池材料-第二次形考任务-国开（内蒙古）-参考资料

光伏电池材料-第二次形考任务-国开（内蒙古）02741-参考资料请认真阅读一下说明然后下载：学校每学期有可能都要更换题库！请仔细核对是不是您需要的题目再下载！本文档的说明：下载完本文档后，请用WORD或WPS打开，然后按CTRL+F在题库中逐一搜索每一道题的答案，预祝您取得好成绩金！由金锄头账号：qq号1072066377电大奥鹏助学团队独家整理！仅在金锄头网上传!第1题 区熔法制备单晶硅时，需要（）。A. 需要一个石墨坩埚 B. 不需要坩埚 C. 需要一个石英坩埚和一个石墨坩埚 D. 需要一个石英坩埚用于溶化 参考答案是：不需要坩埚第2题 关于采用区域提纯法去除硅中硼杂的区域提纯杂质描述正确的是（）A. 取决于硼的含量 B. 取决于温度效果显著 C. 效果一般完全去除 D. 几乎无法效果去除 参考答案是：几乎无法效果去除第3题 dash工艺主要解决的是（）。A. 减少缺陷（位错） B. 加入转晶 C. 热应力 D. 放肩 参考答案是：减少缺陷（位错）第4题 占据晶格间隙位置的杂质原子为（）。A. 原生长缺陷 B. 本征点缺陷 C. 间隙杂质原子 D. 替位杂质原子 参考答案是：间隙杂质原子第5题 吸附时不发生任何化学变化，是（）。A. 以上皆不是 B. 化学吸附 C. 物理吸附 D. 不可逆过程 参考答案是：物理吸附第6题 在工业硅的生产炉中，温度在2000以上的部分，（）。A. 底下是SiC，其上面是产品工业硅 B. 只有熔炼过程中生成的SiC C. 以上皆不是 D. 全部都是产品工业硅 参考答案是：底下是SiC，其上面是产品工业硅第7题 生产直拉单晶硅生产时，单晶炉内需要通入（）作为保护气体炉体内通常是（）。A. 常压的空气 B. 氧气低压的空气 C. 低压的氩气 D. 低压的氮气氢气 参考答案是：低压的氩气第8题 （）是生产太阳能级硅材料的主要技术。A. 改良西门子法 B. 四氯化硅金属还原法 C. 二氧化硅高纯试剂还原法 D. 冶金法 参考答案是：改良西门子法第9题 改良西门子法所采用的提纯工艺是（）。A. 区域提纯 B. 精馏 C. 物理提纯法 D. 吸附 参考答案是：精馏第10题 代号2205的工业硅，其中铁、铝、钙三种杂质的含量分别是（）。A. 0.20、0.05、0.20 B. 0.20、0.20、0.05 C. 0.05、0.20、0.20 D. 以上都不对 参考答案是：0.20、0.20、0.05第11题 关于分子筛说法错误的是（）。A. 也叫合成沸石 B. 分子筛晶体内有许多孔径均匀的孔道和排列整齐的孔穴，提供了大量的比表面 C. 具有极性 D. 对非极性分子具有较强的亲和力 参考答案是：对非极性分子具有较强的亲和力第12题 cz法生长单晶硅工艺依次有加料、熔化以及（）。A. 放肩生长、缩颈生长、等径生长、尾部生长 B. 等径生长、缩颈生长、放肩生长、尾部生长 C. 缩颈生长、放肩生长、等径生长、尾部生长 D. 缩颈生长、等径生长、放肩生长、尾部生长 参考答案是：缩颈生长、放肩生长、等径生长、尾部生长第13题 微电子工业和单晶硅太阳电池的生产的特点在于（）。A. 从高纯多晶硅转化成单晶硅的步骤都非常重要 B. 前者主要采用FZ硅，而后者主要采用CZ硅 C. 后者采用直拉法或区熔法单晶硅，而前者不是 D. 两者可以采用同样的高纯多晶硅作为原料 参考答案是：从高纯多晶硅转化成单晶硅的步骤都非常重要第14题 硅石和还原剂在低于1500时，发生的反应是（）。A. SiO2+2SiC=3Si+2CO B. 2SiO2+SiC=3SiOuarr;+CO C. SiO2+3C=SiC+2CO D. 无化学反应，仅为预热 参考答案是：无化学反应，仅为预热第15题 晶体生长过程中产生的缺陷称为（）。A. 原生长缺陷 B. 二次缺陷 C. 点缺陷 D. 诱生缺陷 参考答案是：原生长缺陷第16题 金刚石结构的晶体中位错滑移最容易产生的滑移面是（）。A. 111面 B. 101面 C. 110面 D. 100面 参考答案是：111面第17题 对比传统西门子法，改良西门子法的优点，错误的是（）。A. 节约时间 B. 减少污染 C. 降低物耗 D. 节能 参考答案是：节约时间第18题 太阳电池用直拉单晶硅中的主要缺陷是（）。A. 二次缺陷 B. 位错 C. 空位 D. 杂质原子 参考答案是：位错第19题 微电子工业和单晶硅太阳电池的生产的特点在于（）。A. 从高纯多晶硅转化成单晶硅的步骤都非常重要 B. 后者采用直拉法或区熔法单晶硅，而前者不是 C. 前者主要采用FZ硅，而后者主要采用CZ硅 D. 两者可以采用同样的高纯多晶硅作为原料 参考答案是：从高纯多晶硅转化成单晶硅的步骤都非常重要第20题 工业硅加工产品的附加值最高的是（）。A. 生产合金 B. 生产光纤、多晶硅、单晶硅等通讯、半导体器件和太阳能电池 C. 以上皆不是 D. 有机硅生产 参考答案是：生产光纤、多晶硅、单晶硅等通讯、半导体器件和太阳能电池第21题 化学法提纯高纯多晶硅的工艺包括（）。A. 中间化合物的合成 B. 中间产物被还原或者是分解成高纯硅还原成高纯硅 C. 区域提纯 D. 中间化合物的分离提纯 参考答案是： 中间化合物的合成, 中间化合物的分离提纯, 中间产物被还原或者是分解成高纯硅还原成高纯硅第22题 关于硅粉与氯化氢合成三氯氢硅的生产工艺说法正确的是（）。A. 吸热反应 B. 放热反应 C. 要加热到所需温度才能进行 D. 温度升高后反而将影响产品收率 参考答案是： 要加热到所需温度才能进行, 放热反应, 温度升高后反而将影响产品收率第23题 关于晶转说法正确的是（）。A. 晶体和坩埚的旋转方向相同，以改善热场的对称性 B. 吊索和晶体出现共振时效果最好 C. 在某些晶转下，棱线或者小平面与直径的读取同步，引起直径的读值和拉速的大幅度跳动 D. 过高的晶转会使固液界的形状太凹 参考答案是： 过高的晶转会使固液界的形状太凹, 在某些晶转下，棱线或者小平面与直径的读取同步，引起直径的读值和拉速的大幅度跳动第24题 工业硅生产过程中，要注意的是（）。A. 通过选择合理的炉子结构参数和电气参数，保证反应区有足够高的温度 B. 保持料层有良好的透气性，及时排除反应生成的气体 C. 及时捣炉，帮助沉料 D. 及时调整配料比，保持适宜的SiO2与碳的分子比 参考答案是： 及时调整配料比，保持适宜的SiO2与碳的分子比, 通过选择合理的炉子结构参数和电气参数，保证反应区有足够高的温度, 及时捣炉，帮助沉料, 保持料层有良好的透气性，及时排除反应生成的气体第25题 晶体中点缺陷浓度是（）效应共同作用的结果。A. 点缺陷分解 B. 点缺陷的扩散 C. 点缺陷的复合 D. 点缺陷的产生 参考答案是： 点缺陷的产生, 点缺陷的扩散, 点缺陷的复合第26题 cz法产生位错的环节和方式有（）。A. 籽晶中的位错延伸、增殖 B. 籽晶表面损伤、机械磨损裂痕 C. 单晶冷却时，晶体表面和中心由于收缩率不同产生很大的应力 D. 晶体表面存在温度梯度，产生很强的热应力 参考答案是： 籽晶表面损伤、机械磨损裂痕, 籽晶中的位错延伸、增殖, 单晶冷却时，晶体表面和中心由于收缩率不同产生很大的应力, 晶体表面存在温度梯度，产生很强的热应力第27题 石墨坩埚的寿命取决于（）。A. 石墨坩埚的形状 B. 承受的重量 C. 在晶体生长过程中的受热程度 D. 石墨的材质 参考答案是： 石墨的材质, 承受的重量, 在晶体生长过程中的受热程度, 石墨坩埚的形状第28题 以下对吸附描述正确的是升温和降压有助于（）。A. 化学吸附是不可逆的降压只是让水蒸气更容易挥发 B. 脱咐的进行物理吸附是不可逆的 C. 物理吸附的进行吸附是可逆的 D. 升温对于物理吸附影响很小化学吸附是可逆的 参考答案是： 物理吸附的进行吸附是可逆的, 化学吸附是不可逆的降压只是让水蒸气更容易挥发第29题 关于对czcz法和fzfz法说法描述正确的是（）。A. 熔化时都需要采用坩埚 B. 都需要采用真空气氛保护 C. 都需要使用缩颈工艺 D. 生长时都需借助要采用籽晶 参考答案是： 生长时都需借助要采用籽晶, 都需要采用真空气氛保护第30题 大热场的石墨坩埚往往被做成两瓣或三瓣式的原因在于（）。A. 降低成本 B. 方便安装 C. 防止石墨坩埚被膨胀的石英坩埚撑破 D. 吸收剩余的熔硅凝固时体积增大而造成的应力，从而减少漏硅的危险 参考答案是： 防止石墨坩埚被膨胀的石英坩埚撑破, 吸收剩余的熔硅凝固时体积增大而造成的应力，从而减少漏硅的危险第31题 位错影响说法正确的是（）。A. 位错能够改变载流子浓度 B. 刃型位错也可能作为一排受主 C. 刃性位错作为一排施主中心向导带提供电子 D. 位错作为一个线电荷和空间电荷圆柱成为复合中心 参考答案是： 刃性位错作为一排施主中心向导带提供电子, 刃型位错也可能作为一排受主, 位错能够改变载流子浓度, 位错作为一个线电荷和空间电荷圆柱成为复合中心第32题 磷在硅中很容易去除，在于（）。A. 磷在硅中的分配系数小于1 B. 磷的熔点低 C. 磷在硅熔液中很快得到蒸发 D. 磷的密度小 参考答案是： 磷在硅熔液中很快得到蒸发, 磷在硅中的分配系数小于1第33题 直拉单晶炉的主室包括（）。A. 石墨坩埚 B. 石墨加热器 C. 热绝缘筒和地盘 D. 石英坩埚 参考答案是： 石英坩埚, 石墨坩埚, 石墨加热器, 热绝缘筒和地盘第34题 硅烷法的特点是（）。A. 硅烷易爆炸 B. 易于分解为非晶硅 C. 不需用氢还原，甲硅烷可以热分解为多晶硅 D. 硅烷气体易于用吸附法提纯 参考答案是： 硅烷易爆炸, 不需用氢还原，甲硅烷可以热分解为多晶硅, 硅烷气体易于用吸附法提纯, 易于分解为非晶硅第35题 关于sio说法正确的是（）。A. 能与氧气发生反应 B. 能在1500与C发生反应 C. SiO很容易发生化学反应 D. 温度高于1500，由SiO2和SiC反应得到 参考答案是： 温度高于1500，由SiO2和SiC反应得到, SiO很容易发生化学反应, 能与氧气发生反应, 能在1500与C发生反应第36题 具有金刚石结构的的晶体中的解理面包括位错线的优先方向为（）。A. 211211晶面族晶向 B. 111晶面族111晶向 C. 100<110>晶向晶面族 D. 210晶向110晶面族 参考答案是： 111晶面族111晶向, 210晶向110晶面族第37题 工业吸附对于吸附剂的要求包括（）。A. 选择性高 B. 具有一定的机械强度，抗磨损 C. 有良好的物理及化学性能，耐热冲击，耐腐蚀 D. 具有较大的内表面，吸附容量大 参考答案是： 具有较大的内表面，吸附容量大, 选择性高, 具有一定